The BaTiO3 sample was made by dry pressure, it was artificial spread nickel paste on BaTiO3, and it was simulated multilayer ceramic capacitors (MLCC¡¦s) to make a sandwich structure with BaTiO3-Ni-BaTiO3 by sintered in YAGEO¡¦s laboratories. The samples have been thoroughly analysis for the interface between BaTiO3 dielectric and Ni electrode or NiO oxide, by X-ray diffractometry, scanning electron microscopy, and transmission electron microscopy. The interface between BaTiO3 and Ni has not orientation relationship as determined by selected area diffraction and it¡¦s not had dislocations in interface by two- beam image. The NiO oxide as determined by XRD and TEM, because of the thermodynamic potential of the Ni/NiO equilibrium was produced. The array of dislocations of Burgers vector is 1/2[ 10] in the interface, and Burgers vectors are 1/2[00 ], [ 1 ] as determined by high resolution images and Fast Fourier Transform simulation. Misfit dislocations along the interface occur to accommodate the lattice mismatch.

The lack of a widely-accepted quantitative methodology for evaluating the scratch behavior of polymeric materials has resulted in the development and establishment of a new methodology recently standardized as ASTM D7027-05. Using a custom-built instrumented scratch machine, it is possible to produce controlled, repeatable scratches on polymer surfaces under constant or linearly increasing loading conditions at constant or increasing scratch rates. Software-aided digital image analysis along with material science tools (SEM, OM, FTIR, etc.) allows polymer scratch behavior to be analyzed without the ambiguity inherent in the past. The current work will serve to describe the motivation for the development of this methodology as well as illustrate the effectiveness of the increasing load/constant rate test mode in three case studies. First, it will be shown that an acrylic coating on a steel system exhibits three zones of scratch damage: adhesive delamination, transverse cracking and finally buckling failure. It will be discussed how increases in ductility and thickness serve to improve the scratch resistantance of this coating/substrate system. Improvements in the scratch behavior of thermoplastic olefins (TPOs) through the use of surface-treated talc fillers and the slip agent erucamide will be shown in the second case. It was found that the surface-treatment of the talc likely allows for enhanced migration of the erucamide to the TPO surface, thus lowering the surface friction and greatly increasing scratch resistance. Finally, the effects of processing conditions, namely injection molding, on the scratch behavior of neat i-polypropylene will be represented by the results of scratch tests conducted where the scratch direction was oriented both along and transverse to the polymer melt flow direction. Based on the findings of the study, there appears to be a high degree of surface anisotropy introduced to injection-molded polymers due to complex fluid flow regimes as well as non-uniform cooling properties.

