Orientador: Carlos Alberto Luengo / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T02:06:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 HernandezCalderon_Isaac_D.pdf: 3206983 bytes, checksum: 48ac882ef40a67695b80718550a3c74c (MD5) Previous issue date: 1981 / Resumo: Carvões minerais originários do Sul do Brasil, apresentando altos teores de minério, foram estudados por meio de espectroscopia infravermelha, medidas de refletividade, espalhamento Raman e fotoluminescência. Para estabelecer referências, as mesmas medições foram realizadas em carvões dos EUA contendo baixos teores de minério e em vários tipos de grafites (que podem ser considerados do ponto de vista estrutural como os carvões minerais mais evoluídos). No caso dos carvões minerais, as experiências incluíram amostras em estado natural e tratadas termicamente a várias temperaturas até 2000ºC. Visando uma adequada interpretação dos resultados, em todo momento foi considerada com atenção a influência dos materiais minerais. A espectroscopia infravermelha foi aplicada para a obtenção de informações sobre a estrutura molecular e a composição dos diferentes carvões. Os espectros dos diferentes carvões brasileiros mostraram uma intensa estrutura de bandas de absorção entre os 600 cm-1 e os 1300 cm-1 originada nos materiais minerais. Estas bandas permitiram a identificação dos componentes maioritários do minério, assim como sua análise quantitativa "in situ". As mudanças das bandas de absorção com a temperatura do tratamento térmico foram relacionadas com os processos de pirólise e grafitização da parte orgânica, e também com transições de fase dos componentes do minério. Desenvolveu-se uma metodologia teórico-experimental para a determinação do índice de refração e do coeficiente de extinção, adequada inclusive para materiais altamente absorventes. O método é baseado em: i) medidas no ângulo para o qual a intensidade do feixe refletido com polarização paralela ao plano de incidência é mínima, e, ii) a função que relaciona este ângulo com N = n + ik. Este método foi aplicado aos carvões naturais e tratados termicamente e também a diversos grafites. Os resultados para os carvões naturais foram relacionados com o conteúdo de carbono das amostras e com o seu grau de aromaticidade. Os resultados para as amostras tratadas termicamente foram relacionados com o crescimento de estruturas grafíticas. A análise dos espectros de espalhamento Raman de 1a e 2a ordem dos diversos grafites, mostrou algumas características não detectadas anteriormente. Vários picos dos grafites policristalinos foram atribuídos à relaxação de regras de seleção como conseqüência da perda de simetria ocasionada pelo tamanho finito dos micro-cristais. O grafite policristalino mostrou uma banda larga de luminescência com pico em ~ 2.3 eV, o monocristal não apresentou este efeito. O grafite policristalino e os carvões minerais mostraram luminescência anti-Stokes. Todos os carvões minerais estudados apresentaram praticamente idênticos espectros de espalhamento Raman e de luminescência, apesar de origens e composições bastante diferentes, o que indica que esses efeitos são originados na matriz carbonosa formada por sistemas aromáticos, que é o elemento comum a todos os carvões. Da comparação entre os espectros Raman e de luminescência dos carvões minerais e dos grafites policristalinos, pode-se afirmar que a matriz carbonosa dos carvões minerais tem um comportamento semelhante àquele exibido pelas estruturas grafíticas dos policristais. Em todos os casos, os resultados das experiências com amostras de carvões tratados termicamente mostraram o desenvolvimento de estruturas grafíticas ao aumentar a temperatura do tratamento térmico, e que este processo é inibido pelo minério antes dos 1500ºC nos carvões brasileiros / Abstract: Coals from southern Brazil with high mineral matter content were studied with infrared absorption spectroscopy and reflectivity measurements. The results of Raman and photoluminescence experiments are also reported. Reference measurements were performed on coals with low mineral content and graphite¿s (which are structurally similar to the coals with the highest degree of coalification). Coal samples were also heat treated to several temperatures up to 2000 ºC. Special attention was given to the influence of mineral