Avec pour objectifs la modélisation des mécanismes de croissance par transport en phase gazeuse et l'influence du vecteur gravité sur l'anisotropie et la cinétique de croissance, des expériences ont été préparées et réalisées sur terre, en microgravité et en hypergravité. Les matériaux choisis sont le ternaire Pb0,8Sn0,2Te par transport physique et le binaire GaAS sur des demi-billes orientées de GaAs par transport chimique.<br />Une étude thermodynamique des différentes pressions partielles des éléments présents dans la phase gazeuse a été réalisée. La diffraction de Läue en retour et la microscopie électronique nous ont permis d'identifier les facettes de GaAs et leurs épaisseurs. Par spectroscopie RAMAN, nous avons mis en évidence des gradients de concentration en fonction de g du dopant Sn dans les couches déposées de GaAs.<br />Une modélisation numérique des écoulements basée sur une méthode spectrale de tye Tau - Chebyshev a été effectuée.