Orientador: Carlos Alberto Ribeiro / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-18T01:06:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Weber_Gerald_M.pdf: 2570623 bytes, checksum: 9b9097e75704a7628c067f9849b4541a (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Simulamos a corrente induzida por feixe eletrônico para um diodo e um laser de heteroestrutura dupla pela técnica de simulação Monte Carlo. Obtemos pelo método Monte Carlo uma distribuição de energia caraterística com a qual calculamos a produção e difusão dos portadores minoritários e a sua coleção pela junção. Desta forma é possível estimar o comprimento de difusão nos dispositivos. A ferramenta produzida possibilita uma nova abordagem dos fenômenos caraterísticos nos dispositivos semicondutores analisados por um microscópio eletrônico de varredura / Abstract: We simulate the electron beam induced current for a diode and a double heterostructure laser with a Monte Carlo simulation technique. We obtain by this simulation 'method¿ a characteristic energy distribution by which we calculate minority carrier production, diffusion and collection al the junction. By this way it is possible to us to make an estimative for the carrier diffusion length in semiconductor devices analyzed by a scanning electron microscope / Mestrado / Física / Mestre em Física