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On the optoelectronic properties of sputtered aluminium doped zinc oxide: a critical assessmentEnrique Morán, Luis Alonso 09 October 2024 (has links)
En este trabajo, películas delgadas de óxido de zinc dopado con aluminio (AZO) con
diferentes concentraciones de aluminio (Al) fueron crecidas por pulverización catódica
de radiofrecuencia y luego fueron calentadas a 400°C en una atmósfera de Argón. El
espectro de absorción del óxido de zinc (ZnO) exhibe una contribución de la absorción excitónica a la absorción fundamental que típicamente no es considerada en ZnO
dopado con Al. No obstante, se muestra que la banda de excitones libres es aún visible
en AZO con bajas concentraciones de Al. Adicionalmente, los estados de defectos, inducidos por el dopaje, incrementan el tamaño de los estados de cola. Estos dos factores,
estados de cola y bandas de excitones libres, tienen un efecto substancial en los valores
del ancho de banda óptico determinado a partir de la absorción fundamental y deben
ser tomados en cuenta con modelos adecuados. En este trabajo, usamos un modelo
recientemente desarrollado basado en el modelo de dispersión óptico de Elliot para
determinar con precisión el ancho de banda óptico, la energía de ligadura de los excitones y la energía de Urbach de películas delgadas de AZO. Por otro lado, analizamos
la absorción de portadores de carga libres, la cual es típicamente modelada por el modelo de dispersión de Drude. Sin embargo, este último no toma en cuenta el hecho de
que los centros de dispersión también interactúan con el campo eléctrico externo. Para
considerar este efecto, varios modelos han sido propuestos para analizar la resistividad
dinámica del material. Típicamente, la resistividad dinámica tiene una dependencia
exponencial y un valor de -1.5 es asumido para semiconductores altamente dopados.
En este trabajo, dejamos este parámetro libre obteniendo una mejor descripción de los
portadores de carga libres y su variación con el dopaje de aluminio.
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