The thesis is devoted to the frequency-resolved investigation of the relaxation processes in optoelectronic materials and devices. Conventional fluorescence decay time measurement technique in the frequency domain was adapted for the use with light-emitting diode (LED) excitation and signal registration by a lock-in amplifier. Inorganic phosphors synthesized by aqueous sol-gel combustion method for using as wavelength converters in white LEDs as well as advanced organic semiconducting materials were investigated by photoluminescence decay time and quantum yield measurement techniques. The photoluminescence decay time measurement technique with extremely low quasi-continuous UV LED excitation was applied for the carrier dynamics research in GaN epitaxial layers. The investigation under such a low excitation conditions revealed the contribution of donor-acceptor recombination in the yellow luminescence of GaN. The techniques for in-situ thermal characterization of encapsulated LEDs, including the measurements of phosphors converter temperature and heat relaxation time constants inside a LED, were developed and demonstrated for the investigation of commercial low- and high- power LEDs. / Disertacija yra skirta relaksacijos procesų, vykstančių optoelektronikos medžiagose ir prietaisuose, tyrimui dažninės skyros metodu. Įprastas fluorescencijos gesimo trukmės tyrimo metodas, veikiantis harmoniškai moduliuoto žadinimo režimu, buvo adaptuotas žadinimui puslaidininkiniais šviestukais ir signalų registravimui radijo dažnių faziniu detektoriumi. Neorganiniai vandeniniu zolių-gelių metodu susintetinti fosforai, skirti baltų puslaidininkinių šviestukų gamybai, ir modernios organinės optoelektronikos medžiagos buvo ištirtos fotoliuminescencijos gesimo dėsnio ir kvantinės išeigos matavimo metodikomis, siekiant nustatyti krūvininkų rekombinacijos savybes ir optimizuoti sintezės parametrus. Realizuotas GaN epitaksinių sluoksnių liuminescencijos kinetikos tyrimas labai žemo kvazitolydinio sužadinimo atveju patvirtino rekombinacijos per priemaišas svarbą šio tipo medžiagose. Buvo sukurtos naujos prekinių šviestukų šiluminių savybių in-situ tyrimo metodikos, veikiančios dažninės skyros režimu. Bangos ilgio keitiklių temperatūra baltuose šviestukuose ir šilumos relaksacijos konstantos įvairaus tipo šviestukų konstrukciniuose elementuose buvo išmatuotos esant vardiniam šviestukų veikimo režimui.

Disertacija yra skirta relaksacijos procesų, vykstančių optoelektronikos medžiagose ir prietaisuose, tyrimui dažninės skyros metodu. Įprastas fluorescencijos gesimo trukmės tyrimo metodas, veikiantis harmoniškai moduliuoto žadinimo režimu, buvo adaptuotas žadinimui puslaidininkiniais šviestukais ir signalų registravimui radijo dažnių faziniu detektoriumi. Neorganiniai vandeniniu zolių-gelių metodu susintetinti fosforai, skirti baltų puslaidininkinių šviestukų gamybai, ir modernios organinės optoelektronikos medžiagos buvo ištirtos fotoliuminescencijos gesimo dėsnio ir kvantinės išeigos matavimo metodikomis, siekiant nustatyti krūvininkų rekombinacijos savybes ir optimizuoti sintezės parametrus. Realizuotas GaN epitaksinių sluoksnių liuminescencijos kinetikos tyrimas labai žemo kvazitolydinio sužadinimo atveju patvirtino rekombinacijos per priemaišas svarbą šio tipo medžiagose. Buvo sukurtos naujos prekinių šviestukų šiluminių savybių in-situ tyrimo metodikos, veikiančios dažninės skyros režimu. Bangos ilgio keitiklių temperatūra baltuose šviestukuose ir šilumos relaksacijos konstantos įvairaus tipo šviestukų konstrukciniuose elementuose buvo išmatuotos esant vardiniam šviestukų veikimo režimui. / The thesis is devoted to the frequency-resolved investigation of the relaxation processes in optoelectronic materials and devices. Conventional fluorescence decay time measurement technique in the frequency domain was adapted for the use with light-emitting diode (LED) excitation and signal registration by a lock-in amplifier. Inorganic phosphors synthesized by aqueous sol-gel combustion method for using as wavelength converters in white LEDs as well as advanced organic semiconducting materials were investigated by photoluminescence decay time and quantum yield measurement techniques. The photoluminescence decay time measurement technique with extremely low quasi-continuous UV LED excitation was applied for the carrier dynamics research in GaN epitaxial layers. The investigation under such a low excitation conditions revealed the contribution of donor-acceptor recombination in the yellow luminescence of GaN. The techniques for in-situ thermal characterization of encapsulated LEDs, including the measurements of phosphors converter temperature and heat relaxation time constants inside a LED, were developed and demonstrated for the investigation of commercial low- and high- power LEDs.