The microstructure of £b'-Cu6Sn5 during in the early stage of growth was studied. Sn was electroplated onto thin Cu foil at room temperature and the specimen was annealed at 150 ºC for 30 s. The Cu and Sn on the £b'-Cu6Sn5 surfaces were removed electrolytically and the specimens were analyzed with scanning and transmission electron microscopes. The £b'-Cu6Sn5 grains on the Cu side were as small as 5 nm but grew rapidly to 0.3 to 0.5 £gm on the Sn side. The orientation relationships between £b'-Cu6Sn5 and Cu were studied by a thin film technique. Cu was evaporated onto the NaCl (001) and (111) surfaces to form epitaxial Cu thin films and Sn was then evaporated onto the Cu films to form £b'-Cu6Sn5. Two types of orientation relationships were found, i.e., (1) [204]£b'//[001]Cu (zone axis), (40-2)£b'//(110)Cu, and (020)£b'//(1-10)Cu, and (2) [204]£b'//[111]Cu (zone axis), (40-2)£b'// Cu, and (020)£b'//(-1-12)Cu. The interfaces were analyzed. (Chapter 1) A very thin £b-Cu6Sn5 layer was formed by dipping thin Cu foil into molten Sn at 240 ºC for 1 second and quenching in ice water. The Sn and Cu on the £b-Cu6Sn5 surface were removed electrolytically to study the surface morphologies. The £b-Cu6Sn5 grains on the Sn side had a worm-type shape, about 0.3-0.5 £gm wide and up to 2 £gm long, but those on the Cu side were very small, about 5 nm in size. The nucleation and growth of the £b-Cu6Sn5 grains were discussed. The orientation relationships between £b-Cu6Sn5 and Cu were determined by transmission electron microscopy. The (11-20) plane of £b-Cu6Sn5 was found to be the interface with both the Cu (001) and (-111) surfaces, and a common orientation relationship of (0001)£b//(110)Cu was observed. The match of atoms between £b-Cu6Sn5 and Cu on the above interfaces were analyzed. (Chapter 2) A thin film technique was developed to study the orientation relationship and interface between £`-Cu3Sn and Cu by transmission electron microscopy. Epitaxial Cu thin films were grown on the NaCl (001) and (111) surfaces and Sn was evaporated to form £`-Cu3Sn directly without breaking the vacuum. The orientation relationship Z=[001]£`//[111]Cu, (100) £` //(-110)Cu, and (010)£` //(-1-12)Cu was found on the Cu (111) surface, but none on the Cu (001) surface. The interface was analyzed. (Chapter 3) The formation of the Fe-Al inhibition layer in hot-dip galvanizing is a confusing issue for a long time. This work presents a characterization result on the inhibition layer formed on a TiNb-stabilized interstitial-free steel after a short time galvanizing. The Fe-Al and steel interface was free from oxide, so that the Fe-Al intermetallic compound could directly nucleate on ferrite grains. TEM electron diffraction showed that only Fe2Al5 was formed and it had a well-defined orientation relationship of [110]FA// [111]Fe, (001)FA//(0-11)Fe and (1-10)FA//(2-1-1)Fe with Fe substrate where FA stands for Fe2Al5. The interfaces between Fe2Al5 and Fe are discussed. The Fe2Al5 grains nucleated epitaxially on Fe substrate had very small grain size, 20 nm or less, and several variants were intimately mixed. The grains grew rapidly to hundreds of nanometers toward the Zn side. (Chapter 4) The orientation relationships and interfaces of £_-AuSn with the Au (001), (110) and (111) surfaces were studied with transmission electron microscopy. Au was evaporated onto the NaCl (001), (011) and (111) surfaces to form epitaxial Au thin films and Sn was evaporated onto the Au film to form £_-AuSn. Two types of orientation relationships were found: (1) (11-20)£_//(001)Au, (0001)£_//(110)Au, and (1-100)£_//(-110)Au, which was found on the (11-20)£_/(001)Au and the(1-100)£_/(-110)Au interfaces; and (2) (11-20)£_//(-111)Au, (0001)£_//(110)Au, and (1-100)£_//(-11-2)Au, which was found on the (11-20)£_/(-111)Au interface. The interfaces were analyzed by the structures of the surfaces and the orientation relationships. The nucleation of £_-AuSn on these interfaces was also discussed. (Chapter 5)

Diss.--München--Ludwig-Maximilians-Universität, 2002. Titre de soutenance : Der Prozess der Berufswahl unter Maßgaben der Theorie der reflexiven Modernisierung. / Bibliogr. p. 301-313.

Thèse de doctorat : Sciences de l'éducation : Lyon 2 : 2001. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr.

Thesis (M.A.)--Brigham Young University. Dept. of Spanish and Portuguese, 2004. / Includes bibliographical references (p. 54-57).

Thesis--University of Pittsburgh. / eContent provider-neutral record in process. Description based on print version record. Includes bibliographical references (leaves 98-103).

Thesis (M.S.)--University of Wisconsin--Stout, 2001. / Title from PDF title page (viewed Jan. 9, 2005). Includes bibliographical references (p. 33-36).

Thesis (Psy. D.)--Wheaton College Graduate School, Wheaton, Ill., 2002. / Abstract. Includes bibliographical references (leaves 79-85).

