Made available in DSpace on 2014-12-17T15:15:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 FabioFM.pdf: 1459636 bytes, checksum: 4f2bb557c6a5bddb80e46f325bd5b4dd (MD5) Previous issue date: 2004-12-03 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior / In this work we study the spectrum (bulk and surface modes) of exciton-polaritons in infinite and semi-infinite binary superlattices (such as, ???ABABA???), where the semiconductor medium (A), whose dielectric function depends on the frequency and the wavevector, alternating with a standard dielectric medium B. Here the medium A will be modeled by a nitride III-V semiconductor whose main characteristic is a wide-direct energy gap Eg. In particular, we consider the numerical values of gallium nitride (GaN) with a crystal structure wurtzite type. The transfer-matrix formalism is used to find the exciton-polariton dispersion relation. The results are obtained for both s (TE mode: transverse electric) and p (TM mode: transverse magnetic) polarizations, using three diferent kind of additional boundary conditions (ABC1, 2 e 3) besides the standard Maxwell's boundary conditions. Moreover, we investigate the behavior of the exciton-polariton modes for diferent ratios of the thickness of the two alternating materials forming the superlattice. The spectrums shows a confinement of the exciton-polariton modes due to the geometry of the superlattice. The method of Attenuated Total Reflection (ATR) and Raman scattering are the most adequate for probing this excitations / Neste trabalho estudamos o espectro (modos de volume e de superf?cie) dos polaritons de exciton em uma super-rede bin?ria infinita e semi-infinita (tal como, ???ABABA???), onde um meio semicondutor (A), cuja fun??o diel?trica depende da frequ?ncia e do vetor de onda, alterna-se com um diel?trico comum (B). Aqui, o meio A ser? modelado por um semicondutor da fam?lia dos nitretos (semicondutor III-V) que tem como caracter?stica principal um gap de energia (Eg) direto e largo. Em particular, consideramos os valores num?ricos para o nitreto de g?lio (GaN) com uma estrutura cristalina tipo wurtzite. A t?cnica da matriz de transfer?ncia ? utilizada para encontrarmos a rela??o de dispers?o do polariton de exciton. Os resultados s?o obtidos para os modos de polariza??o s (ou modo TE: transversal el?trico) e p (ou modo TM: transversal magn?tico), usando tr?s diferentes condi??es de contorno adicionais (ABC1, 2 e 3), mais as condi??es de contorno padr?es de Maxwell. Al?m disso, investigamos o comportamento dos modos do polariton de exciton para diferentes raz?es entre as espessuras das camadas dos dois materiais que comp?em a super-rede Os espectros encontrados evidenciam um comportamento de confinamento dos polaritons de exciton devido ?s geometrias empregadas. As t?cnicas experimentais ATR ("Attenuated Total Reflection") e o espalhamento Raman s?o as mais adequadas para a caracteriza??o dessas excita??es