Dissertação (mestrado) - Universidade de São Paulo. Instituto de Fisica / Made available in DSpace on 2013-07-15T20:36:11Z (GMT). No. of bitstreams: 0

Orientador: Munemasa Machida / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica / Made available in DSpace on 2018-08-17T06:39:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Honda_RobertoYzumi_D.pdf: 9267783 bytes, checksum: 563205a683b568ce104a7c336bbfba39 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Este trabalho objetivou a caracterização tanto da máquina TCI-UNICAMP quanto do plasma produzido na configuração de campo reverso (C.C.R.) nela formada e para tal vários sistemas de diagnósticos foram implementados quais sejam: Sondas magnéticas, sonda de fluxo excluído, espectros copia no visível, copos de Faraday, sonda de pressão (piezoelétrica) e fotografias ultrarápidas (IMACON). Os resultados das medidas foram testados e analisados à luz dos modelos teóricos e semiempíricos existentes. Para a correta operação da máquina TCI-UNICAMP, houve a necessidade de se desenvolver chaves especiais, confiáveis quanto à precisão no instante de fechamento ( "jitter") e durabilidade, construídas com materiais existentes no mercado nacional e capazes de controlar altas correntes e tensões presentes em experimentos como este ( 300kA-30kV). Foram projetadas e construídas chaves do tipo "distorção de campo" tanto para partida como para o "crowbar" das descargas dos bancos de capacitores (principal e pré-ionização) com um bom resultado, tanto no seu desempenho quanto na versatilidade dos ajustes dos seus eletrodos e na sua manutenção. A utilização do "crowbar" na descarga da pré-ionização do TCI-UNICAMP é inédita em máquinas como esta e possibilitou uma otimização da pré-ionização, no que tange à não perturbação da descarga principal. Foi realizado um estudo sistemático do "crowbar" do banco principal e sua operacionalidade alcançada. A caracterização eletromagnética do TCI-UNICAMP foi realizada com a utilização de sondas magnéticas múltiplas para descargas em vácuo e do arranjo denominado sonda de fluxo excluído para o estudo da dinâmica da C.C.R. .Foram também determinados vários outros parâmetros como o raio da separatriz, e os importantes parâmetros para a utilização dos modelos e leis de escala, B. e E., os campos de "Green e Newton", apresentados no capítulo V. Foi realizada ainda a medida da variação temporal da temperatura iônica através da espectroscopia no visível, com o OMA no modo pulsado, registrando os espectros das linhas de impurezas do CIII e CIV , para uma pressão de operação de lOmTorr de hidrogênio. Foram obtidas temperaturas no intervalo entre 70 e 200 eV através da medida do alargamento Doppler e uma estimativa da densidade eletrônica de 1015cm-3 através da medida do alargamento "Stark" da linha do íon NII ( À = 4674,9 angstrons). Observou-se a dinâmica da fuga das partículas pelas extremidades do TC1- UNICAMP utilizando-se um sistema de analisadores multicanal do tipo copo de Faradaye a velocidade média das partículas em fuga de (1,0 x 1O7cm/seg) foi determinada através da medida do tempo de vôo com um copo de Faraday simples. Este último diagnóstico foi confirmado por outro método, utilizando a sonda de pressão ,cujo resultado indica uma velocidade média de escape de (9,1 x 1O6cm/ seg) Os resultados da IMACON revelaram um novo modo de operação da máquina com a predominância do modo rotacional n = 4 utilizando se uma determinada temporização dos chaveamentos dos bancos de capacitores. A análise do conjunto dos dados como um todo sugere que a predominância do modo n = 4 está associada à contração axial da C.C.R., com uma velocidade comparável à velocidade de implosão radial. Em termos de metodologia na análise dos dados, desenvolveu-se a análise de fases relativas entre os dados de sondas magnéticas localizadas em posições espaciais diferentes numa mesma descarga, que se revelou bastante sensível à dinâmica do plasma formado (C.C.R.). Este método é sem dúvida extremamente importante na caracterização experimental de um plasma confinado magnéticamente, onde ocorrem processos de difusão tanto de campos como de particulas. A fase é potencialmente muito rica em informaçôes sobre o plasma que e um meio bastante dinâmico. Estendeu-se o método da análise das fases relativa para os raios da separatriz em diferentes posições axiais para uma mesma descarga, revelando o movimento axial da C.C.R. (contração axial). De um modo geral foi possível realizar uma detalhada caracterização da C.C.R. no TCI-UNICAMP procurando se a melhor otimização da sua descarga. / Abstract: The study of field reversed configuration (FRC) formation, caracterization and optimization in TCI-UNICAMP machine has been performed in detail in this work using the following diagnostic systems: internal multi - array excluded flux 10- ops,visible spectroscopy