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Análise do processo de dessorção de filme metálico induzido por luz em superfície dielétrica.

FELIX, Gutembergue Fernandes. 07 November 2018 (has links)
Submitted by Emanuel Varela Cardoso (emanuel.varela@ufcg.edu.br) on 2018-11-07T17:37:23Z No. of bitstreams: 1 GUTEMBERGUE FERNANDES FELIX – DISSERTAÇÃO (PPGFísica) 2015.pdf: 4186541 bytes, checksum: 4a3992774386ae9b9cbe14133dd60146 (MD5) / Made available in DSpace on 2018-11-07T17:37:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 GUTEMBERGUE FERNANDES FELIX – DISSERTAÇÃO (PPGFísica) 2015.pdf: 4186541 bytes, checksum: 4a3992774386ae9b9cbe14133dd60146 (MD5) Previous issue date: 2015-09-15 / Capes / Nosso trabalho tem como objeto de estudo as interações entre átomos de césio e uma superfície dielétrica. Essas interações são do tipo vanderwaals, atrativas de longo alcance e do tipo Pauli, repulsiva sem curtas distâncias. Este trabalho é composto pela análise do crescimento de filmes térmicos e a análise da dessorção de filmes induzidos por luz. Procuramos compreender: Como é a organização da sobreposição para formar um filme metálico sobre a superfície. Nós apresentamos os procedimentos utilizados e o aparato experimental para medir a dessorção de filmes induzidos por luz. Descrevemos cada procedimento realizado para obtenção das medidas, bem como as etapas de análise dos resultados. Neste trabalho discutimos os modelos mais conhecidos de adsorção, o modelo de Langmuir e o modelo BET.A partir da análise dos dados experimentais de adsorção térmica, constatamos que os dados se ajustam na descrição de filmes que crescem em multicamadas sobre a superfície. Através da análise das curvas de dessorção de filmes induzidos por luz podemos obter valores da energia de adsorção. A principal pergunta que queremos responder é: qual a energia de adsorção para um filme induzido por luz. Os valores obtidos para a energia de adsorção de filmes induzidos por luz (cerca de 0,80 e V) são maiores que as energias de adsorção física (estas em torno de 0,40 e V-0,50 e V) e perto da energia de condensação do césio. / In our work we studied the interactions between cesium atoms and a dielectric surface. These interactions are known as the type Vander Waals attractive at long-range and Pauli type, repulsive ats hort distances. This work is divided in to two parts. In the first part we made the analysis of growth of thermal films and we made in the second partthe analysis of films induced by light. Our objetive is understand how is the organization of atoms to form a metallic film on the surface. We describe the procedures used and the experimental apparat us to measure the desorption of films induced by light. We present how each procedure is performed to obtain the measurements and the results of analysis. In this work we present the best known models for adsorption the Langmuir model and the BET model. By analyzing experimental data of thermal absorption we could observe that the data fits in the description of films that grow in multilayers on the surface. We make the analysis of desorption of films induced by light and we get the adsorption energy values. Our main objective is find the value of the adsorption energy for a film induced by light. The values obtained for the adsorption energy to films induced by light (about 0.80 e V) is higher than the energies of physical adsorption (these around 0.40 e V-0.50 e V) and close to the energy of cesium condensation.

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