Spelling suggestions: "subject:"photoelectrons -- diffraction"" "subject:"photoelectrons -- iffraction""
1 |
Application of a novel multiple-scattering approach to photoelectron diffraction and auger electron diffractionKaduwela, Ajith P January 1991 (has links)
Thesis (Ph. D.)--University of Hawaii at Manoa, 1991. / Includes bibliographical references. / Microfiche. / xxv, 301 leaves, bound ill. 29 cm
|
2 |
Photoelectron diffraction for structure analysis-a comparison of cluster and slab approaches吳鎮宇, Ng, Chun-yu. January 1997 (has links)
published_or_final_version / Physics / Master / Master of Philosophy
|
3 |
Determinação estrutural de grafeno sobre Irídio (111) por difração de fotoelétrons / Structural determination of graphene on iridium (111) by photoelectron diffractionSilva, Caio César, 1988- 08 November 2014 (has links)
Orientador: Abner de Siervo / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-24T13:12:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Silva_CaioCesar_M.pdf: 10782612 bytes, checksum: 2408c43fe374c29c1bb91a7fecdf39c0 (MD5)
Previous issue date: 2014 / Resumo: O material bidimensional grafeno possui um conjunto fascinante de propriedades que não são vistas juntas em qualquer outro material. Grafeno pode substituir outros materiais em diversas aplicações existentes, além de abrir uma janela para uma série de novas aplicações. As propriedades do grafeno foram mostradas em amostras sintetizadas através do método de esfoliação, no entanto, este método requer vários passos de litografia durante a preparação da amostra. Por outro lado, grafeno tem sido sintetizado pelo método de CVD (Chemical Vapor Deposition) por grandes áreas e com grande qualidade. O processo de CVD envolve um substrato metálico que interage com o grafeno, assim, um sistema alternativo que permite o estudo das propriedades do grafeno é o chamado grafeno quasi-free-standing, ou seja, grafeno que preserva suas propriedades mesmo quando _e suportado por um substrato. Estudos recentes demonstram que Ir(111) permite a preparação de grafeno com alta qualidade estrutural e com estrutura de banda praticamente idêntica à do grafeno puro. Determinar a topografia da superfície em nível atômico é fundamental para compreender a relação entre a estrutura eletrônica e a estrutura geométrica. O objetivo deste trabalho é determinar a estrutura do grafeno sobre Ir(111) através da técnica experimental de difração de fotoelétrons (XPD). A determinação da estrutura da superfície, com base em uma abordagem de cálculos de espalhamentos múltiplos, será apresentada e os resultados serão comparados ás previsões teóricas e a outros resultados experimentais / Abstract: The two-dimensional material graphene has a whole set of fascinating properties which are not seen together anywhere else. Graphene can replace many materials in a great number of existing applications and opens a window to several new applications. The properties of graphene were shown in samples synthesized through exfoliation method, however, this method requires several lithography steps during the graphene production. On the other hand, graphene has been synthesized by chemical vapor deposition method (CVD) through large areas with high quality. The CVD process involves a metallic substrate which interacts with graphene, thus, an alternative system that allows the study of the properties of graphene is quasi-free-standing graphene, i.e. graphene that preserves its properties even when it is supported by a substrate. Recent studies could demonstrate that Ir(111) does indeed allow for the preparation of extended graphene with high structural quality, and the band structure of graphene on Ir(111) is almost identical to the one of pristine graphene. Determination of the surface topography down to the atomic level is crucial in understanding the correlation between the electronic and geometric structure. The aim of this work is determine the structure of graphene on Ir(111) using the experimental technique of X-ray photoelectron diffraction (XPD). The surface structure determination based in a comprehensive multiple scattering calculation approach will be presented and the results will be compared with theoretical previsions and other experimental results / Mestrado / Física / Mestre em Física
|
4 |
Estudo de filmes ultra-finos de Sb/In crescidos sobre Ni (111) / Study of ultra-thin Sb/In films deposited on Ni (111)Carazzolle, Marcelo Falsarella, 1975- 09 August 2005 (has links)
Orientadores: Richard Landers, Abner de Siervo / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin. / Made available in DSpace on 2018-08-12T18:57:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Carazzolle_MarceloFalsarella_M.pdf: 9436583 bytes, checksum: 076451d27442a919e962e5f6cf59ba6a (MD5)
Previous issue date: 2005 / Resumo: Neste trabalho foi estudado o crescimento de filmes ultra-finos de Sb sobre Ni(111) e In sobre Ni(111), no regime de frações de monocamadas, com o interesse no entendimento da estrutura cristalográfica e eletrônica destas ligas de superfície. Os filmes foram preparadas em ambiente de UHV e caracterizados do ponto de vista da estrutura eletrônica através da técnica experimental de espectroscopia de elétrons (XPS) e cálculos de teoria do funcional da densidade (DFT). Na determinação da estrutura cristalográfica das ligas de superfície foram utilizados LEED-qualitativo e PED (difração de fotoelétrons) e DFT.
Os filmes de Sb sobre Ni(111) formaram uma liga substitucional de superfície ordenada na estrutura (Ö 3 x Ö 3) R30 °, seguindo o empacotamento fcc do substrato. Os filmes de In sobre Ni(111) formaram duas fases ordenadas, 2 x 2 e (Ö 3 x Ö 3) R30 ° e , coexistindo na superfície em forma de domínios, ambas as fases formaram ligas substitucionais seguindo o empacotamento fcc do substrato.
A estrutura eletrônica do filmes foram estudadas por XPS e interpretadas com a ajuda das simulações de DFT. Em ambos os filmes não houve tranferência de cargas entre os átomos, mas tivemos evidências de uma redistribuição de cargas intra-atômica nos átomos do substrato. / Abstract: In this thesis we present a studied the growth of the ultra-thin films of Sb on Ni(111) and In on Ni(111), in the sub-monolayer regime. The main interest was on the understanding of the crystallography and electronic structure theses surface alloys. The films were grown under UHV conditions and characterized as to their electronic structure by X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and simulated theoretically by density functional theory (DFT). To determine the crystallography structure, LEED and photoelectron diffraction (PED) was used.
The Sb on Ni(111) films after annealing stabilized as a substitution surface alloy in the ( Ö 3 x Ö 3 ) R 30 ° structure following the fcc substrate. The In on Ni(111) films formed two ordered phases 2x2 and (Ö 3 x Ö 3) R30 ° coexisting on the surface, both the phases formed substitution alloys following the fcc substrate.
The electronic structure of both the films didn¿t show evidence of charge transfer between the atoms, but of a possible charge redistribution between the states of the Ni atoms in contact with the evaporated film. / Mestrado / Superfícies e Interfaces ; Peliculas e Filamentos / Mestre em Física
|
Page generated in 0.3863 seconds