with OMA, multichannel Faraday Cup, piezoelectric pressure probe, and fast image converter camera. The experimental results from the machine have been analyzed and compared with existing theoretical and semi-empirical models. A low jitter, trustful high volt age and current (30 kV - 300 kA) field distortion start and crowbar switches have been developed using locally available materiaIs. These switches which possess external gap adjustable capability, have shown very good performance and easy maintenance during this work. The use of crowbar switch on the pre-ionization bank discharge is unique, and this arrangement has resulted in a very precise optmization of the preionization stage, besides negligible interference of its oscillation on main discharge phase. The electromagnetic caracterization of the TCI-UNICAMP device has been carried out by the use of multi-array internal magnetic probes in the absence of working gas, whereas a multi-array excluded flux diagnostics has been used to study FRC behavior of hydrogen plasma created on the device by obtaining parameters like separatriz radius and < j3> as well as B. , E. (Green - Newton fields). A visible pectrometer coupled with OMA system in pulsed mode has been used to measure time variation of ion temperature, mainly using CIII and CIV impurity lines, at 10 mtorr working pressure.The ion temperatures of 70 to 200 eV have been obtained by Doppler broadening of spectral lines, whereas the electron density of 1.0 X 1015cm-3 has been estimated by Stark broadening of NII ion line ( 4674,9AO). By the use of multi-channel Faraday Cup measurements, end-loss from TCl- UNICAMP machine has been mapped out and an average particle loss velocity of 1.0 X 107 cm/s has been measured by time of flight method using single Faraday Cup. This loss velocity value has also been confirmed by the use of a piezoelectric pressure probe which indicated 9,1 x 106 em/s. The results from IMACON measurements has revealed a new kind of machine operation, with predominance of n=4 rotational mode within certain capacitor banks diseharge timings. The analysis of n=4 mode has been done by the use of all available diagnosties and it was shown to be related to the FRC axial eontraction phenomena with a speed eomparable to radial implosion veloeity. A new method of data proeessing has been developed using relative phase analysis of signals from many local and one loop magnetie probes distributed in poloidal and axial positions.This method has shown to be very sensitive to the FRC dynamie movements, and by the analysis of separatriz radius relative phase in different axial positions, many important informations about FRC axial eontraction has been obtained for the first time in our TC1-UNICAMP maehine. / Doutorado / Semicondutores, Instrumentos e Fotônica / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Fernando Iikawa / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Watagin / Made available in DSpace on 2018-07-23T03:23:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Abbade_MarceloLuisFrancisco_M.pdf: 953476 bytes, checksum: edf6ffafdcada1366617108564a3f2e8 (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Realizamos um estudo das propriedades ópticas de uma estrutura tipo HEMT de um poço quântico de GaAs/InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs com dopagem modulada. Neste estudo, utilizamos técnicas de medidas de espectroscopia de fotoluminescência, fotoluminescência de excitação, magnetoluminescência e de magnetotransporte. As amostras são altamente dopadas resultando em alta densidade bidimensional de elétrons. Os dados obtidos com a técnica de Shubnikov-de-Haas apresentam oscilações que são características de um sistema de gás bidimensional. O ponto principal discutido neste trabalho é sobre a observação experimental de transições indiretas nos espectros de fotoluminescência. Estas transições envolvem os estados eletrônicos do poço de potencial criado na barreira de AIGaAs, devido a dopagem planar, e o estado fundamental do buraco pesado do poço de InGaAs. Esta observação é sustentada pelos resultados do cálculo auto-consistente obtido das soluções das equações acopladas de Schrodinger e de Poisson / Abstract: We report a study on optical properties of a GaAs/ InGaAs/ AIGaAs modulation doped quantum well HEMT structure. In this study we performed photoluminescence, photoluminescence excitation, magnetoluminescence and magnetotransport measurements. The analyzed samples were highly doped in order to provide a high bidimensional electron gas density. In fact, Shubnikov-de-Haas data exhibited oscillations that are typical of a bidimensional electron gas system. The main point of this work is the discussion about the experimental observation of indirect transitions in the photoluminescence spectra. Such transitions involve electronic