matter in the interpretation of experimental results. Infrared spectroscopy was applied to determinations of molecular structure and composition of different coal samples. Between 600cm-1 and 1300cm-1 an intense band absorption structure was visible for the high mineral matter samples. These bands were used for 'in situ¿ identification and quantitative analysis of mineral components. Heat treatment induced drastic changes in the absorption bands which were related to pyrolysis and graphitzation processes of organic phases as well as with phase transitions of some of the minerals. It was developed a theoretical and experimental framework which allowed the determination of the index of refraction and the extinction coefficient, it is applicable to coals and also to highly absorbent materials. The method is based upon: i) measurements at the angle for wich the intensity of the inplane polarized reflected beam is minimum, and, ii) the function relating this angle with N = n + ik. This methodology was applied to natural and heat treated coals and also to several kinds of graphite¿s. The results for natural coals were related to the samples carbon content and to their degree of aromaticity. Results for the heat treated samples were related to the growth of graphitic structures. The analysis of 1st and 2nd order Raman scattering spectra of graphite¿s showed features detected for the first time. Several peaks of polycrystalline graphite were attributed to the relaxation of selection rules provocated by loss of symmetry induced by the finite size of graphitic micro-crystals. The polycrystalline graphite showed a wide luminescence band peaked at 2.3 eV, the effect being absent in the single crystals. Mineral coal and polycrystalline graphite showed anti-Stokes luminescence. Raman and luminescence spectra were almost identical for all coal samples in spite of different compositions and origins, which may indicate that these phenomena are originated in the aromatic matrix, which is the structural feature common to all coals. From the comparison of Raman and luminescence spectra of coals and polycrystalline graphite it may be concluded that the carbonaceous matrix originating these optical properties behaves in this respect similarly to polycrystalline graphite. The optical properties reported here for the heat treated samples were sensitive to the development of graphitic structures, which is inhibited before 1500 ºC in the Brazilian coals due to the high mineral matter content / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Fernando Cerdeira / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-21T05:10:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ribeiro_Evaldo_D.pdf: 2272429 bytes, checksum: 3b5144000cbd70e89fae937e2ee25004 (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Utilizamos diversas formas de espalhamento de luz para estudar estados quânticos de elétrons, buracos e fônons em microestruturas semicondutoras numa progressão de dimensionalidade cada vez mais reduzida, o que nos leva desde 3D até OD. A transição contínua 3D ® 2D foi observada nos estados eletrônicos de superredes de InGaAs/GaAs sob efeito de um campo elétrico dc externo, onde os elétrons e buracos pesados foram progressivamente confinados com o aumento da intensidade do campo, enquanto que o buraco leve sempre apresentou comportamento 3D devido ao alinhamento aproximado de suas bandas nos dois lados da heterojunção InGaAs/GaAs. A progressão 2D ® 1D foi analisada através da anisotropia óptica na refletividade modulada de superredes de AlAs/GaAs ocasionada por interfaces corrugadas; à medida que o período da série de amostras decrescia, a corrugação tornava-se mais importante e induzia um confinamento lateral adicional (formação de fios). O passo final nD ® OD foi encontrado no Silício Poroso: como produto da corrosão eletroquímica do Si cristalino, o material poroso resultante apresentou-se composto de nanocristais de Si ( "pontos quânticos" ) pequenos o suficiente para alterar as propriedades vibracionais do silício, de forma que estes efeitos de confinamento OD traduziram-se claramente na forma de linha dos espectros de espalhamento Raman / Abstract: We performed several light-scattering measurements to study the quantum states of electrons, holes and phonons in semiconductor