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Efeitos da dinâmica da nanopartícula catalisadora e controle da direção de crescimento de nanofios semicondutores / Effects of the catalyst nanoparticle dynamics and control of the growth direction of semiconductor nanowires

Zavarize, Mariana, 1990- 28 July 2017 (has links)
Orientador: Mônica Alonso Cotta / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-09-02T10:59:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Nica_MarianaZavarize_M.pdf: 75724631 bytes, checksum: 1480ea9eb35b1740d4b908e32d13c9c4 (MD5) Previous issue date: 2017 / Resumo: Neste trabalho, estudamos o crescimento de nanofios planares de InP pelo mecanismo Vapor-Líquido-Sólido (VLS), com o objetivo de entender a dinâmica da nanopartícula metálica catalisadora durante o processo. Para isso utilizamos substratos de GaAs (111)A e o sistema de Epitaxia de Feixe Químico (CBE). O óxido nativo não foi totalmente removido termicamente antes do crescimento, com o objetivo de manter o nanofio isolado eletricamente do substrato. Como um dos objetivos do trabalho, estudamos a possibilidade de controle da direção de crescimento do nanofio planar através de diferentes tratamentos de superfície, e de modo independente da cristalografia do substrato utilizado. As amostras processadas e/ou crescidas foram caracterizadas por técnicas de microscopia eletrônica (varredura e transmissão) e microscopia de força atômica. Investigamos inicialmente como a camada de óxido influencia as direções de crescimento dos nanofios planares no substrato não tratado. Posteriormente, processamos padrões de linhas com rugosidade ligeiramente diferente da mostrada pelo substrato, utilizando técnicas como Litografia por Feixe de Elétrons (EBL), Corrosão por Feixe de Íons Focalizados (FIB) e Ataque por Íons Reativos (RIE). Os padrões gravados eram compostos por linhas perpendiculares com várias micra de comprimento e larguras de dezenas de nm. Observamos que existe uma relação direta do diâmetro do nanofio com a orientação que este assume ao chegar à região onde se encontra a linha (se segue alinhado à linha ou se a ignora; ou se muda sua orientação). Nossos resultados podem ser explicados pelas diferentes energias de superfície presentes no problema, que afetam a dinâmica da nanopartícula catalisadora. Nosso trabalho também mostra que é possível obter maior controle da orientação espacial do nanofio planar crescido, controlando o processamento da superfície e o diâmetro da nanopartícula / Abstract: In this work, we studied the growth of InP planar nanowires by the vapor-liquid-solid (VLS) mechanism, in order to understand the metallic catalyst nanoparticle dynamics during this process. In our studies, we used GaAs (111)A substrates and the Chemical Beam Epitaxy (CBE) system. The native oxide layer was not completely thermally desorbed, in order to keep the nanowire electrically isolated from the substrate. As one of the goals of this work, we study the possibility to control nanowire growth direction via different surface treatments, independently of the substrate crystallography. Our processed and/or grown samples were characterized by electron (scanning and transmission) and atomic force microscopy. We first investigated how the oxide layer influences the growth directions of planar nanowires on unprocessed substrates. Subsequently, patterns of lines with roughness slightly different from those shown by the substrate were patterned using techniques such as Electron-beam Lithography (EBL), Focused Ion-beam Corrosion (FIB) and Reactive Ion Etching (RIE). These patterns were composed of perpendicular lines with several micra in length and tens of nanometers wide. We observed that there is a direct relation between the nanowire diameter and the orientation that the nanowire assumes when it reaches the region where the line is located (if the nanowire aligns with the line or ignores it, or if its orientation changes). Our results can be explained by the different surface energies present in the problem, which affect the dynamics of the catalytic nanoparticle. Our work also shows that it is possible to obtain better control of the spatial orientation of the grown planar nanowire, by controlling the surface processing and the nanoparticle diameter / Mestrado / Física / Mestra em Física / 132655/2015-2 / CNPQ
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Standortplanung von Bahnhöfen

Mecke, Steffen. January 2003 (has links)
Konstanz, Univ., Diplomarb., 2003.