states in the AIGaAs barrier well, created by the planar doping, and the ground heavy hole state in the InGaAs quantum well. This observation is supported by the self-consistent calculation results of Poisson and Schfodinger coupled equations / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Marcio Alberto Araujo Pudenzi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T03:52:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Vicentin_FlavioCesar_M.pdf: 1784095 bytes, checksum: 811f8d06d4680c9642c22d857a17482b (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Este trabalho trata da caracterização elétrica de dispositivos formados por um semicondutor orgânico (3,4,9,10 perilenetetracarboxílico dianidrido - PTCDA) sobre semicondutores inorgânicos (Si, GaAs, InP e InGaAs) através de medidas de corrente versus tensão (IxV) e capacitância versus tensão (CxV). Com as medidas IxV analisamos a teoria de transporte de cargas desenvolvida para estes dispositivos e com as medidas CxV determinamos o perfil de portadores dos semicondutores inorgânicos usados. Estudamos também com estes dispositivos, heteroestruturas de Ga1-xAlxAs/Ga1-yAlyAs determinando a descontinuidade da banda de condução e a densidade de cargas na interface para três diferentes concentrações de alumínio. Os resultados obtidos mostram a aplicabilidade e reprodutibilidade destes dispositivos na análise de semicondutores inorgânicos / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Luiz E. Oliveira / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T22:25:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Weber_Gerald_D.pdf: 1787138 bytes, checksum: d486210b1f4a126169f200ec1ef78123 (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Calculamos, utilizando um formalismo variacional, as energias de ligação de estados de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras dentro da aproximação da massa efetiva. Em um primeiro caso estudamos os estados de doadores ionizados em Ge sob pressão uniaxial na direção [111] .Calculamos também, para poços quânticos, o efeito de um campo elétrico longitudinal sobre as densidades de estados de impureza e espectros de absorção ótica associado a impurezas. Para fios de poços quânticos estudamos as densidades de estados de impureza e analisamos o efeito de levarmos em consideração uma função dielétrica com dependência espacial. Apresentamos ainda, para fios de poços quânticos, espectros de absorção ótica associada a transições entre a sub-banda de valência e a banda de doadores / Abstract: We calculate, using a variational formalism, the binding energies of shallow impurity states in semiconductors and semiconductor heterostructures in the effective mass approximation. In a first case we study ionized donor states in Ge under an uniaxial stress in the [111] direction. We calculate also, for quantum wells, the effect of a longitudinal electric field on the density of impurity states and optical absorption spectra associated to impurities. For quantum well wires we study the density of impurity states and analyze the effects when a dielectric function with spatial dependence is taken into account. We present also, for quantum well wires, optical absorption spectra associated to transitions between the valence subband and the donor band / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Paulo Motisuke / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T22:20:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bernussi_AyrtonAndre_D.pdf: 2618126 bytes, checksum: ec33f7a5b682d3eb19acdd5c4e13d7ae (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Este trabalho apresenta um estudo detalhado, por fotorefletância, de camadas de GaAs com dopagem planar de silício. As amostras foram crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular com diferentes concentrações de Si e diferentes espessuras da camada de topo. As estruturas observadas nos espectros de fotorefletância, que estão localizadas acima do "gap" fundamental do GaAs. foram atribuídas às transições envolvendo estados contínuos 3D na banda-de-valência e estados quânticos confinados 2D na banda-de-condução. Realizamos um cálculo sistemático e auto-consistente, na aproximação de Hartree, para verificar os efeitos das concentrações de Si dopante, das impurezas residuais de aceitadores, da difusão de doadores e da temperatura na energia e na ocupação de elétrons nas diferentes sub-bandas. As energias das transições inter-bandas observadas nos espectros de fotorefletância, para amostras de GaAs crescidas com diferentes concentrações de Si, mostraram uma concordância qualitativa com as energias calculadas. A temperatura exerce uma forte influência no sistema "d-doping" , modificando o potencial da confinamento eletrostático e, consequentemente, as energias das sub-bandas. Espectros de fotorefletância, obtidos