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Transfert de chaleur à échelles de temps et d'espace ultra-courtes simulation numérique pour des nanofils et nanofilms de semiconducteur /Terris, Damian Joulain, Karl. Lemonnier, Denis January 2008 (has links) (PDF)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Energie, Thermique, combustion : Poitiers : 2008. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. 121 réf.
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Couplage fort entre plasmons de surface et excitons de semiconducteur organiqueBonnand, Clément Bellessa, Joël January 2006 (has links) (PDF)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Physique : Lyon 1 : 2006. / Titre provenant de l'écran titre. 131 réf. bibliogr.
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Effet de l'irradiation par des particules alpha sur l'arséniure de galliumSellami, Lamia. January 2000 (has links)
Thèses (M.Sc.)--Université de Sherbrooke (Canada), 2000. / Titre de l'écran-titre (visionné le 20 juin 2006). Publié aussi en version papier.
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Dynamique des amplificateurs optiques à semi-conducteurs massifs /Soto Ortiz, Horacio. January 1996 (has links)
Th. doct.--Electronique et communications--Paris--ENST, 1996. / Bibliogr. p. 8-21. Notes bibliogr.
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Influence des dislocations sur la conductivité du tellure.Farvacque, Jean-Louis, January 1900 (has links)
Th.--Sci. phys.--Lille 1, 1977. N°: 375.
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Étude des polyimides en vue de leur utilisation pour circuits multicouches et pour la protection localisée des circuits intégrés.Benalla, Hocine, January 1900 (has links)
Th. doct.-ing.--Génie électrique--Toulouse--I.N.P., 1984. N°: 355.
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Contribution à l'étude des phénomènes de transport en régime sinusoïdal dans les structures M.I.S. et les jonctions P-N.Rakotondrazafy, Charles, January 1900 (has links)
Th.--Électronique--Toulouse--I.N.P., 1984. N°: 87.
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Diffusion piézoélectrique des porteurs libres par les dislocations à-vis du tellure.Estienne, Jean-Pierre, January 1900 (has links)
Th. 3e cycle--Phys. des matér.--Lille 1, 1979. N°: 770.
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Étude des gradateurs triphasés et d'autres convertisseurs alternatif-alternatif fonctionnant en commutation naturelle.Rombaut, Christian, January 1900 (has links)
Th.--Sci. phys.--Lille 1, 1979. N°: 460.
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Phénomènes de relaxation des porteurs libres dans le silicum de types p et n : contribution des transitions interbandes à la conductivité du p-Si dans le domaine des ondes millimétriques et de l'infrarouge lointain.Vindevoghel, Jean, January 1900 (has links)
Th.--Sci. phys.--Lille 1, 1980. N°: 504.
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