microstructures, reducing progressively the dimensionality of the system from 3D to OD. The continuous 3D ® 2D transition was observed on the electronic states of InGaAs/GaAs superlattices as a function of an external dc electric field; electrons and heavy holes were progressively confined by the increasing field, while light holes exhibited 3D behaviour throughout, owing to the approximately aligned bands on both sides of the InGaAs/GaAs heterojunction. The 2D ® 1D progression was analyzed in corrugated (311) A1As/GaAs superlattices. Corrugation resulted in optical anisotropy in the modulated reflectivity spectrum of these materials. With increasing lateral confinement this anisotropy was seen to increase continuously in a fashion consistent with progressive 2D ® 1D confinement. The last step, nD ® OD, was found in Porous Silicon: as a product of the electrochemical corrosion of crystalline Si, the resulting porous material is composed of Si nanocrystallites (quantum dots), small enough to alter the Silicon vibrational properties so that these OD confinement effects show in appreciable modifications of the Raman spectra / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Jorge Ivan Cisneros / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T11:24:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cantao_MauricioPereira_M.pdf: 3535641 bytes, checksum: 3a424241e2ad8a5c80674e73274aa76a (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: A liga silício-nitrogênio-hidrogênio foi preparada na forma de filmes finos pelo processo de Pulverização Catódica Reativa de Rádio Frequência. A cada deposição mudaram-se as condições de preparo. Visando obter amostras com diferentes composições: a razão entre o conteúdo atômico de nitrogênio e o de sílicio, nos filmes, variou entre 0 e ~2. Através de espectroscopia óptica de transmissão nas faixas do visível-ultravioleta próximo (0,5 a 6,7 eV ) e infravermelho (0,05 a 0,5 eV ) foram determinados o coeficiente de absorção, índice de refração, espessura, gap óptico e densidades de ligações. A partir destas últimas pudemos estimar a composição das amostras e confrontá-las com resultados de fotoemissão. Observamos que o gap óptico aumenta com o conteúdo de nitrogênio; os valores encontrados para o gap variaram entre 1,9 e 5,3 eV. Uma transição brusca semicondutor ® isolante ocorre a uma certa composição, devido a perda de conectividade entre os átomos de sílicio. Com o tratamento térmico verificamos que o hidrogênio evolui das amostras, levando a uma diminuição do gap e contração dos filmes. Dois parâmetros de desordem foram analisados, em função da composição e da temperatura de recozimento. Os parâmetros apresentaram comportamento diverso, revelando que a desordem se manifesta sob diferentes aspectos, no material estudado / Abstract: The silicon-nitrogen-hydrogen amorphous alloy was prepared as thin films by the Reactive Radio-Frequency Sputtering process. The preparation conditions were changed to obtain samples with different compositions: the nitrogen to silicon atomic content radio the films varied between 0 to ~2. By means of optical transmission spectroscopy in visiblenear ultraviolet and infrared ranges we determined the absorption coefficient, reflective index, thickness, optical gap and bond densities. The bond densities allowed us to estimate the composition of the samples, which was compared with photoemission results. It has been observed that the optical gap increases with the nitrogen content; the values for the gap varied between 1.9 and 5.3 eV. An abrupt semiconductor ® insulator transmition takes place at a certain composition, due to the loss of silicon atoms conectivity. We verified that the hydrogen evolution from samples during annealing decreases the optical gap and contracts the films. Two disorder parameters were analysed, as function of compositions and anneling temperature. The parameters showed diverse behaviors, revealing that disorder manifests in different way in this material / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Ivan Chambouleyron / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T14:26:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Constantino_Cesar_D.pdf: 1573780 bytes, checksum: 2f844cbc8dd475b9254a9a7a2902983d (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Estudam-se