Made available in DSpace on 2016-08-18T18:19:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Wesdney dos Santos Melo.pdf: 3867399 bytes, checksum: 9eb817cf696dfb625968d6de8e41101c (MD5) Previous issue date: 2011-04-18 / FUNDAÇÃO DE AMPARO À PESQUISA E AO DESENVOLVIMENTO CIENTIFICO E TECNOLÓGICO DO MARANHÃO / In this work we studied the structural and electronics properties (10; 0)@(17; 0) of double wall BN nanotubes bundle without intercalation and intercalated with the H2SO4 molecule, submitted to variations of hydrostatic pressure. For to study such properties we used the ab initio method employing density functional theory in the approach of the generalized gradient approximation for the exchange and correlation terms. All the simulations were performed using the SIESTA code. In the analysis of all results we observed that the traverse circular section of the nanotubos suffers a structural modification when the applied pressure around 1 GPa both system. Another structural change observed, both systems, appears around 10 GPa. The analysis the electronic properties was accomplished through the bands structure, where it was observed that the two systems considered are semiconductors, but with reduction in the energy gap. The analysis of the population of Mülliken, in the case of the doped system with H2SO4 molecule, shows that the nanotubes transfer charge to H2SO4 molecule, and the transference increases with pressure. / No presente trabalho estudamos as propriedades estruturais e eletrônicas de bundles de nanotubos de BN de dupla camada (10; 0)@(17; 0) sem intercalação e intercalados com a molécula H2SO4, submetidos à variação de pressão hidrostática. Para estudar tais propriedades usamos o método ab initio, baseado na teoria do funcional da densidade e da aproximação do gradiente generalizado para o termo de troca e correlação. Para realizar essas simulações utilizamos o código SIESTA. Realizamos a análise de todos os resultados obtidos e observamos que a seção transversal circular dos nanotubos sofre uma modificação geométrica quando a pressão aplicada é em torno de 1 GPa, tanto no sistema sem dopagem como no sistema dopado. Outra mudança estrutural observada, em ambos os sistemas, ocorre em torno de 10 GPa. A análise das propriedades eletrônicas foi realizada através da estrutura de bandas e foi observado que os dois sistemas considerados permanecem semicondutores, mas com redução no gap de energia. A análise da população de Mülliken no caso do sistema dopado mostra que os nanotubos doam cargas para a molécula H2SO4 e a quantidade de carga doada pelo tubo aumenta conforme a pressão aplicada aumenta.

Made available in DSpace on 2016-08-18T18:19:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Samir Silva.pdf: 2648726 bytes, checksum: c089ee5506a5e19afed5dafba9cbc09f (MD5) Previous issue date: 2007-08-21 / In this work were studied the electronic, vibrations and structural properties of boron nitride nanotube bundles (16,0), (12,0) and (8,0), when submitted to the hydrostatic pressure changes. To study such properties, we used the ab initio method employing density functional theory in the approach of the generalized gradient approximation. All the simulations were performed using of the siesta code. The obtained results showed that the circular cross section of each one of the studied bundles undergoes a deformation (elliptic) when applied pressure reaches the value of P > 1,0 GPa for the bundle (16,0), P > 2,0 GPa for the bundle (12,0) and for values greater then 6,5 GPa for the bundle (8,0). For each pressure interval it was calculated the percent relative volume, cohesive energy, modes of vibrations and the band structures. The analysis of the electronic properties, through the band structures, indicates that the characteristics semiconducting of boron nitride nanotubes is preserved during the pressure increasing. / Neste trabalho foram estudadas as propriedades eletrõnicas, vibracionais e estruturais de bundles de nanotubos de nitreto de boro (16,0), (12,0) e (8,0) submetidos à variação de pressão hidrostástica. Para estudar tais propriedades, utilizamos o método ab initio com uso da teoria do funcional da densidade na aproximação do gradiente generalizado. Todas simulações foram realizadas com a utilização do código siesta. Com os resultados encontrados foi observado que a seção transversal circular de cada um dos bundles estudados sofre uma deformação (elíptica) quando a pressão aplicada atinge o valor de P > 1,0 GPa para o bundles (16,0), P > 2,0 GPa para o bundles (12,0) e P > 6,5 GPa para os bundles (8,0). Para cada intervalo de pressão aplicada calculamos o percentual do volume relativo, energia coesiva, modos vibracionais e a estrutura de bandas. A análise das propriedades eletrônicas, através da estrutura de bandas, indica que as características semicondutoras dos nanotubos de nitreto de boro são preservadas durante o aumento da pressão.