Orientador: Milton Abramovich / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T14:02:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sanjurjo_NeusaLopes_M.pdf: 2771659 bytes, checksum: f58c74d38d6c95d5afd218b978c89a15 (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: Neste trabalho foi feita uma célula mica com semicondutores tipo n de SrTiO3 e os resultados foram interpretados. Os cristais de SrTiO3 foram dopados em atmosfera de Hidrogênio com tempo e temperatura controlados. Obtivemos para as 4 diferentes dopagens as seguintes curvas: corrente versus tensão, resposta espectral e eficiência versus comprimento de onda. Os resultados obtidos usando o modelo de barreira Schottky estão de acordo com rimentais. Algumas sugestões são apresentadas para outros estudos / Abstract: In this work a photoelectrochemical cell has been done using n - SrTiO3 semiconductors and the results were interpreted. The SrTiO3 crystals were dopped in Hydrogen atmosphere with the control of time and temperature. For 4 different doping conditions we obtained thefollowing curves: current versus voltage, spectral response and efficiency versus wavelenght. The results obtained using the Schottky barrier model are in a good agreement with the experimental data. Some suggestions for other studies are presented. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T06:28:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Shibli_SuhailaMaluf_M.pdf: 1730456 bytes, checksum: 236889982997f1f6d1e8857742abd887 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: A liga quaternária semicondutora InGaAsP vem sendo utilizada na fabricação de dispositivos optoeletrônicos, os quais requerem um alto grau de controle quanto às suas características. Para isto, é necessário determinar certos parâmetros deste material. Informações sobre o número e mobilidade dos portadores, energia do nível de impurezas e mecanismos de condução, entre outras, são obtidas medindo-se a resistividade e o efeito Hall em função da temperatura. O presente trabalho consta de dois objetivos principais: a) Montagem e operação de equipamento para medidas de efeito Hall e resistividade em função da temperatura usando líquidos criogênicos. b) Análise dos resultados através de cálculos computacionais / Abstract: The quaternary alloy InGaAsP has been used in the fabrication of optoelectronic devices which require high degrees of control as far as their properties are concerned. Thus, it becomes necessary to determine some of its characteristic parameters. Information about the number and mobility of carriers, impurity energy level and conduction mechanisms, among others, are yielded by resistivity and Hall Effect measurements as a function of temperature. The present work has two main goals: a) Setting up and dealing with the proper experimental arrangements for such measurements using cryogenic liquids. b) Analyzing experimental results using computational calculations / Mestrado / Física / Mestre em Física