filmes finos semicondutores de óxido de estanho, silício amorfo hidrogenado e nitretos de silício amorfo hidrogenado, para aplicações fotovoltaicas. O óxido de estanho preparado pelo método de spray químico a temperaturas baixas (275 ºC) conserva boa transparência e alta condutividade (devida principalmente à incorporação de cloro) que o fazem adequado às aplicações como camada anti-refletora e eletrodo transparente. Os nitretos de silício são obtidos com gap óptico variável entre 1.8 e 2.2 eV e podem ser eficientemente dopados do tipo p, sendo indicados como material "de janela" em estruturas pin. Foram fabricadas células tipo Schottky, utilizando as junções paládio-silício amorfo e óxido de estanho-silício amorfo. A interface Sn02/a-Si:H apresenta reduzida velocidade de recombinação superficial para os portadores foto-gerados, mas uma altura de barreira menor que a estrutura Pd/a-Si:H. Obteve-se uma eficiência de conversão de 0.46% que se acredita estar limitada essencialmente pelas impurezas no material / Abstract: We study tin oxide, hydrogenated amorphous silicon and hydrogenated amorphous silicon nitride thin semiconductor films for photovoltaic applications. Highly conductive and transparent tin oxide films were prepared by the chemical spray method at a temperature as low as 275 ºC. Off stoichiometric silicon nitride intrinsic and boron doped films with variable nitrogen content (Eg = 1.8 - 2.2 eV) were prepared. They can be used as window material in photovoltaic devices. Pd-amorphous silicon and SnO2-amorphous silicon Schottky-type solar cells were made. The SnO2/a-Si:H interface presents a reduced surface recombination velocity and a lower barrier height. A conversion efficiency of 0.46% was obtained for the Pd/a-Si:H structure which appears to be limited by impurities in the material / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Iris C. L. de Torriani / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T21:15:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fantini_MarciaCarvalhodeAbreu_D.pdf: 7232482 bytes, checksum: 5b52d680c668a52d6e944deb202a161c (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Filmes finos de dióxido de estanho dopado com flúor foram produzidos pelo método convencional de vaporização sobre substrato de vidro Corning 7059. As propriedades óticas elétricas dos filmes foram determinadas como função da temperatura de substrato (200 - 490ºC) e da concentração de dopante na solução básica de vaporização. A transmitância no visível e infravermelho próximo, como também a resistividade elétrica dos filmes decresceu com o aumento da concentração do flúor. As melhores propriedades eletro-óticas (transmitância média de 75% resistividade elétrica de 10-3 Wcm) foram obtidas para 250ºC £ Ts £ 350ºC e concentrações de flúor na solução de vaporização em torno de 2 at.% F: Sn. A textura superficial dos filmes foi investigada por microscopia ótica e eletrônica de varredura. A concentração de flúor nas amostras foi investigada por SIMS (Secondary Ions Mass Spectroscopy), AES (Auger Electron Spectroscopy) and ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis). A análise por difratometria de raios X mostrou que os filmes depositados com Ts ³ 250ºC são policristalinos. Observou-se uma mudança sistemática das linhas de difração de raios X como função da concentração de flúor. Foram realizados cálculos teóricos dos fatores de estrutura associados à rede do SnO2 introduzindo-se átomos de flúor em posições substitucionais e intersticiais. A presença do dopante não intencional Cl foi também investigada e seu papel nos filmes de SnO2 : F sugerido / Abstract: Thin films of tin dioxide doped with fluorine were produced by the conventional spraying method using 7059 Corning Glass substrates. The electrical and optical properties of these films were determined as a function of the substrate temperature(200 - 450ºC) and dopant concentration in the basic spraying solution. The visible and near infrared transmittance, as well as the electrical resistivity of the films decreased with the increase in fluorine concentration. The best electro-optical properties (an average transmittance of 75% and an electrical resistivity of 10-3 Wcm) were achieved for 250ºC £ Ts £ 350ºC and fluorine concentration in the spraying solution of around 2 at.