Esse trabalho apresenta um estudo sobre os efeitos de radiação em circuitos analógicos de baixa e ultra baixa potência e tensão, identificando as fragilidades destes circuitos (e das respectivas técnicas de projeto) quando aplicados em ambientes radioativos, como, por exemplo, os circuitos em satélites, e em equipamentos de instalações nucleares. Foram realizados estudos de caso, via simulação elétrica utilizando o software HSPICE, considerando os efeitos de degradação elétrica correspondentes a doses de radiação acumulada de até 500krad(Si), além de eventos singulares considerando circuitos de baixa tensão e potência projetados para a tecnologia IBM (GF) de 130nm. Pôde-se observar que o uso de transistores de óxido mais fino, apesar de afetar negativamente o consumo estático, é recomendado para as aplicações estudadas, devido a menor sensibilidade à radiação. Ainda, foi discutido o aumento dos caminhos de fuga de corrente devido ao uso de layout distribuído. Possibilidades e estratégias de mitigação foram discutidas. Por fim, obteve-se um conjunto de sugestões e informações para auxiliar o projetista de circuitos de baixo consumo a obter soluções robustas à radiação. / This work studies the radiation effects in low-power and ultra-low power analog circuits, identifying the fragility of such circuits (and associated design techniques) when employed in radioactive environments, as for example, in satellites and nuclear facilities. Case studies were carried out using HSPICE software for electrical simulation of cumulative radiation effects, corresponding to doses up to 500krad(Si), as well as for single events simulation. We showed that, the use of thin oxide (core) MOSFETS, though increasing the static consumption, is recommended for the studied applications, because they are less sensitive to radiation. Then, we discussed the increase of current leakage paths by the distributed layout style. Mitigation strategies were also discussed. Finally, we obtained a set of suggestions and information to guide the designers of low power analog circuits towards obtaining radiation robust solutions.

Esse trabalho apresenta um estudo sobre os efeitos de radiação em circuitos analógicos de baixa e ultra baixa potência e tensão, identificando as fragilidades destes circuitos (e das respectivas técnicas de projeto) quando aplicados em ambientes radioativos, como, por exemplo, os circuitos em satélites, e em equipamentos de instalações nucleares. Foram realizados estudos de caso, via simulação elétrica utilizando o software HSPICE, considerando os efeitos de degradação elétrica correspondentes a doses de radiação acumulada de até 500krad(Si), além de eventos singulares considerando circuitos de baixa tensão e potência projetados para a tecnologia IBM (GF) de 130nm. Pôde-se observar que o uso de transistores de óxido mais fino, apesar de afetar negativamente o consumo estático, é recomendado para as aplicações estudadas, devido a menor sensibilidade à radiação. Ainda, foi discutido o aumento dos caminhos de fuga de corrente devido ao uso de layout distribuído. Possibilidades e estratégias de mitigação foram discutidas. Por fim, obteve-se um conjunto de sugestões e informações para auxiliar o projetista de circuitos de baixo consumo a obter soluções robustas à radiação. / This work studies the radiation effects in low-power and ultra-low power analog circuits, identifying the fragility of such circuits (and associated design techniques) when employed in radioactive environments, as for example, in satellites and nuclear facilities. Case studies were carried out using HSPICE software for electrical simulation of cumulative radiation effects, corresponding to doses up to 500krad(Si), as well as for single events simulation. We showed that, the use of thin oxide (core) MOSFETS, though increasing the static consumption, is recommended for the studied applications, because they are less sensitive to radiation. Then, we discussed the increase of current leakage paths by the distributed layout style. Mitigation strategies were also discussed. Finally, we obtained a set of suggestions and information to guide the designers of low power analog circuits towards obtaining radiation robust solutions.