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Difeomorfismos do plano com número de rotação de fins primos irracional / Diffeomorphisms of the plane with irrational prime ends rotation number

Barboza, Diego Pereira 26 February 2019 (has links)
O principal objetivo desta tese é estudar o número de rotação de fins primos de homeomorfismos planares que pertencem a uma classe de homeomorfismos H. Tal número de rotação é devido à Carathéordory e semelhante à teoria de Poincaré para homeomorfismos do crculo. Para todo irracional (0, 1), denotando por (h, U ) o número de rotação de fins primos de h H em U , com U a bacia de repulsão do infinito, construiremos um homeomorfismo h H satisfazendo (h, U ) = e que possui uma sela periódica com intersecção homoclnica transversal em U . Além disso, quando h é de classe C 2 e det(Dh| x ) < 1 em todo ponto, mostraremos que existe ponto periódico acessvel em U se, e somente se, (h, U ) é racional. Também será provado que, quando h é uma ferradura de Smale, o número de rotação (h, U ) é racional. Finalizando, provaremos que se for possvel a existência de um difeomorfismo C r , r 1, em um conjunto genérico a ser definido, com U = W u (p) para p uma sela homoclnica com intersecção transversal e tal que o número de rotação (h, U ) é irracional, necessariamente, h deve satisfazer uma propriedade que não é válida para ferraduras de Smale. / The main objective of this thesis is to study the prime ends rotation number of planar homeomorphisms belonging to a class of homeomorphisms H. Such rotation number is due to Carathéordory and similar to the Poincarés theory of homeomorphisms of the circle. For all irrational (0, 1), denoting by (h, U ) the prime end rotation number of h H in U , with U the infinity repulsion basin, we will construct a homeomorphism h H satisfying (h, U ) = and having a homoclinic saddle with transverse intersection in U . Also, when h is class C 2 and det (Dh| x ) < 1 at every point, we will show that there is accessible periodic point in U if, and only if, (h, U ) is rational. It will also be proved that when h is a Smales horseshoe, the rotation number (h, U ) is rational. To conclude, we will prove that if there exists a C r -diffeomorphism, in a generic set to be defined, with U = W u (p) for a saddle point p with transverse homoclinal intersection and such that the rotation number (h, U ) is irrational, then h must satisfy a property that is not valid for Smales horseshoes.
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Refratômetro por ondas evanescentes em guias de ondas planares / Refractometer by evanescent waves in planar waveguides

Ribeiro, Rafael Alves de Souza 06 December 2010 (has links)
Nesse trabalho, propomos uma modificação da técnica de caracterização de filmes conhecida por m-line para o desenvolvimento de um refratômetro para gases e líquidos. O principio dessa técnica consiste no acoplamento de ondas evanescentes em guias de ondas planares obtidos via o fenômeno da reflexão total interna frustrada através de dispositivos acopladores. Observa-se experimentalmente, após incidir um feixe de laser contínuo na base do acoplador óptico, uma grande atenuação da radiação refletida para determinados ângulos de incidência, que é justamente a radiação acoplada nos modos permitidos pelo guia de onda. Medindo-se os valores desses ângulos e usando a teoria de acoplamento, é possível determinar as características desconhecidas do sistema. Esse sistema consiste de um acoplador óptico semicircular de alto índice de refração em cuja base foram depositados, via evaporação, um filme de dióxido de silício (SiO2) e outro de dióxido de zircônio (ZrO2). Ou seja, o sistema resume-se a dois meios finitos (filmes) prensados entre dois meios semi-infinitos (prisma e amostra). Como a espessura dos filmes e os índices de refração complexos dos filmes e do prisma são conhecidos, a única variável é o índice de refração do quarto meio, que é a amostra da qual se deseja medir o índice de refração. Estudamos a influência que cada um dos parâmetros externos exerce sobre o perfil refletido, tais como comprimento de onda e