% F:Sn. The films surface texture was investigated by scanning electron microscopy and optical microscopy. Fluorine content of the samples was investigated. by SIMS (Secondary Ions Mass Spectroscopy), AES (Auger Electron Spectroscopy and ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis). The x-ray diffractometric analyses showed that the films deposited at Ts ³ 250ºC are polycrystalline. A systematic chance in the intensity of the diffraction lines as a function of the fluorine content was observed. Theoretical calculations of the structure associated to the SnO2 lattice introducing fluorine atoms in substitutional and interstitial positions were performed. The presence of the non intentional dopant Cl was also investigated and its role in SnO2: F films suggested. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

FLORES, Marcelo Zimmer Sampaio. De aminoácidos a proteínas: medidas e cálculos ab initio de propriedades estruturais e eletrônicas de polimorfos cristalinos de glicina e a interação entre Clorotetraciclina e o receptor TetR. 2007. 177 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2007. / Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2015-05-22T19:22:59Z No. of bitstreams: 1 2007_dis_mzsflores.pdf: 4749510 bytes, checksum: 0ada420da845c9ace064350064c1dd59 (MD5) / Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2015-05-22T20:04:12Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2007_dis_mzsflores.pdf: 4749510 bytes, checksum: 0ada420da845c9ace064350064c1dd59 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-05-22T20:04:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2007_dis_mzsflores.pdf: 4749510 bytes, checksum: 0ada420da845c9ace064350064c1dd59 (MD5) Previous issue date: 2007 / Glicina é o mais simples dos aminoácidos protéicos existentes e o único não quiral, tendo como cadeia lateral um átomo de hidrogênio. Na forma gasosa, ela se apresenta em forma não-iônica, enquanto que em solução ou cristal, ela assume uma forma iônica chamada de zwitterion. Embora em termos moleculares não exista L- ou D-glicina, ela apresenta grande versatilidade em sua forma cristalina, ocorrendo em várias fases polimórficas, dentre as quais as três principais são: ?-, ?- ou ?-glicina, contendo respectivamente quatro, duas e três moléculas por célula unitária. Na presente dissertação, foram realizados cálculos de primeiros princípios baseados na aproximação do gradiente generalizado da teoria do funcional da densidade (DFT-GGA) usando o funcional PBE para as seguintes formas de tratamento dos elétrons de caroço: todos os elétrons (TE), pseudopotenciais ultramacios e pseudopotenciais de norma conservada (NC). Critérios elevados de convergência foram adotados e os resultados estruturais obtidos coincidem satisfatoriamente com os resultados experimentais e teóricos existentes na literatura. A estabilidade cristalina foi estudada tanto pela energia por molécula, quanto pela análise populacional de Mulliken e energias de ligação dos elétrons de caroço. Foi obtida a seqüência ?>?>?, onde ? é o polimorfo mais estável, em detrimento da ordem de estabilidade obtida experimentalmente (?>?>?). Essa discordância, entretanto está em acordo com o já obtido por Chisholm et. al. (J. A. Chisholm et. al., Crystal Growth & Design 5(4), 1437, 2005). A absorção ótica foi calculada, e mostrou que o cristal de ?-glicina apresenta uma menor dependência com a polarização da radiação incidente que os outros polimorfos estudados. Todos os polimorfos apresentaram gaps indiretos na estrutura de banda. Além das simulações teóricas, foram feitas medidas de absorção ótica e espectroscopia de fotoelétron de raios-X (XPS) apenas em cristais de ?-glicina crescidos através do método de evaporação lenta de solvente. Da absorção, foi obtido um gap de energia de 5,11 ± 0.02 eV, enquanto que do XPS foram obtidas as energias de ligação dos elétrons em orbitais profundos para os átomos de C, N e O. Além disso, a análise do XPS detectou a presença de cloro e sódio, em baixas concentrações. A interpretação dos resultados experimentais foi feita comparando com os resultados obtidos teoricamente pelos três métdos descritos acima. A absorção calculada apresenta grande dependência com a polarização da radiação incidente, devido ao arranjo espacial das moléculas de glicina que cria uma resultante dipolar na direção 100. O XPS foi interpretado analisando as densidades parciais de estados eletrônicos obtidas através dos cálculos com TE, além da comparação entre os níveis de orbitais 1s para os átomos não hidrogênio. Nesse caso, a diferença entre os resultados experimentais e os teóricos foi inferior a 5%. Medidas de luminescência foram feitas em cristais de ?