<p>Devices that can process more information in reduced dimensions are essential for an increasingly information- and efficiency-driven future. To this end, nanocomposites are promising due to their inherent multifunctional properties and special behavior at the nanoscale. Vertically aligned nanocomposites (VANs) are particularly interesting because of their ability to self-assemble into anisotropic nanostructures and high density of heterointerfaces – characteristics which introduce unique functionalities and offer exciting new avenues for device applications. However, a vast majority of VAN systems are currently fabricated on single-crystal oxide substrates, which may be cost-prohibitive at large scales and are generally incompatible with the prevalent device fabrication techniques. Thus, integration of VAN thin films on silicon becomes a critical step toward implementing VANs in a well-established semiconductor manufacturing industry. </p> <p>In this dissertation, the viability of oxide-metal and nitride-metal VAN thin films integrated on silicon substrates has been demonstrated through a set of unique buffer layer designs. For the first three systems presented in this dissertation, namely, LaSrFeO₄-Fe, BaTiO₃-Au, and BaTiO₃-Fe, microstructural and physical property (i.e. electrical, magnetic, and optical) analyses confirm their successful epitaxial growth on silicon, with only minor differences compared to their counterparts grown on single-crystal oxide substrates. For the fourth system, a new and robust TiN-Fe VAN has been proposed and demonstrated. The new TiN-Fe VAN system on Si exhibits superior magnetic properties and unusual optical properties. With further growth optimization and/or patterning techniques, VAN thin film integration on silicon presents itself as a feasible and cost-effective approach to designing electronic, spintronic, photonic, and sensing devices.</p>

Le Titano-Zirconate de Plomb, ou PZT est un matériau piézoélectrique présentant de très bonnes performances pour l'actionnement des microsystèmes. Dans ce travail de thèse, nous nous proposons de répondre à la problématique de l'intégration du PZT par dépôt sol-gel. Dans une première partie, nous présenterons l'état de l'art des MEMS piézoélectriques et du PZT. Dans une seconde partie, nous montrerons comment obtenir des couches minces de PZT orientées (100) et (1111) de façon homogène, pour une des épaisseurs de 100 nm à 2µm. Dans une troisième partie, nous comparerons les propriétés ferroélectriques et piézoélectriques des films, en fonction de l'orientation. Pour l'orientation (100), nous avons pu mesurer un coefficient d31 supérieur à -150 pm/V et un coefficient e31,f de -16 C/m2. Pour l'orientation (111), nous avons mesuré un d31 de -100 pm/V et un e31,f de -14 C/m2. Pour expliquer les différences observées, nous avons également abordé le problème du blocage des parois de domaines. Dans une quatrième partie, nous présentons la fabrication et la caractérisation d'un interrupteur MEMS radiofréquences packagé et stabilisé en température fonctionnant à basse tension. A l'état bloqué, il présente une isolation de -44 dB à 2 GHz. A l'état passant, il présente des pertes d'insertion de -0.74 dB à 2 GHz. Dans cette partie, nous présentons également l'intégration d'une jauge de contraintes dans un actionneur piézoélectrique. Dans la dernière partie, nous présentons l'intégration de nos procédés dans des membranes sans dégradation des performances. Une étude préliminaire de fiabilité est également menée. Le mécanisme conduisant à la dégradation de nos composants est lié au vieillissement du matériau, ce qui montre que notre procédé de dépôt est maitrisé de façon homogène sur des substrats 200 mm. / PZT is a piezoelectric material which exhibits very good performances for microsystems actuation. In this work, the problem of sol-gel deposited PZT integration is discussed. First, state of the art of piezoelectric MEMS and PZT is presented. Then, the fabrication of homogeneous (100) and (111) oriented PZT thin films is presented. Layers thicknesses are comprised between 100 nm and 2 µm. Thirdly, ferroelectric and piezoelectric properties of the two oriented thin films are compared. For (100) oriented films, the d31 piezoelectric coefficient was greater than -150 pm/V and the e31,f reaches -16 C/m2. For (111) oriented films, the d31 and e31,f reach -100 pm/V and -14 C/m2 respectively. To explain observed differences, domain walls pinning was studied. Next, fabrication and characterization of a low voltage, fully packaged and thermally stabilized RF MEMS piezoelectric switch is presented. At the off-state, the switch isolation is -44 dB at 2 GHz. At the on-state, insertion losses are -0.74 dB at 2 GHz. The integration of a metallic gauge in a piezoelectric cantilever is also presented. Finally, developed processes are integrated in membranes fabrication without any degradation. A preliminary reliability study is presented. The fail mechanism of our components is an aging mechanism. This shows that our sol-gel deposition process is well-controlled on 8 inches wafers.