As new technological tasks arise, electroless coatings on the basis of cobalt have come into use in microelectronics and micromechanics in order to form a protective layer against copper migration in integral schemes. Copper possesses a low specific resistance, however it also has some disadvantages, such as a low corrosion resistance and a high diffusion coefficient into So and SiO2 as well as into other substances. These problems can be diminished by using a thin barrier layer protecting from copper diffusion. The barrier properties of CoP and CoB layers which can be further improved by addition of tungsten would be suited for this purpose. At present, investigations of this kind are being carried out in many countries. Recently much attention is given to the search of new substances, which could be used in direct borohydride fuel cells as catalysts for the borohydride oxidation reaction. The aim of our work was to investigate the peculiarities of electroless cobalt coatings deposition in glycine solutions using sodium hypophosphite and morpholine borane as reducing agents, as well as to determine the composition of the coatings obtained and the possibilities of their employment for the formation of barrier layers on copper and application for fuel cells production. It has been determined that using hypophosphite as a reducing agent the rate of CoP and CoWP coatings deposition and the quantity of P in them increases with increase in solution pH. After appropriate... [to full text] / Iškilus naujiems technologiniams uždaviniams, chemines dangas kobalto pagrindu, pradėta naudoti mikroelektronikoje ir mikromechanikoje siekiant sudaryti apsauginį sluoksnį vario migracijai integralinėse schemose. Varis turi mažą specifinę varžą, tačiau turi ir keletą trūkumų, tokių kaip blogas korozinis atsparumas ir aukštas difuzijos koeficientas į Si ir SiO2, bei kitas medžiagas. Šios problemos gali būti sumažintos naudojant ploną barjerinį sluoksnį, apsaugantį nuo vario difuzijos. Tam tiktų CoP bei CoB sluoksnių barjerinės savybės, kurias galima pagerinti įvedant volframą. Šiuo metu tokie tyrimai vyksta daugelyje šalių. Taip pat pastaruoju metu skiriamas didelis dėmesys naujų medžiagų paieškai, kurios būtų taikomos tiesioginiuose borohidrido kuro elementuose katalizatoriais borhidrido oksidacijos reakcijai. Mūsų darbo tikslas ištirti kobalto dangų cheminio nusodinimo glicininiuose tirpaluose ypatumus, reduktoriais naudojant natrio hipofosfitą ir morfolino boraną, bei nustatyti gaunamų dangų sudėtį ir jų panaudojimo galimybes barjerinių sluoksnių formavimui ant vario bei taikymui kuro elementų gamybai. Nustatyta, kad naudojant reduktoriumi hipofosfitą didinant tirpalų pH, CoP ir CoWP dangų nusėdimo greitis ir P kiekis jose didėja. Parinkus tinkamas sąlygas buvo gautos kokybiškos kobalto dangos, į kurias patenka nuo 2,9 iki 6,3 at.% P ir nuo 3 iki 5 at.% W. Nustatyta, kad dikarboninės rūgštys gerina tirpalų buferines savybes, pagreitina kobalto dangų nusėdimą ir didina... [toliau žr. visą tekstą]

Iškilus naujiems technologiniams uždaviniams, chemines dangas kobalto pagrindu, pradėta naudoti mikroelektronikoje ir mikromechanikoje siekiant sudaryti apsauginį sluoksnį vario migracijai integralinėse schemose. Varis turi mažą specifinę varžą, tačiau turi ir keletą trūkumų, tokių kaip blogas korozinis atsparumas ir aukštas difuzijos koeficientas į Si ir SiO2, bei kitas medžiagas. Šios problemos gali būti sumažintos naudojant ploną barjerinį sluoksnį, apsaugantį nuo vario difuzijos. Tam tiktų CoP bei CoB sluoksnių barjerinės savybės, kurias galima pagerinti įvedant volframą. Šiuo metu tokie tyrimai vyksta daugelyje šalių. Taip pat pastaruoju metu skiriamas didelis dėmesys naujų medžiagų paieškai, kurios būtų taikomos tiesioginiuose borohidrido kuro elementuose katalizatoriais borohidrido oksidacijos reakcijai. Mūsų darbo tikslas ištirti kobalto dangų cheminio nusodinimo glicininiuose tirpaluose ypatumus, reduktoriais naudojant natrio hipofosfitą ir morfolino boraną, bei nustatyti gaunamų dangų sudėtį ir jų panaudojimo galimybes barjerinių sluoksnių formavimui ant vario bei taikymui kuro elementų gamybai. Nustatyta, kad naudojant reduktoriumi hipofosfitą didinant tirpalų pH, CoP ir CoWP dangų nusėdimo greitis ir P kiekis jose didėja. Parinkus tinkamas sąlygas buvo gautos kokybiškos kobalto dangos, į kurias patenka nuo 2,9 iki 6,3 at.% P ir nuo 3 iki 5 at.% W. Nustatyta, kad dikarboninės rūgštys gerina tirpalų buferines savybes, pagreitina kobalto dangų nusėdimą ir didina... [toliau žr. visą tekstą] / As new technological tasks arise, electroless coatings on the basis of cobalt have come into use in microelectronics and micromechanics in order to form a protective layer against copper migration in integral schemes. Copper possesses a low specific resistance, however it also has some disadvantages, such as a low corrosion resistance and a high diffusion coefficient into So and SiO2 as well as into other substances. These problems can be diminished by using a thin barrier layer protecting from copper diffusion. The barrier properties of CoP and CoB layers which can be further improved by addition of tungsten would be suited for this purpose. At present, investigations of this kind are being carried out in many countries. Recently much attention is given to the search of new substances, which could be used in direct borohydride fuel cells as catalysts for the borohydride oxidation reaction. The aim of our work was to investigate the peculiarities of electroless cobalt coatings deposition in glycine solutions using sodium hypophosphite and morpholine borane as reducing agents, as well as to determine the composition of the coatings obtained and the possibilities of their employment for the formation of barrier layers on copper and application for fuel cells production. It has been determined that using hypophosphite as a reducing agent the rate of CoP and CoWP coatings deposition and the quantity of P in them increases with increase in solution pH. After appropriate... [to full text]