-glicina com temperaturas variando de 4 K a 300 K. Cálculos baseados na teoria do funcional da densidade dependente do tempo foram realizados e permitiram o assinalamento do pico em 3,4 eV no espectro de luminescência como sendo uma assinatura molecular. Por fim, como aplicação, foram calculadas as energias de interação do antibiótico Tetraciclina (Tc) com os resíduos de aminoácidos pertencentes ao sítio de ligação da proteína repressora Tet responsiva à Tc (TetR). Tc são uma família de antibióticos de largo espectro que exibem atividade contra um grande número de bactérias gram-positiva e gram-negativa. As energias de interação foram computadas para todos os resíduos da TetR (aminoácidos do sítio de ligação) interagentes com a Tc, a partir das posições atômicas obtidas experimentalmente e disponibilizadas no Protein Data Bank sob a identificação 2TCT. Os cálculos de energia foram realizados através da teoria do funcional da densidade com a aproximação do gradiente generalizado (DFT-GGA) em conjunto com o funcional híbrido de correlação e troca proposto por Becke-Lee-Yang-Parr (BLYP). Foi usado o conjunto de base numérica dupla com polarização (DNP) com um raio orbital de corte de 4,9 Å. Os resultados obtidos são coerentes com os já propostos, a menos de uma discrepância na interação entre a Met177 e a tetraciclina, que está muito mais intensa que a esperada. Apesar disso, os resultados sugerem que a metodologia empregada possa ser utilizada em outros sistemas, além de sugerir quais modificações na estrutura da Tc podem ser feitas de forma a potencializar a ação antibiótica.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:32:10Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2012-03-28Bitstream added on 2014-06-13T19:21:28Z : No. of bitstreams: 1 monteiro_aa_dr_ilha.pdf: 1046450 bytes, checksum: 560e13ad3cb62b69f71f9251e2750311 (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) / Neste trabalho de doutoramento é proposto um novo modelo estrutural que explica satisfatoriamente como a estrutura dos vidros do sistema Li2O-TeO2-WO3 responde a estímulos ópticos e elétricos. Esse modelo afirma que a estrutura vítrea é formada basicamente por uma rede composta por poliedros TeO4 na fase α-TeO2 e por ilhas estruturais, as quais são compostas por poliedros TeO4 nas fases α-TeO2 e γ-TeO2 e por pirâmides trigonais O=TeO2. Contudo, dependendo da composição da amostra a estrutura dessas ilhas também pode conter os poliedros: O=WO2, O=WO5 e/ou 2[O=WO5]. Estas são as responsáveis pelas características excepcionais dos teluritos (por exemplo, altos índices de refração) devido sua alta polarizabilidade contribuir com a hiperpolarizabilidade de toda amostra. Os vidros do sistema 80TeO2-(20-x)Li2O-xWO3 para x = 0, 5, 10, 15 e 20 % mol, foram pesquisados por meio das seguintes técnicas experimentais: espectroscopia no infravermelho com transformada de Fourier, espalhamento Raman, espectroscopia de absorção no ultravioleta – visível, difração de raios – X, z-scan, além disso, obteve-se o índice de refração linear na região do visível e na região espectral de teraHertz. A técnica de espectroscopia em teraHertz possibilitou obter os espectros de absorção dessas amostras vítreas os quais mostraram que essa é uma região de alta absorção e como previsto pelo modelo alta magnitude do índice de refração / This doctoral study proposes a new structural model of the glass system Li2O-TeO2-WO3 which satisfactorily explains how the structure responds to optical and electrical stimuli. This model says that the glass structure is basically formed by a network of polyhedral TeO4 in α- TeO2 phase and by clusters which are composed of polyhedra TeO4 in both α- TeO2 and γ-TeO2 phases and by the trigonal pyramids O=TeO2. However, depending on the composition of the sample the structure of the cluster may also contain the polyhedra, O=WO2, O = WO5 and / or 2[O=WO5]. The clusters are responsible for the