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ETUDE DES PROPRIETES STRUCTURALES, ELECTRONIQUES ET OPTIQUES DES SEMI-CONDUCTEURS DE TYPE A N B 8 N ET DE LEURS ALLIAGES /Zaoui, Ali. Certier, Michel. January 1999 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : PHYSIQUE : Metz : 1999. / 1999METZ043S. 167 ref.
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Etude des défauts d'irradiation par mesure in situ de l'effet Hall dans les semi-conducteurs à faible largeur de bande interdite /Favre, Jacques. January 1991 (has links)
Th. doct.--Physique--Palaiseau--Ecole polytechnique, 1989. / Résumé en anglais. Bibliogr. p. 187-194.
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Utilisation des lasers pulsés pour la mesure de la durée de vie des porteurs dans les dispositifs au silicium : exploitation de photo-réponses électriques _ Toulouse : Impr. Univ. P. Sabatier, [s-d.Benzohra, Mohammed, Unknown Date (has links)
Th. Électronique phys.--Toulouse 3, 1980. N°: 965.
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Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorésDhellemmes, Sébastien Mollot, Francis. Wallart, Xavier January 2007 (has links)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Sciences des Matériaux : Lille 1 : 2006. / N° d'ordre (Lille 1) : 3821. Résumé en français et en anglais. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Bibliogr. à la suite de chaque chapitre.
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Contribution à l'étude de l'émission laser dans des semi-conducteurs II-VI à grande bande interdite, ZnTe et MgZnTe.Roussel, Claude, January 1900 (has links)
Th.--Sci.--Grenoble--I.N.P.G., 1984. N°: DE 163.
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