Aujourd'hui, le contrôle des procédés de fabrication est une tâche essentielle pour assurer une production de haute qualité. A la fin du processus de fabrication du semi-conducteur, un test électrique, appelé test paramétrique (PT), est effectuée. PT vise à détecter les plaques dont le comportement électrique est anormal, en se basant sur un ensemble de paramètres électriques statiques mesurées sur plusieurs sites de chaque plaque. Le but de ce travail est de mettre en place un système de détection dynamique au niveau de PT, pour détecter les plaques anormales à partir d'un historique récent de mesures électriques. Pour cela, nous développons un système de détection en temps réel basé sur une technique de réapprentissage optimisée, où les données d'apprentissage et le modèle de détection sont mis à jour à travers une fenêtre temporelle glissante. Le modèle de détection est basé sur les machines à vecteurs supports à une classe (1-SVM), une variante de l'algorithme d'apprentissage statistique SVM largement utilisé pour la classification binaire. 1-SVM a été introduit dans le cadre des problèmes de classification à une classe pour la détection des anomalies. Pour améliorer la performance prédictive de l'algorithme de classification 1-SVM, deux méthodes de sélection de variables ont été développées. La première méthode de type filtrage est basé sur un score calculé avec le filtre MADe,une approche robuste pour la détection univariée des valeurs aberrantes. La deuxième méthode de type wrapper est une adaptation à l'algorithme 1-SVM de la méthode d'élimination récursive des variables avec SVM (SVM-RFE). Pour les plaques anormales détectées, nous proposons une méthode permettant de déterminer leurs signatures multidimensionnelles afin d'identifier les paramètres électriques responsables de l'anomalie. Finalement, nous évaluons notre système proposé sur des jeux de données réels de STMicroelecronics, et nous le comparons au système de détection basé sur le test de T2 de Hotelling, un des systèmes de détection les plus connus dans la littérature. Les résultats obtenus montrent que notre système est performant et peut fournir un moyen efficient pour la détection en temps réel. / Nowadays, control of manufacturing process is an essential task to ensure production of high quality. At the end of the semiconductor manufacturing process, an electric test, called Parametric Test (PT), is performed. The PT aims at detecting wafers whose electrical behavior is abnormal, based on a set of static electrical parameters measured on multiple sites of each wafer. The purpose of this thesis is to develop a dynamic detection system at PT level to detect abnormal wafers from a recent history of electrical measurements. For this, we develop a real time detection system based on an optimized learning technique, where training data and detection model are updated through a moving temporal window. The detection scheme is based on one class Support Vector Machines (1-SVM), a variant of the statistical learning algorithm SVM widely used for binary classification. 1-SVM was introduced in the context of one class classification problems for anomaly detection. In order to improve the predictive performance of the 1-SVM classification algorithm, two variable selection methods are developed. The first one is a filter method based on a calculated score with MADe filter, a robust approach for univariate outlier detection. The second one is of wrapper type that adapts the SVM Recursive Feature Elimination method (SVM-RFE) to the 1-SVM algorithm. For detected abnormal wafers, we propose a method to determine their multidimensional signatures to identify the electrical parameters responsible for the anomaly. Finally, we evaluate our proposed system on real datasets of STMicroelecronics and compare it to the detection system based on Hotelling's T2 test, one of the most known detection systems in the literature. The results show that our system yields very good performance and can provide an efficient way for real-time detection.