Disertacijoje nagrinėjamos įvairios galimybės panaudoti feromagnetinių oksidų – manganitų sluoksnius bei jų darinius naujų spintronikos prietaisų gaminimui. Šio darbo pagrindiniu tyrimo objektu pasirinktos sandūros, sudarytos tarp dvivalenčiais (Ca, Ba, Sr) ir keturvalenčiais (Ce) jonais legiruotų lantano mangano oksidų plonųjų sluoksnių, o taip pat tarp manganitų ir elektroninio laidumo SrTiO3<Nb> (STON) bei n - Si padėklų. Darbe pateiktas išsamus minėtų manganitų sluoksnių ir jų darinių gaminimo magnetroninio dulkinimo ir impulsinio lazerinio garinimo būdais aprašymas. Disertacijoje pateikti plonųjų manganitų sluoksnių, užaugintų ant skirtingų padėklų, kristalinės struktūros bei paviršiaus kokybės tyrimo duomenys, aprašytas magnetiniu lauku valdomų diodinių darinių formavimas, jų elektrinių bei magnetinių savybių tyrimai, įvertinti svarbiausi atskirų manganitų sluoksnių bei jų diodinių darinių elektrofiziniai parametrai. Atlikus kompleksinius keturvalenčiais Ce4+ jonais legiruotų lantano manganito sluoksnių kristalinės sandaros bei elektrinių savybių tyrimus nustatyta, kad šie sluoksniai pasižymi ne elektroniniu, kaip buvo skelbta anksčiau, o skyliniu elektriniu laidumu. Skylinis junginio elektrinis laidumas paaiškintas nežymiu šalutinės CeO2 fazės ir katijonų vakansijų susidarymu auginamuose sluoksniuose. Pateikti Ca, Ba, Sr ir Ce jonais legiruotų manganitų įvairialyčių darinių palyginamieji tyrimai, įvertinta padėklo įtaką kristalinės manganitų sandaros tobulumui... [toliau žr. visą tekstą] / In this dissertation application of the lanthanum manganite films and their heterostructures for fabrication of new spintronic devices is discussed. The main subjects of this work are the junctions between lanthanum manganite oxide thin films doped by divalent (Ca, Ba, Sr) and tetravalent (Ce) ions as well heterojunctions formed between lanthanum manganites and n-type SrTiO3<Nb> (STON) or n - Si substrates. The influence of doping and substrate influence on crystalline quality of manganite film structures, interface roughness as well as their electrical and magnetic properties has been estimated in this dissertation. After performing complex investigations it has been determined that tetravalent Ce ion doped lanthanum manganite films have not the electron but hole-type conductivity on the contrary to that has been reported earlier. Forming of magnetic filed dependent “manganite / (STON, n - Si)“ diode structures has been described, comparative studies of electrical and magnetic properties have been presented, and major electro-physical parameters have been estimated in this work. Possible reasons of the origin of positive and negative magnetoresistance have been pointed out. In addition, structural stabilization problems of BiFeO3 compound, exhibiting at the same time magnetic as well as ferroelectric properties and possibilities of application of its unique properties in various lanthanum manganite structures for the development of new magnetic and electrical filed... [to full text]

In this dissertation application of the lanthanum manganite films and their heterostructures for fabrication of new spintronic devices is discussed. The main subjects of this work are the junctions between lanthanum manganite oxide thin films doped by divalent (Ca, Ba, Sr) and tetravalent (Ce) ions as well heterojunctions formed between lanthanum manganites and n-type SrTiO3<Nb> (STON) or n - Si substrates. The influence of doping and substrate influence on crystalline quality of manganite film structures, interface roughness as well as their electrical and magnetic properties has been estimated in this dissertation. After performing complex investigations it has been determined that tetravalent Ce ion doped lanthanum manganite films have not the electron but hole-type conductivity on the contrary to that has been reported earlier. Forming of magnetic filed dependent “manganite / (STON, n - Si)“ diode structures has been described, comparative studies of electrical and magnetic properties have been presented, and major electro-physical parameters have been estimated in this work. Possible reasons of the origin of positive and negative magnetoresistance have been pointed out. In addition, structural stabilization problems of BiFeO3 compound, exhibiting at the same time magnetic as well as ferroelectric properties and possibilities of application of its unique properties in various lanthanum manganite structures for the development of new magnetic and electrical filed... [to full text] / Disertacijoje nagrinėjamos įvairios galimybės panaudoti feromagnetinių oksidų – manganitų sluoksnius bei jų darinius naujų spintronikos prietaisų gaminimui. Šio darbo pagrindiniu tyrimo objektu pasirinktos sandūros, sudarytos tarp dvivalenčiais (Ca, Ba, Sr) ir keturvalenčiais (Ce) jonais legiruotų lantano mangano oksidų plonųjų sluoksnių, o taip pat tarp manganitų ir elektroninio laidumo SrTiO3<Nb> (STON) bei n - Si padėklų. Darbe pateiktas išsamus minėtų manganitų sluoksnių ir jų darinių gaminimo magnetroninio dulkinimo ir impulsinio lazerinio garinimo būdais aprašymas. Disertacijoje pateikti plonųjų manganitų sluoksnių, užaugintų ant skirtingų padėklų, kristalinės struktūros bei paviršiaus kokybės tyrimo duomenys, aprašytas magnetiniu lauku valdomų diodinių darinių formavimas, jų elektrinių bei magnetinių savybių tyrimai, įvertinti svarbiausi atskirų manganitų sluoksnių bei jų diodinių darinių elektrofiziniai parametrai. Atlikus kompleksinius keturvalenčiais Ce4+ jonais legiruotų lantano manganito sluoksnių kristalinės sandaros bei elektrinių savybių tyrimus nustatyta, kad šie sluoksniai pasižymi ne elektroniniu, kaip buvo skelbta anksčiau, o skyliniu elektriniu laidumu. Skylinis junginio elektrinis laidumas paaiškintas nežymiu šalutinės CeO2 fazės ir katijonų vakansijų susidarymu auginamuose sluoksniuose. Pateikti Ca, Ba, Sr ir Ce jonais legiruotų manganitų įvairialyčių darinių palyginamieji tyrimai, įvertinta padėklo įtaką kristalinės manganitų sandaros tobulumui... [toliau žr. visą tekstą]