Orientador: Volia L. Crivelenti / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-21T23:10:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Inoki_CarlosKazuo_M.pdf: 4778701 bytes, checksum: bf6f9005961622c02bed9be7c86bcc1f (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Medidas ópticas e de raios-x foram feitas em diversas superredes tencionadas de InxGa1-xAs/GaAs para diferentes composições da liga. Uma das superredes foi selecionada para o estudo por Espalhamento Raman Ressonante induzido por pressão. A condição de ressonância foi obtida por meio de sintonia da energia de gap do material com energia da luz espalhada. Dois máximos foram observados tanto na seção de choque de LO como na de 2LO. Estas ressonâncias correspondem a energia da primeira transição na barreira e no poço, respectivamente. Como os estados eletrônicos de ambas as camadas constituintes produzem ressonância com o mesmo fônon, este não pode estar confinado em nenhuma destas camadas. O efeito de tripla ressonância resulta em máximos bastante pronunciados no perfil ressonante de 2LO. No sentido de determinar a superrede para a qual a condição de tripla ressonância ocorre, foi feita uma caracterização prévia das amostras. Esta caracterização incluiu medidas de fotorefletância e a análise em termos de campos elétricos intrínsecos. Os resultados forneceram as energias de buraco-pesado e de buraco-leve, que eram de nosso interesse. Um cálculo destes níveis foi realizado simultaneamente. Um dos parâmetros para este cálculo era a tensão em cada uma das camadas constituintes. A tensão foi medida utilizando resultados de fotorefletância na região de energia E1 e E1 + D1 do GaAs. Este método e particularmente útil para superredes de InxGa1-xAs/GaAs / Abstract: Optical and x-ray measuremnts were performed on several InxGa1-xAs/GaAs strained-layer superlattices. One of the superlattices was selected for pressure-induced Resonant Raman Scattering studies. The resonance conditions were attained by tuning the energy gaps of the material to the scattered light energy. Two resonant enhancements were observed for either the LO or the 2LO cross section. These enhancement correspond to the first transition energies in the barrier and well, respectively. As electronic states of both constituent layers produce resonance with the same phonon, it cannot be confined in either of these layers. Triple resonance conditions yielded well defined maxima in the 2LO profile. In order to determine the superlattice for which the triple resonance conditions held, we performed a previous characterization of the samples. This characterization included phoreflectance measurements and analisis in terms of built-in fields. The results delivered the heavy-hole and light-hole energies of our interest. A calculation of these levels were performed simultaneously. One of the parameters in thi8 calculations was the strain in each constituent layer. The strains were measured in the E1, E1 + D1, energy region of GaAs. This determination is particularly affective for InxGa1-xAs/GaAs superlattices / Mestrado / Física / Mestre em Física