polarização da radiação incidente, espessuras e índices de refração dos filmes e o formato dos dispositivos acopladores. Descrevemos o comportamento do sistema quando o feixe incidente possui perfil gaussiano, que é perfil dos lasers usualmente usados em pesquisa. As espessuras das camadas de SiO2 e de ZrO2 foram otimizadas tendo em vista a faixa dos valores do índice de refração das amostras que se deseja medir. A otimização do sistema é obtida via teoria de guiamento de radiação em guias de ondas planares para o caso de quatro meios. Para a aquisição e tratamento dos dados desenvolvemos um programa na plataforma LabVIEW&reg; que processa a imagem detectada por uma câmera CCD no visível, possibilitando o acompanhamento da variação do feixe refletido em função da variação do índice de refração da amostra. Assim, além de determinar ponto a ponto a variação do perfil refletido, é possível determinar a dinâmica em que esse efeito se realiza, gerando possibilidades de aplicação da técnica em áreas relacionadas à dinâmica química e bioquímica. Para confirmação da efetividade da técnica, realizamos medidas da variação do índice de refração do ar em função da umidade relativa, temperatura, pressão e para soluções de glicose. O sistema demonstrou sensitividade suficiente para acompanhar mudanças do índice de refração do ar da ordem de 10-6. / In this work, we propose a modification of the technique for characterization of films known as the m-line for the development of a refractometer for liquids and gases. The principle of this technique is coupling evanescent waves in planar waveguides obtained by the phenomenon of frustrated total internal reflection devices through devices couplers. It is experimentally observed, after focusing a continuous laser beam at the base of the coupler, a large attenuation of the reflected radiation for certain angles of incidence, which is precisely the radiation coupled in the modes allowed by the waveguide. Measuring the values of these angles and using the coupling theory, it is possible to determine the unknown characteristics of the system. This system consists of a semicircular optocoupler high refractive index which in the base was deposited, via evaporation, a film of silicon dioxide (SiO2) and a zirconium dioxide (ZrO2). In other words, the system is similar to a two finite media (films) pressed between two semi-infinite media (prism and sample). As the film thickness and complex refractive indices of the film and the prism are known, the only variable is the index of refraction of the fourth medium that is the sample from which it is aimed to measure the refractive index. We studied the influence that each of the external parameters has on the reflected profile, such as wavelength and polarization of the incident radiation, thicknesses and refractive indices of the films and the format of the devices couplers. We describe the system behavior when the incident beam has a Gaussian profile, which is usually the profile of the lasers usually used in researches. The thicknesses of the layers of SiO2 and ZrO2 were optimized in function of the range of the refractive index values of the samples to be measured. System optimization is obtained via the guiding theory of radiation in planar waveguides for the case of four mediums. For acquisition and data processing, a program were developed in LabVIEW&reg; platform that processes the image detected by a CCD camera in visible light, allowing us to relate the variation of the reflected beam to the value of the refractive index of the sample. Thus, besides determining the variation of the profile reflected, it is possible to determine the dynamic in which this effect takes place, generating opportunities for application of the technique in areas related to the dynamic chemistry and biochemistry. To confirm the effectiveness of the technique, we performed measurements of the variation of the refractive index of air as a function of relative humidity, temperature, pressure and glucose solutions. The system shows sufficient sensitivity to follow changes in the refractive index of air in the order of 10-6.
