Cette thèse présente une étude des électrons, trous, et excitons confinés dans des boîtes quantiques InAs/GaAs, en prenant en compte leur couplage avec les phonons longitudinaux optiques (LO) du réseau cristallin. Nous montrons que les porteurs confinés dans les boîtes quantiques sont en régime de couplage fort avec ces phonons, et que la conséquence de ce couplage est la formation de particules mixtes porteur-phonon, appelées polarons.<br /><br />Dans un premier temps, l'interaction électron-phonon ainsi que trou-phonon est étudiée expérimentalement par spectroscopie dans l'infrarouge lointain (50-700 cm-1) sous champ magnétique intense (0-28 T). L'intérêt d'un champ magnétique est de déplacer les transitions électroniques, afin de les amener en résonance avec les phonons, là où les effets du couplage sont le plus évidents. Pour interpréter les résultats expérimentaux, nous avons calculé le couplage entre les états électroniques et les états de phonons LO en utilisant l'Hamiltonien de Fröhlich. On détermine ainsi les états polarons et les forces d'oscillateurs, qui sont en bon accord avec les résultats expérimentaux.<br /><br />Dans un deuxième temps, nous étudions le couplage des paires électron-trou ou excitons avec les phonons LO. Les transitions interbandes sont sondées dans des expériences de magnetophotoluminescence pour des champs magnétiques allant jusqu'au 28 T. A cause des fluctuations de taille, de composition, et de forme des boîtes quantiques auto-organisées, les pics de photoluminescence sont élargis d'une façon inhomogène. Pour minimiser cet élargissement, des expériences de photoluminescence résonante et d'excitation de la photoluminescence sont effectuées, pour lesquelles un sous-ensemble de boîtes homogènes est sélectionné. Nous calculons les états de polarons excitoniques, ce qui nous permet de déterminer le spectre d'absorption des boîtes quantiques. Un bon accord théorie-expérience est obtenu.

Ce travail porte sur l'étude d'hétérostructures de semiconducteurs II-VI à alignements de bande de type II, en particulier sous forme de superréseaux. Il s'agit d'un système qui peut être prometteur pour une application photovoltaïque, et c'est dans cette optique qu'est orienté ce travail. Une première partie traite ainsi d'une réflexion conceptuelle sur l'apport des interfaces de type II au photovoltaïque.Nous présentons ensuite une étude sur la croissance de CdSe et ZnTe par épitaxie par jets moléculaires, sur différents substrats. Ces matériaux sont particulièrement intéressants et adaptés pour cette application car ils ont un gap direct, quasiment le même paramètre de maille, un alignement de bandes de type II, et le CdSe une bande interdite compatible avec le spectre solaire. Mais en contrepartie il s'agit de semiconducteurs binaires qui n'ont aucun atome en commun, de sorte que la croissance d'échantillons avec des épaisseurs précises à la monocouche près constitue un vrai défi. Pour cette raison nous avons procédé à une étude fine des interfaces grâce à des analyses de diffraction de rayons X et de microscopie en transmission, qui nous permet de conclure sur la nature chimique des atomes à proximité des interfaces.Vient ensuite une étude poussée de spectroscopie sur les effets des interfaces de type II sur les porteurs de charges, à travers leur énergie et cinétique de recombinaison. Nous avons développé un modèle analytique qui permet d'ajuster précisément toutes les caractéristiques observées en relation avec ces interfaces, et qui témoigne d'un mécanisme de séparation des charges très efficace. Nous montrons par la suite que ces effets observés sont des caractéristiques intrinsèques de toutes les interfaces de type II, indépendamment des matériaux et des structures, et que ceux-ci nous permettent d'extraire avec précision les valeurs des décalages de bandes entre différents matériaux à alignement de type II. / This work focuses on the study of II-VI semiconductor heterostructures with type II band alignments, especially in the form of superlattices. This is a system that can be promising for photovoltaic applications, and my work is presented in this perspective. Thus the first part deals with a conceptual reflection on the contribution of type II interfaces for photovoltaics.In a second step I present a study on the growth of CdSe and ZnTe by molecular beam epitaxy on various substrates. These materials are particularly interesting and suitable for this application because they have a direct bandgap, are almost lattice-matched, present a type II band alignment, and CdSe shows a bandgap compatible with the solar spectrum. But in return these are binary semiconductors which have no atoms in common, so that the growth of samples with specific thicknesses close to the monolayer is challenging. For this reason we conducted a detailed study at the interfaces through analysis of X-ray diffraction and transmission electron microscopy, which allows us to conclude on the chemical nature of the atoms near the interfaces.This is followed by a detailed spectroscopy study on the effects of type II interfaces on the charge carriers through their energy and kinetics of recombination. We have developed an analytical model that allows to precisely adjust all the features observed in relation to these interfaces, and shows a very efficient charge separation mechanism. We show later that these effects are inherent characteristics of all interfaces of type II, regardless of materials and structures, and that they allow us to accurately extract the values of band offsets between different materials with type II band alignments.