exceptional characteristics of tellurite (eg, high refractive index) due to its high polarizability sustain the hyperpolarizability of the whole sample. The glass system 80TeO2-(20-x) Li2O-xWO3 for x = 0, 5, 10, 15 and 20 mol%, were studied by the following experimental techniques: infrared spectroscopy, Raman spectroscopy, absorption spectroscopy in the ultraviolet – visible, X-ray diffraction, z-scan, in addition, we obtained the linear refractive index in the visible and in the teraHertz range. The teraHertz spectroscopy technique allowed to obtain the absorption spectra of these samples which showed that this is a region of high absorption and high magnitudes of the refractive index as predicted by the model

Orientador: Keizo Yukimitu / Banca: Eudes Borges de Araujo / Banca: Ségio Carlos Zilio / Banca: Mauro Luciano Baesso / Banca: Sidney José Lima Ribeiro / Resumo: Neste trabalho de doutoramento é proposto um novo modelo estrutural que explica satisfatoriamente como a estrutura dos vidros do sistema Li2O-TeO2-WO3 responde a estímulos ópticos e elétricos. Esse modelo afirma que a estrutura vítrea é formada basicamente por uma rede composta por poliedros TeO4 na fase α-TeO2 e por ilhas estruturais, as quais são compostas por poliedros TeO4 nas fases α-TeO2 e γ-TeO2 e por pirâmides trigonais O=TeO2. Contudo, dependendo da composição da amostra a estrutura dessas ilhas também pode conter os poliedros: O=WO2, O=WO5 e/ou 2[O=WO5]. Estas são as responsáveis pelas características excepcionais dos teluritos (por exemplo, altos índices de refração) devido sua alta polarizabilidade contribuir com a hiperpolarizabilidade de toda amostra. Os vidros do sistema 80TeO2-(20-x)Li2O-xWO3 para x = 0, 5, 10, 15 e 20 % mol, foram pesquisados por meio das seguintes técnicas experimentais: espectroscopia no infravermelho com transformada de Fourier, espalhamento Raman, espectroscopia de absorção no ultravioleta - visível, difração de raios - X, z-scan, além disso, obteve-se o índice de refração linear na região do visível e na região espectral de teraHertz. A técnica de espectroscopia em teraHertz possibilitou obter os espectros de absorção dessas amostras vítreas os quais mostraram que essa é uma região de alta absorção e como previsto pelo modelo alta magnitude do índice de refração / Abstract: This doctoral study proposes a new structural model of the glass system Li2O-TeO2-WO3 which satisfactorily explains how the structure responds to optical and electrical stimuli. This model says that the glass structure is basically formed by a network of polyhedral TeO4 in α- TeO2 phase and by clusters which are composed of polyhedra TeO4 in both α- TeO2 and γ-TeO2 phases and by the trigonal pyramids O=TeO2. However, depending on the composition of the sample the structure of the cluster may also contain the polyhedra, O=WO2, O = WO5 and / or 2[O=WO5]. The clusters are responsible for the exceptional characteristics of tellurite (eg, high refractive index) due to its high polarizability sustain the hyperpolarizability of the whole sample. The glass system 80TeO2-(20-x) Li2O-xWO3 for x = 0, 5, 10, 15 and 20 mol%, were studied by the following experimental techniques: infrared spectroscopy, Raman spectroscopy, absorption spectroscopy in the ultraviolet - visible, X-ray diffraction, z-scan, in addition, we obtained the linear refractive index in the visible and in the teraHertz range. The teraHertz spectroscopy technique allowed to obtain the absorption spectra of these samples which showed that this is a region of high absorption and high magnitudes of the refractive index as predicted by the model / Doutor

Orientador: Fernando Iikawa / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-24T15:54:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ToginhoFilho_DarideOliveira_M.pdf: 2011912 bytes, checksum: 0453c59bd0c444da625e18329fbf0e5b (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: Este trabalho é a primeira parte do projeto de construção de sistemas de gás de elétrons ou buracos livres de baixa dimensionalidade em semicondutores utilizando a técnica de passivação por hidrogênio. Foi feito um estudo sistematizado da hidrogenação em camadas epitaxiais de Inp:Zn. A introdução de hidrogênio foi feita pela exposição da amostra em plasma de hidrogênio criado em um reator de placas