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[en] PROPERTIES OF DISCRETE SILHOUETTE CURVES ON PLANAR QUAD MESHES / [pt] PROPRIEDADES DE CURVAS SILHUETAS DISCRETAS EM MALHAS QUADRANGULARES PLANARES

JOAO MARCOS SILVA DA COSTA 08 January 2019 (has links)
[pt] No presente trabalho apresentamos um estudo de curvas silhuetas discretas sobre alguns tipos particulares de malhas, com o objetivo de avaliar propriedades dessas curvas. Nosso objeto de estudo são malhas quadrangulares, ou seja, onde todas as faces sejam quadriláteros e também sejam planares. Em particular dois tipos de malhas são discutidas: circular e cônica. Essas malhas são particularmente interessantes em arquitetura para modelagem de estrutura de vidros. A geração das malhas é feita aplicando-se um processo de otimização e em seguida, sobre essas malhas, definimos curvas discretas como candidatas a silhuetas e buscamos medidas de qualidade para essas curvas. / [en] In this work we study discrete silhouette curves on Planar Quad meshes (PQ meshes), with the objective of evaluate some properties of these curves. PQ meshes correspond to planar quadrilaterals meshes, and our interest is focused particularly on two kinds of meshes: Conical and Circular. They are interesting in architecture for design with glass structures. An optimization process is applied for the mesh generation and we follow defining discrete curves on the meshes to obtain silhouette and to measure their quality.
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Decomposição e largura em árvore de grafos planares livres de ciclos pares induzidos / Decomposition and width in tree of graphs to glide free of cycles induced pairs

Silva, Aline Alves da January 2007 (has links)
SILVA, Aline Alves da. Decomposição e largura em árvore de grafos planares livres de ciclos pares induzidos. 2007. 71 f. : Dissertação (mestrado) - Universidade Federal do Ceará, Departamento de Computação, Fortaleza-CE, 2007. / Submitted by guaracy araujo (guaraa3355@gmail.com) on 2016-05-20T19:42:38Z No. of bitstreams: 1 2007_dis_aasilva.pdf: 635256 bytes, checksum: 0ac10f7ac58ad14294969b2e4a830ce0 (MD5) / Approved for entry into archive by guaracy araujo (guaraa3355@gmail.com) on 2016-05-20T19:43:21Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2007_dis_aasilva.pdf: 635256 bytes, checksum: 0ac10f7ac58ad14294969b2e4a830ce0 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-05-20T19:43:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2007_dis_aasilva.pdf: 635256 bytes, checksum: 0ac10f7ac58ad14294969b2e4a830ce0 (MD5) Previous issue date: 2007 / The definitions of tree decomposition and treewidth were introduced by Robertson and Seymour in their series of papers on graph minors, published during the nineties. It is known that many NP-hard problems can be polynomially solved if a tree decomposition of bounded treewidth is given. So, it is of interest to bound the treewidth of certain classes of graphs. In this context, the planar graphs seem to be specially challenging because, in despite of having many known bounded metrics (for example, chromatic number), they have unbounded treewidth. So, an alternative approach is to restrict ourselves to a subclass of planar graphs. In this work, we investigate the class of even-hole-free planar graphs. We show that if G is an even-hole-free planar graph, then it does not contain a subdivision of the 10£10 grid. So, if the grid minors of G are obtained from subdivisions, then G has treewidth at most 49. Furthermore, two polynomial, non-exact algorithms to compute a tree decomposition of a even-hole-free planar graph are given, both based on known characterizations of even-hole-free graphs. In the ¯rst one, a tree decomposition is built from basic graphs by concatenating the tree decomposition of small pieces via the clique, k-stars (k = 1; 2; 3) and 2-join cutsets. In the second one, a tree decomposition is built by including one by one the vertices of G, following their bi-simplicial order. / Os conceitos de Decomposição em Árvore e Largura em Árvore foram introduzidos por Robertson e Seymour em sua série de artigos sobre menores de grafos, publicados ao longo da década de 90. Sabe-se que muitos problemas NP - difíceis podem ser resolvidos polinomialmente para um grafo G, dada uma decomposição em Árvore de G de largura limitada. Logo, limitar a largura em árvore de uma classe de grafos torna-se um objeto de estudo de grande interesse. Neste contexto, a classe dos grafos planares se mostra bastante intrigante, uma vez que, apesar de possuir outras métricas limitadas em valores baixos (por exemplo, número cromático), não possui largura em árvore limitada. Desta forma, uma alternativa é restringir a classe estudada para uma subclasse dos grafos planares. Neste trabalho, nós investigamos a classe dos grafos planares livres de buracos pares. Nós mostramos que se G é um grafo planar livre de buracos pares, então ele não contém uma subdivisão de uma grade 10 £ 10. Portanto, se os menores grades de G são obtidos de subdivisões G tem largura em árvore no máximo 49. Além disso, dois algoritmos não exatos polinomiais para computar uma decomposição em árvore de um grafo planar livre de buracos pares são apresentados, ambos baseados em caracterizações conhecidas de tal classe de grafos. No primeiro algoritmo, uma decomposição em árvore é construída a partir de grafos básicos pela concatenação de decomposições em árvores de pedaços pequenos via os cortes clique, k-estrelas (k = 1; 2; 3) e 2-join. No segundo, uma decomposição em árvore é construída pela inclusão dos vértices de G um a um, seguindo sua ordem bi-simplicial.