em função da temperatura, mostram uma variação abrupta na posição de energia das estruturas observadas acima do "gap" do GaAs. Isto pode ser explicado pelo modelo teórico e está associado ao deslocamento do pico principal da absorção, devido ao cruzamento do nível de Fermi com as sub-bandas, em k=0. Em várias amostras analisadas, foram observadas estruturas oscilatórias que são atribuídas às oscilações de Franz-Keldysh. O período destas oscilações depende fortemente da espessura da camada de topo, onde o campo elétrico depende das condições da superfície da amostra e do perfil de potencial do "d-doping". Em alguns casos, o comportamento destas oscilações com a temperatura é bastante diferente daquele observado em camadas simples de GaAs (sem dopagem delta), sugerindo uma possível relação entre as oscilações de Franz-Keldysh e a estrutura "d-doping". Analisamos também neste trabalho, os espectros de fotorefletância de uma amostra de GaAs contendo uma estrutura periódica de dopagem planar. Analogamente ao caso do "d-doping" simples, as estruturas observadas acima do "gap" do GaAs foram associados à transições do tipo 2D ® 3D, porém neste caso os estados confinados estão localizados na banda-de-valência e os contínuos na banda-de-condução / Abstract: In this work we present a detailed study of photoreflectance measurements on silicon d-doped GaAs samples. These samples were grown by molecular-beam epitaxy technique. With different silicon concentration and cap layer thickness. The features, observed in the photoreflectance spectra above the GaAs fundamental energy gap, are attributed to transitions involving 3D continuous states at the valence band and 2D quantum-confined states at the conduction band. We performed a systematic self-consistent calculation, in the Hartree approximation of the subband energies and its occupancies, in the delta potential well, as a function of silicon concentration and residual acceptor concentration, spreading of dopants and temperature. The observed inter-band transitions, in the samples grown with different dopant concentration, are in qualitative agreement with the calculated ones. The temperature has a strong effect in the d-doping system, modifying the electrostatic confinement potential well and, consequently, the subband energies. Photoreflectance spectra taken at increasing temperatures show an abrupt change in the position of the above band gap features. This can be well explained by a theoretical model, being associated with the shift of the absorption main peak to the lower subband, due to the crossing of the Fermi level. The photoreflectance spectra of several samples presented oscillatory structures in the above band gap region. Due to the Franz-Keldysh effect. The period of these oscillations depends strongly on the cap layer thickness, where the built in electric field depends on the conditions of the samples surface and on the d-doping potential well. The temperature dependence of these oscillations, in some cases, are very different from that observed in bulk of GaAs, suggesting a possible relation between the observed Franz-Keldysh oscillations and the d-doping structure. We also investigated the photoreflectance spectra of a periodically d-doping GaAs sample. Differently, with the single d-doping, the observed transitions above the gap involve continuos states in the conduction band and quantum-confined states in the valence band / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: R. Luzzi / Tese (doutorado) Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T15:48:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Reis_FabioGoncalvesdos_D.pdf: 1285611 bytes, checksum: 3c89f393487bb14936809b38b2bd8bfd (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: Este trabalho visa fundamentalmente o estudo da fase saturada em semicondutores em termos de um formalismo de quasi-partrculas. Para isto, começamos apresentando no parágrafo 1.1 a evolução dos fenômenos relacionados à excitação em semicondutores, no qual situamos a fase em estudo. A seguir, nos parágrafos ( 1.2 ) e ( 1.3 ) fazemos uma exposição teórica da formação dessa fase e introduzimos nesse formalismo a interação Coulombiana, tendo por objetivo analisar excitações de caráter coletivo no sistema., o que é feito no Cap.2. É mostrado que a característica fundamental do estado saturado está relacionado com o aparecimento de um gap em torno dos quasi-níveis de energia, que dependem da direção da luz incidente e do momento dos elétrons. O formalismo em termos de quasi-partículas é então montado e mostramos com isto que a fase saturada é uma fase estável. Com o intuito de entender os fenômenos termodinâmicos relacionados à fase satutada propomos no parágrafo ( 1.5 ) um cálculo de seu potencial termodinâmico. No Capítulo 2, levando em conta os efeitos de excitação coletiva, encontramos