paralelas. Foi realizado o trabalho detalhado para obtenção da melhor condição de passivação de Zn em InP .A caracterização das amostras hidrogenadas foi feita por C V - eletroquímico e fotoluminescência em baixa temperatura. A redução da concentração de portadores livres, o coeficiente de difusão de H+ e outros resultados da hidrogenação estão de acordo com os dados encontrados na literatura. Estendemos o trabalho também para o estudo de efeitos da passivação de hidrogênio nos espectros óticos. As características apresentadas pela recombinação doador-aceitador envolvendo o doador Zn intersticial sugerem que as camadas epitaxiais de Inp:Zn apresentam forte modulação no perfil de potencial. Esta modulação é atribuída anão homogeneidade da distribuição de impurezas e a compensação do material devido a presença do doador profundo Zn. Os dados de PL obtidos para amostras após a passivação não são compatíveis com o modelo padrão da recombinação doador-aceitador. Os resultados experimentais também sugerem que o Zn intersticial é passivado e ainda que o valor estimado para a energia de ligação do estado doador profundo é da ordem de 20 meV / Abstract: This work is the first part of a project for the fabrication of low-dirnensional free carrier systems in semiconductors using hydrogen passivation. We present a systematic study of hydrogenation in InP:Zn epitaxiallayers. The para11el plate reactor was used to create a hydrogen plasma for hydrogenation of semiconductors. Zn passivation by hydrogen in lnP was studied in detail in order to obtain optimized condition. Characterization of hydrogenated samples was performed using CV -electrochemical and low temperature photoluminescence techniques. The reduction of carrier concentration, diffusion coefficient of H+ in InP:Zn, and other results related to hydrogenation are in agreement with reported results. We also studied in detail the effect of passivation in optical spectra. The behavior of donor-acceptor recombination involving interstitial Zn suggests a strong modulation of the potential profile. This is consider to be a consequence of the non-homogeneity of the impurity distribution and a strong compensation of the material due to the presence of Zn in deep donor state. The standart model for donor-acceptor recombination is not compatible with the results obtained in passivated samples. The experimental data also suggest that the interstitial Zn is passivated and the resulting binding energy of the deep donor is estimated to be approximately 20 me V / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Carlos Henrique de Brito Cruz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T09:39:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_ValeriaLoureiroda_M.pdf: 3530989 bytes, checksum: fb86135bf40c2cda8dff4330b0b3802c (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: Este trabalho tem como objetivo a construção e estudo de uma chave óptica a semicondutor. Esta chave pode ser usada tanto para gerar pulsos curtos no infravermelho como para estudar o próprio semicondutor. O tempo de resposta da. chave depende das características do semicondutor e do laser usado para controle. Apresentamos aqui os resultados obtidos com uma chave de Ge controlada por laser de N2, NdYag e corante. O tempo de resposta obtido foi de 50 ns, limitado pelo tempo de recombinação do Ge. Obtivemos um aumento na refletividade, em 10,6 mm no Ge, de 7% para 59% quando usamos o laser de N2 para controlar a chave. Apresentamos também um modelo simples para o comportamento das propriedades ópticas do semicondutor que explica bastante bem os resultados encontrados experimentalmente / Abstract: In this work we have studied a semiconductor optical switch. Its main use Is in the generation of short infrared pulses but it can also be used to study the semiconductor. The switch response time depends on the semiconductor and on the control laser characteristics. We show the results obtained using a Ge switch controlled by N2, NdYag and Dye lasers. The response time was 50ns limited by the Ge recombination time. The reflectivity increased from 7% to 59% when we use a N2 laser to control the switch. We als show a simple model for the semiconductor optical properties that explain very well the experimental results / Mestrado / Física / Mestre em Física