Plus que jamais, le problème de l'abandon scolaire est une préoccupation partagée par l'ensemble de la population du Cambodge. Selon les statistiques et les indicateurs de l'éducation du ministère de l'Éducation de la Jeunesse et des Sports (2001), 12% des jeunes enfants cambodgiens dans l'ensemble du pays, ont abandonné leurs études au niveau primaire. Ce problème se traduit par le nombre considérable d'enfants qui, pour une raison ou pour une autre, ne réussissent pas à acquérir l'ensemble des compétences enseignées au cours du cycle primaire. Dans notre recherche, nous nous sommes intéressés de façon spécifique à décrire les principales causes pouvant provoquer l'abandon des études chez les jeunes enfants cambodgiens au cycle primaire. Pour tenter d'y répondre, nous avions pour but de tracer les facteurs familiaux, socioéconomiques et les difficultés scolaires, en particulier la pauvreté, qui semblent influencer l'abandon scolaire de ces jeunes au Cambodge. L'enquête auprès de jeunes cambodgiens qui ont abandonné leurs études à l'école primaire, a été réalisée grâce à l'aide de questionnaires quantitatifs afin d'identifier les principales causes contribuant à cheminer vers l'abandon des études. La collecte des données ou l'application de ces questionnaires a eu lieu au cours des mois de mai à août 2004, nous avons interrogé 104 répondants choisis au hasard qui ont abandonné leurs études primaires, dont 55 filles et 49 garçons, 74 jeunes enfants de zone rurale et 30 jeunes enfants de zone urbaine. L'âge moyen des répondants se situe entre 6 à 14 ans et plus. L'analyse des données recueillies traitait de certains facteurs associés aux enfants pauvres cambodgiens prédestinés à la non scolarisation. En 2000, le rapport sur la stratégie de réduction de la pauvreté du Gouvernement du Cambodge affirmait que la population cambodgienne vivait sous le seuil de la pauvreté : 90,5% habitent les régions rurales, 7,2% habitent les régions urbaines et 2,3% habitent la capitale de Phnom Penh. Les résultats de notre étude démontrent aussi que 93,12% des enfants sont plutôt pauvres parce que le revenu familial de ces jeunes tourne autour de 30 à 150 dollars américains par mois, ce qui est considéré comme revenu faible par rapport au niveau de vie au Cambodge. Ainsi, vivre dans un contexte de la pauvreté est sans contredit un facteur important de l'abandon scolaire. Parmi les principales causes ayant retenu notre attention, constatons le problème familial, le statut socioéconomique, le milieu où vivent les enfants, les difficultés scolaires et le redoublement scolaire. Chacune de ces mauvaises situations peut devenir une cause majeure de l'abandon des études. Selon cette étude, en effet, les redoublements sont fréquents à l'école primaire, en particulier dans les petites classes. Sur la base de nos données, nous estimons que le taux de redoublement est de 15,38% en première année d'études et de 22,11% en sixième année. De manière générale, toutefois, le redoublement scolaire tend à être répandu en première et en dernière année du cycle primaire cambodgien. Ce redoublement scolaire désastreux entraîne le découragement et le manque de motivation et, pour plusieurs jeunes enfants, c'est un point tout à fait déterminant quant à la décision d'abandonner l'école à partir du niveau primaire. Nous souhaitons parvenir à fixer des cibles réalistes en ce qui concerne la réduction des taux de redoublement et d'abandon des études primaires au Cambodge. La production de certains résultats consistera à redéfinir le rôle du Gouvernement du Cambodge et le rôle des parents pour encourager les communautés à participer davantage à la vie scolaire. Le Gouvernement ne doit pas se limiter à contribuer au financement de l'éducation. Les parents doivent prendre part aux décisions concrètes aux côtés des enseignants et du chef d'établissement. Les parents seront beaucoup plus enclins à inscrire leurs enfants à l'école, à les inciter à ne pas la quitter et à soutenir une association de parents d'élèves si on élargit leur rôle. Ils ont leur mot à dire sur les services éducatifs offerts à leurs enfants et doivent être associés aux mécanismes communautaires de l'école. L'éducation est vraiment la base de la connaissance humaine et on doit la donner aux enfants et à toutes les personnes, pour qu'ils aient accès à tous les moyens disponibles. C'est en donnant une éducation aux enfants d'aujourd'hui qu'on apprendra aux générations futures à maîtriser leur destinée. Il faut offrir une prise en charge adaptée aux enfants ayant quitté l'école, enfants parmi les plus pauvres et les plus vulnérables et les mener vers une vie d'adulte responsable dans le respect et la promotion des traditions culturelles et des valeurs khmères. « La nation est constituée de familles et c'est parmi les enfants qu'elle recrute ses chefs. »