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Semicondutor saturado

Orientador: R. Luzzi / Tese (doutorado) Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T15:48:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Reis_FabioGoncalvesdos_D.pdf: 1285611 bytes, checksum: 3c89f393487bb14936809b38b2bd8bfd (MD5)
Previous issue date: 1979 / Resumo: Este trabalho visa fundamentalmente o estudo da fase saturada em semicondutores em termos de um formalismo de quasi-partrculas. Para isto, começamos apresentando no parágrafo 1.1 a evolução dos fenômenos relacionados à excitação em semicondutores, no qual situamos a fase em estudo. A seguir, nos parágrafos ( 1.2 ) e ( 1.3 ) fazemos uma exposição teórica da formação dessa fase e introduzimos nesse formalismo a interação Coulombiana, tendo por objetivo analisar excitações de caráter coletivo no sistema., o que é feito no Cap.2. É mostrado que a característica fundamental do estado saturado está relacionado com o aparecimento de um gap em torno dos quasi-níveis de energia, que dependem da direção da luz incidente e do momento dos elétrons.
O formalismo em termos de quasi-partículas é então montado e mostramos com isto que a fase saturada é uma fase estável.
Com o intuito de entender os fenômenos termodinâmicos relacionados à fase satutada propomos no parágrafo ( 1.5 ) um cálculo de seu potencial termodinâmico.
No Capítulo 2, levando em conta os efeitos de excitação coletiva, encontramos com a aproximação RPA a constante dielétrica da fase saturada. Como existe uma relação entre aparte Imaginária da constante dielétrica com a secção eficaz de espalhamento, pudemos obter uma confirmação da existência do gap, pois só haverá espalhamento quando a frequência é duas vezes o valor desse gap.
No Capítulo 3 fazemos inicialmente uma revisão do efeito Josephson em supercondutores pelo método de pseudo-spin dado por Anderson e propomos uma generalização simples e direta para reobter os resultados dados por Josephson, quando mostrou a existência de uma super corrente numa função supercondutora.
Estes resultados são adaptados em continuação para estudar a possibilidade de tunelamento em junção entre semi-condutor saturados / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/277130
Date21 July 1979
CreatorsReis, Fabio Gonçalves dos, 1945-
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Luzzi, Roberto, 1936-
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Format104 f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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