com a aproximação RPA a constante dielétrica da fase saturada. Como existe uma relação entre aparte Imaginária da constante dielétrica com a secção eficaz de espalhamento, pudemos obter uma confirmação da existência do gap, pois só haverá espalhamento quando a frequência é duas vezes o valor desse gap. No Capítulo 3 fazemos inicialmente uma revisão do efeito Josephson em supercondutores pelo método de pseudo-spin dado por Anderson e propomos uma generalização simples e direta para reobter os resultados dados por Josephson, quando mostrou a existência de uma super corrente numa função supercondutora. Estes resultados são adaptados em continuação para estudar a possibilidade de tunelamento em junção entre semi-condutor saturados / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Made available in DSpace on 2014-06-12T17:35:56Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo7049_1.pdf: 2780132 bytes, checksum: 4e6838d270f502c1df63302de5a741c2 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2005 / Os semicondutores orgânicos surgem como alternativa promissora aos materiais inorgânicos na tecnologia de fabricação de monitores de vídeo, viabilizando aplicações inovadoras. Vantagens tais como leveza, flexibilidade mecânica, variedade de cores e fácil processabilidade para produção em larga escala fizeram com que as telas orgânicas conquistassem seu espaço de destaque entre as demais tecnologias disponíveis atualmente. Nesse trabalho nós analisamos curvas I-V estáticas típicas de LEDs orgânicos (OLEDs), a unidade fundamental das telas orgânicas, com o objetivo de desenvolver ferramentas adequadas para análise desses dispositivos. Com isso, demonstramos que os OLEDs se comportam efetivamente como diodos Schottky do ponto de vista eletrônico. Dois métodos de Engenharia usualmente aplicados para análise de diodos Schottky inorgânicos são adaptados para avaliação de OLEDs e uma técnica de caracterização elétrica alternativa, a Espectroscopia de Impedância, confirma a validade das hipóteses adotadas. Na segunda parte da tese propomos um modelo original incluindo os efeitos da excitação luminosa no comportamento de dispositivos inorgânicos conhecidos como diodos de tunelamento ressonante (RTDs). Nosso modelo equaciona os efeitos de fotocondutividade e retenção de cargas, reconhecidamente responsáveis pelo deslocamento da curva I-V estática desses dispositivos quando sua estrutura é submetida à excitação óptica. Simulações computacionais demonstram que o modelo teórico é capaz de ajustar as curvas experimentais com boa precisão

Este trabalho consiste no estudo da neutralização de centros associados a níveis profundos em silício, através da introdução de hidrogênio atômico no sistema. Foi utilizado o modelo de aglomerado molecular com saturação dos orbitais de superfície pela esfera de Watson dentro do formalismo do método do Espalhamento Múltiplo-X. Estudamos inicialmente as impurezas isoladas substitucionais: Si:l=lu, Si:l=lg e Si:Cu, com intuito de observarmos os efeitos causados pela introdução dos hidrogênios atômicos. Os complexos estudados envolvem quatro átomos de hidrogênio situados nos primeiros interstícios tetraédricos ao centro CSi:l=luH,, Si:l=lgH, e Si:CuH,) . Para investigar a passivação, fizemos cálculos auto consistentes para várias configurações atômicas. Em cada configuração os 4 átomos de hidrogênio foram deslocados simetricamente em torno da impureza substitucional. Para cada nova configuração, os sistemas foram também estudados nos estados de carga negativo e positivo, que representamos por CSi:XH,)- e CSi:XH,)o. O modelo microscópico proposto mostrou-se apropriado para explicar os mecanismos da neutralização de defeitos profundos em semicondutores. / In this work we study the neutralization of deep level impurities in silicon by introducing atomic hydrogen in the system. The calculations were carried out by using the Mulliple Scattering-X~ theory within the framework of lhe Watson-sphere-terminated molecular cluster model. We studied lhe substitutional isolated impurities: Si:l=lu, effects of the Si:l=lg and Si:Cu in order to investigate the incorporation of atomic hydrogen. The clusters comprise 16 silicon aloms at the regular lattice sites and 4 hydrogen atoms, at the tet rahedral interstitial sites which surrounds the impurity placed al cluster (5i:l=luH4 , Si:l=lgH4 and Si:CuH4 ). In order to investigate carry out self-consistent calculations configurations. In each configuration the center o f t h e the passivation we for various atomic the f ou r hydrogen atoms were displaced symmetrically CTd) around the substitutional impurities. The systems positive charge states. were analysed This microscopic mo de l was in negative and suitable in explaining the neutralization mechanism of deep Level induced by a substitutional impurities in semiconductors.