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Aplicação de células metamateriais em antenas planares

Guelber, Elise Fraga January 2016 (has links)
Orientador: Prof. Dr. Carlos Eduardo Capovilla / Dissertação (mestrado) - Universidade Federal do ABC, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, 2016. / A tecnologia metamaterial vem sendo estudada cientificamente e suas propriedades prometem efeitos inovadores em suas aplicações. A possibilidade de manipular o comportamento eletromagnetico em um dispositivo cercado por metamateriais abre portas para a criação e otimização de novos dispositivos. Qualquer sistema que envolva dispositivos de microondas, optica e antenas, está na grade dos beneficiados por essa tecnologia. As principais caracteristicas dos metamateriais são a refração negativa e as caracteristicas intrinsecas do material com valores negativos. Assumindo esse cen'ario, nesse trabalho ser'a projetada uma célula metamaterial inspirada no conceito de lente de Lenz, que permite uma amplificação do fluxo de energia magnética na região central da estrutura. Essa célula será reconfigurada para sua implementação na estrutura de antenas planares, operando na faixa de 2,4 GHz. Tr¿es modelos de antenas são utilizadas nesse estudo, uma quasi-Yagi , uma PIFA e completando a teoria um arranjo com três PIFAs. A disposição das celulas é feita de forma periódica e estrão, assim como diagramas de radiação extraidos das simulações e testes experimentais. As conclusões são obtidas com referência nesses resultados e por meio de comparações das configurações das antenas com e sem as celulas metamateriaias em sua estrutura. / The metamaterial technology has been studied scientifically and its properties promise innovative effects in their applications. The possibility of manipulating the electromagnetic behavior on a device surrounded by metamaterials opens doors for the creation and optimization of new devices. Any system that involves microwave devices, optics and antennas is on the grid of those benefited by this technology. The main characteristics of the metamaterials are the negative refraction and the intrinsic characteristics of the material with negative values. Assuming this scenario, in this work will be projected a metamaterial cell inspired by the concept of Lenz lens, which allows an amplification of the magnetic flux in the central region of the structure. This cell will be reconfigured for its implementation in the planar antenna structure, operating in the 2.4 GHz range. Three antennas are used in this study, a quasi-Yagi, a PIFA and completing the theory a PIFA array with three elements. The arrangement of the cells is made periodically and strategically in the antenna structure, aiming for improvements in its performance. The characterization of these antennas is carried out by means of reflection and transmission parameters, as well as radiation diagrams extracted from the simulations and experimental tests. The conclusions are achieved with reference in these results and through comparisons of the antenna configurations with and without the metamaterial cells in their structure.
