Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2012. / Submitted by Albânia Cézar de Melo (albania@bce.unb.br) on 2012-05-22T16:07:44Z No. of bitstreams: 1 2012_MariliaOliveiraTelles.pdf: 1464728 bytes, checksum: 90f3321da81caff482c8d23b90502b4c (MD5) / Approved for entry into archive by Marília Freitas(marilia@bce.unb.br) on 2012-05-24T11:57:38Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2012_MariliaOliveiraTelles.pdf: 1464728 bytes, checksum: 90f3321da81caff482c8d23b90502b4c (MD5) / Made available in DSpace on 2012-05-24T11:57:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2012_MariliaOliveiraTelles.pdf: 1464728 bytes, checksum: 90f3321da81caff482c8d23b90502b4c (MD5) / Este trabalho tem o objetivo de verificar a capacidade dos dispositivos mono-elétron para construir um processador nanoeletrônico. Tendo isso em vista, foi desenvolvido um multiplicador binário construído inteiramente com esses dispositivos. Esse sistema foi projetado através da conexão de blocos com funções específicas. Utilizou-se no projeto uma porta NÃO-E nanoeletrônica como célula básica de todos esses blocos. O funcionamento de cada bloco componente do circuito foi validado por simulação no SIMON. Todas as simulações foram feitas considerando os circuitos operando em temperatura ambiente. ______________________________________________________________________________ ABSTRACT / This work aims to verify the potential of single-electron devices for building a nanoelectronic processor. For this purpose, a binary multiplier was built using solely these devices. This system was designed by connecting blocks with specific functions. As the basic cell of these blocks, a nanoelectronic NAND gate was used. The circuit's component blocks operation was validated through simulation in SIMON software. All the simulations were made considering the circuits operating at room temperature.