Neste trabalho iremos apresentar a teoria autoconsistente k. p aplicada a heteroestruturas dopadas tipo-p que resolve a Hamiltoniana 6 x 6 de Luttinger-Kohn, generalizada para tratar diferentes materiais, juntamente com a equação de Poisson na representação de ondas planas. A generalização do termo de energia cinética é inserido explicitamente na Hamiltoniana de Luttinger-Kohn levando em conta os efeitos de diferentes materiais, através da inclusão de conjuntos distintos de parâmetros de Luttinger e considerando os elementos adicionais na matriz, da Hamiltoniana de Luttinger-Kohn e que não aparecem naquela para homoestruturas. O método é aplicado ao estudo pioneiro da estrutura de sub-bandas e minibandas de valência de heteroestruturas com dopagem tipo-p envolvendo semicondutores nitretos do grupo-III cúbicos. Heteroestruturas de compostos III-V derivados do GaAs também são estudadas, com o objetivo principal de testar o método generalizado e sua implementação no programa. Especificamente, iremos obter soluções auto consistentes da equação da massa efetiva de multibandas e da equação de Poisson para poços quânticos e super-redes de AlxGa1-xN/GaN e GaN/InxGal-xN na fase cúbica, bem como para heteroestruturas de GaAs/lnxGal-xAs e AlxGa1-xAs/GaAs, variando a concentração de aceitadores, o perfil de dopagem, o período da super-rede e a composição da liga x. Os efeitos de troca-correlação, dentro da aproximação da densidade local, são levados em conta para o gás de buracos bidimensional formado dentro do poço. Analisaremos os efeitos na banda de valência das heteroestruturas quando consideramos diferentes parâmetros de Luttinger (associados a materiais distintos). Mostraremos que para descrever corretamente os sistemas envolvendo nitretos é fundamental incluir a banda de split-ojJ, os efeitos de tensão devidos ao descasamento de parâmetros de rede e os efeitos de troca-correlação. Iremos verificar que quando utilizamos um conjunto de parâmetros adequados que especificam a heteroestrutura, podemos obter uma densidade alta de gás de buracos bidimensional, particularmente para os sistemas de poços quânticos e super-redes baseados nos nitretos. Apresentaremos também comparações de nossos resultados com dados experimentais obtidos de fotoluminescência para sistemas de GaN/InxGal_xN e de fotoluminescência e absorção para AlxGal-xAs/InxGal-xAs observando um bom acordo e mostrando que este trabalho serve como um guia para futuras experiências. / In this work we present a self-consistent k p theory of p-doped semiconductor heterostructures whích solves the full six-band Luttinger-Kohn Hamiltonian, generalized to treat different materials, in conjunction with the Poisson equation in a plane-wave representation. The generalization of the kinetic energy term is performed by taking into account explicitly in the Luttinger-Kohn Hamiltonian the effects of different materials through the inclusion of distinct sets of Luttinger parameters and by considering the corresponding additional Luttinger-Kohn matrix elements, not present in the one-material based homostructures. The method is applied to the pioneering study of the valence sub-bands and minibands structures of p-type doped heterostructures involving cubic nítride semiconductors of the group-III. Heterostructures of I III-V compounds derived from GaAs are also studied, with the main aím of testing the generalized method and its implementation in the programo Self-consistent solutions of the multiband effectivemass-Poisson equations are obtained for several AlxGa1-xN/GaN and GaN/InxGa1-xN quantum wells and superlattices in the cubic phase, as well as for GaAs/InxGa1-xAs and AlxGa1-xAs/GaAs heterostructures, in which acceptor doping concentration and its profile, SL period, and the alloy content x are varied. Exchange-correlation effects within the formed two-dimensional hole gas are taken into account in the local density approximation. The role played by the use of different Luttinger parameters (associated with the distinct materials) in the hole bands of the heterostructures is analyzed. The inclusion of the spin-orbit split-off band and strain, as well as the exchange-correlation effects are shown to be fundamental for the correct description of the systems. Particularly for the nitride-derived quantum wells and superlattices, it is shown that high-density twodimensional hole gases can be formed if adequate design parameters are employed. We also compare our results with the experimental data obtained from photoluminescence spectra for the GaN/InxGa1-xN and photoluminescence and absorption spectra for the AlxGal-xAs/InxGal-xAs, observing a good agreement and showing that this work can be used as a guide for future experiments.