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M?todo din?mico aplicado para antenas cil?ndricas

Silva Neto, Almir Souza e 28 June 2013 (has links)
Made available in DSpace on 2014-12-17T14:56:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 AlmirSSN_DISSERT.pdf: 1940293 bytes, checksum: 7a7b36b247a4dcfecb4c487d79d7aa31 (MD5) Previous issue date: 2013-06-28 / Nowadays there has been a major breakthrough in the aerospace area, with regard to rocket launches to research, experiments, telemetry system, remote sensing, radar system (tracking and monitoring), satellite communications system and insertion of satellites in orbit. This work aims at the application of a circular cylindrical microstrip antenna, ring type, and other cylindrical rectangular in structure of a rocket or missile to obtain telemetry data, operating in the range of 2 to 4 GHz, in S-band. Throughout this was developed just the theoretical analysis of the Transverse transmission line method which is a method of rigorous analysis in spectral domain, for use in rockets and missiles. This analyzes the spread in the direction "&#961;" , transverse to dielectric interfaces "z" and "&#966;", for cylindrical coordinates, thus taking the general equations of electromagnetic fields in function of e [1]. It is worth mentioning that in order to obtain results, simulations and analysis of the structure under study was used HFSS program (High Frequency Structural Simulator) that uses the finite element method. With the theory developed computational resources were used to obtain the numerical calculations, using Fortran Power Station, Scilab and Wolfram Mathematica ?. The prototype was built using, as a substrate, the ULTRALAM ? 3850, of Rogers Corporation, and an aluminum plate as a cylindrical structure used to support. The agreement between the measured and simulated results validate the established processes. Conclusions and suggestions are presented for continuing this work / Nos dias atuais observa-se um grande avan?o na ?rea aeroespacial, no que se refere aos lan?amentos de foguetes, para pesquisas, experimentos, sistema de telemetria, sensoriamento remoto, sistema de radar (rastreamento e monitora??o), sistema de comunica??es via sat?lites e inser??o de sat?lites em ?rbita. Este trabalho tem como objetivo a aplica??o de uma antena de microfita cil?ndrica circular, tipo anel, e outra retangular cil?ndrica na estrutura de um foguete ou m?ssel para obten??o de dados de telemetria, operando na faixa de 2 a 4 GHz, na banda S. Ao longo deste foi desenvolvida apenas a an?lise te?rica do M?todo da Linha de Transmiss?o Transversa que ? um m?todo de an?lise rigoroso no dom?nio espectral, para aplica??o em foguetes e m?sseis. Este analisa a propaga??o na dire??o &#961; , transversa ?s interfaces diel?tricas z e &#966; , para coordenadas cil?ndricas, tendo assim as equa??es gerais dos campos eletromagn?ticos em fun??o de e [1]. Vale ressaltar que para a obten??o dos resultados, simula??es e an?lise da estrutura em estudo foi utilizado o programa HFSS (High Frequency Structural Simulator) que utiliza o M?todo dos elementos finitos. Com a teoria desenvolvida foram utilizados recursos computacionais para obten??o dos c?lculos num?ricos, atrav?s do Fortran Power Station, Scilab e o Wolfram Mathematica?. O prot?tipo foi constru?do utilizando, como substrato, o ULTRALAM? 3850, da Rogers Corporation, e uma placa de alum?nio como suporte ? estrutura cil?ndrica utilizada. A concord?ncia entre os resultados medidos e os simulados validam os processos estabelecidos. S?o apresentadas sugest?es e conclus?es para a continuidade deste trabalho
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Refratômetro por ondas evanescentes em guias de ondas planares / Refractometer by evanescent waves in planar waveguides

Rafael Alves de Souza Ribeiro 06 December 2010 (has links)
Nesse trabalho, propomos uma modificação da técnica de caracterização de filmes conhecida por m-line para o desenvolvimento de um refratômetro para gases e líquidos. O principio dessa técnica consiste no acoplamento de ondas evanescentes em guias de ondas planares obtidos via o fenômeno da reflexão total interna frustrada através de dispositivos acopladores. Observa-se experimentalmente, após incidir um feixe de laser contínuo na base do acoplador óptico, uma grande atenuação da radiação refletida para determinados ângulos de incidência, que é justamente a radiação acoplada nos modos permitidos pelo guia de onda. Medindo-se os valores desses ângulos e usando a teoria de acoplamento, é possível determinar as características desconhecidas do sistema. Esse sistema consiste de um acoplador óptico semicircular de alto índice de refração em cuja base foram depositados, via evaporação, um filme de dióxido de silício (SiO2) e outro de dióxido de zircônio (ZrO2). Ou seja, o sistema resume-se a dois meios finitos (filmes) prensados entre dois meios semi-infinitos (prisma e amostra). Como a espessura dos filmes e os índices de refração complexos dos filmes e do prisma são conhecidos, a única variável é o índice de refração do quarto meio, que é a amostra da qual se deseja medir o índice de refração. Estudamos a influência que cada um dos parâmetros externos exerce sobre o perfil refletido, tais como comprimento de onda e polarização da radiação incidente, espessuras e índices de refração dos filmes e o formato dos dispositivos acopladores. Descrevemos o comportamento do sistema quando o feixe incidente possui perfil gaussiano, que é perfil dos lasers usualmente usados em pesquisa. As espessuras das camadas de SiO2 e de ZrO2 foram otimizadas tendo em vista a faixa dos valores do índice de refração das amostras que se deseja medir. A otimização do sistema é obtida via teoria de guiamento de radiação em guias de ondas planares para o caso de quatro meios. Para a aquisição e tratamento dos dados desenvolvemos um programa na plataforma LabVIEW&reg; que processa a imagem detectada por uma câmera CCD no visível, possibilitando o acompanhamento da variação do feixe refletido em função da variação do índice de refração da amostra. Assim, além de determinar ponto a ponto a variação do perfil refletido, é possível determinar a dinâmica em que esse efeito se realiza, gerando possibilidades de aplicação da técnica em áreas relacionadas à dinâmica química e bioquímica. Para confirmação da efetividade da técnica, realizamos medidas da variação do índice de refração do ar em função da umidade relativa, temperatura, pressão e para soluções de glicose. O sistema demonstrou sensitividade suficiente para acompanhar mudanças do índice de refração do ar da ordem de 10-6. / In this work, we propose a modification of the technique for characterization of films known as the m-line for the development of a refractometer for liquids and gases. The principle of this technique is coupling evanescent waves in planar waveguides obtained by the phenomenon of frustrated total internal reflection devices through devices couplers. It is experimentally observed, after focusing a continuous laser beam at the base of the coupler, a large attenuation of the reflected radiation for certain angles of incidence, which is precisely the radiation coupled in the modes allowed by the waveguide. Measuring the values of these angles and using the coupling theory, it is possible to determine the unknown characteristics of the system. This system consists of a semicircular optocoupler high refractive index which in the base was deposited, via evaporation, a film of silicon dioxide (SiO2) and a zirconium dioxide (ZrO2). In other words, the system is similar to a two finite media (films) pressed between two semi-infinite media (prism and sample). As the film thickness and complex refractive indices of the film and the prism are known, the only variable is the index of refraction of the fourth medium that is the sample from which it is aimed to measure the refractive index. We studied the influence that each of the external parameters has on the reflected profile, such as wavelength and polarization of the incident radiation, thicknesses and refractive indices of the films and the format of the devices couplers. We describe the system behavior when the incident beam has a Gaussian profile, which is usually the profile of the lasers usually used in researches. The thicknesses of the layers of SiO2 and ZrO2 were optimized in function of the range of the refractive index values of the samples to be measured. System optimization is obtained via the guiding theory of radiation in planar waveguides for the case of four mediums. For acquisition and data processing, a program were developed in LabVIEW&reg; platform that processes the image detected by a CCD camera in visible light, allowing us to relate the variation of the reflected beam to the value of the refractive index of the sample. Thus, besides determining the variation of the profile reflected, it is possible to determine the dynamic in which this effect takes place, generating opportunities for application of the technique in areas related to the dynamic chemistry and biochemistry. To confirm the effectiveness of the technique, we performed measurements of the variation of the refractive index of air as a function of relative humidity, temperature, pressure and glucose solutions. The system shows sufficient sensitivity to follow changes in the refractive index of air in the order of 10-6.
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Sensor planar de LOOP retangular para caracterização de grãos vegetais

COUTINHO, Marcelo de Sá 10 February 2017 (has links)
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