Diferente do projeto de sistemas digitais, no qual as técnicas de projeto e ferramentas CAD vêm apresentando uma crescente evolução acompanhada da redução de seus preços, o projeto de sistemas analógicos CMOS ainda apresenta uma forte correlação com a experiência do projetista. Dentro deste contexto, importantes fatores como caracterização de tecnologia, modelamento de dispositivos e metodologia de projeto devem ser considerados. Este trabalho apresenta um estudo destes importantes fatores necessários para se realizar o projeto de um sistema analógico com menor custo, bom desempenho e reduzido tempo de projeto. Primeiramente, é necessária uma extensa caracterização da tecnologia CMOS a ser usada, onde os parâmetros que descrevem as caracteristicas elétricas dos dispositivos são obtidos. A partir desta caracterização e das especificações requeridas para o circuito, é feita uma modelagem e sintese a fim de se obter as dimensões dos transistores. Ferramentas para a análise do desempenho elétrico são utilizadas a seguir, antes de se realizar a descrição geométrica (layout) do circuito. Com o layout pronto, uma nova simulação elétrica é feita incluindo os efeitos geométricos, incluindo-se os parasitas R, C e L extraídos do layout. Se os resultados forem satisfatórios, o circuito está pronto para fabricação; havendo degradação do desempenho esperado, uma nova iteração de projeto é realizada. Mais especificamente, este trabalho ilustra o processo de análise de vários circuitos analógicos, assim como as caracteristicas de cada circuito em questão, empregando diferentes metodologias de projeto. Uma metodologia de projeto convencional, baseada em modelos onde se obtém uma equação explícita para a corrente válida na região de operação de saturação do transistor, e uma metodologia de projeto baseada na caracteristica g,/ID do transistor, que apresenta uma sintese unificada, considerando todas as regiões de operação do transistor MOS. Os circuitos a serem analisados e projetados neste trabalho são blocos considerados básicos para construção da maioria dos sistemas analógicos usados atualmente, como, por exemplo, Moduladores Sigma-Delta. Tais blocos são amplificadores, comparadores e filtros analógicos. A metodologia de projeto, baseada em parâmetros do modelo elétrico, é apresentada, enfatizando a caracteristica ~,/ID do transistor. Simulações elétricas serão realizadas (esquemático e layout extraído) para cada bloco, validando-se o projeto para as especificações requeridas. / Design techniques and CAD tools for digital systems are advancing rapidly at decreasing cost, while CMOS analog circuit design is related mostly with the individual experience and background of the designer. Therefore, the design of an analog circuit depends on several factors such as a reliable design methodology, good modeling and circuit fabrication technology characterization. This work presents a study of these factors that allow an analog system to be designed with high quality and performance at low cost, in a reasonable design time. First, an extensive characterization of the technology must be developed, where a11 the parameters that describe the electrical properties of the device are obtained. When this task is complete, an extensive analysis and modeling is made, transforming specifications into circuits with the transistor dimensions calculated. This leads to another important task - using electrical simulation to predict the performance of the circuit. Once the performance goals are satisfied, the designer is faced with the task of geometrical description (layout) of the circuit. Once the layout is finished, it is necessary to include the geometrical effects in a post-extraction simulation. If the results are satisfactory, the circuit is ready for fabrication. In case the specifications are not met, new design iteration must be undertaken. Most of this work focuses on the analysis of several analog circuits, including their functionality, using different design methodologies. A "conventional" design methodology, based on the modeling where a current equation is obtained considering that the transistor is in the saturation region, and a design methodology based on the gm/ID characteristic, that allows a unified synthesis methodology in a11 regions of operation of the transistor. The analog circuits to be analyzed and designed in this work are basic building blocks (amplifiers, comparators and analog filters) that find vast applications today, including an application of interest - Sigma-Delta Modulators. The design methodology based on the g,,lI~ characteristic, and the electrical device parameters related to them, are exercised in this work. In order to demonstrate this analysis, electrical simulations (schematic and extracted layout) of performance will be obtained for each block.

Esse trabalho apresenta um estudo sobre os efeitos de radiação em circuitos analógicos de baixa e ultra baixa potência e tensão, identificando as fragilidades destes circuitos (e das respectivas técnicas de projeto) quando aplicados em ambientes radioativos, como, por exemplo, os circuitos em satélites, e em equipamentos de instalações nucleares. Foram realizados estudos de caso, via simulação elétrica utilizando o software HSPICE, considerando os efeitos de degradação elétrica correspondentes a doses de radiação acumulada de até 500krad(Si), além de eventos singulares considerando circuitos de baixa tensão e potência projetados para a tecnologia IBM (GF) de 130nm. Pôde-se observar que o uso de transistores de óxido mais fino, apesar de afetar negativamente o consumo estático, é recomendado para as aplicações estudadas, devido a menor sensibilidade à radiação. Ainda, foi discutido o aumento dos caminhos de fuga de corrente devido ao uso de layout distribuído. Possibilidades e estratégias de mitigação foram discutidas. Por fim, obteve-se um conjunto de sugestões e informações para auxiliar o projetista de circuitos de baixo consumo a obter soluções robustas à radiação. / This work studies the radiation effects in low-power and ultra-low power analog circuits, identifying the fragility of such circuits (and associated design techniques) when employed in radioactive environments, as for example, in satellites and nuclear facilities. Case studies were carried out using HSPICE software for electrical simulation of cumulative radiation effects, corresponding to doses up to 500krad(Si), as well as for single events simulation. We showed that, the use of thin oxide (core) MOSFETS, though increasing the static consumption, is recommended for the studied applications, because they are less sensitive to radiation. Then, we discussed the increase of current leakage paths by the distributed layout style. Mitigation strategies were also discussed. Finally, we obtained a set of suggestions and information to guide the designers of low power analog circuits towards obtaining radiation robust solutions.

TrapSimulator é uma ferramenta didática de simulação de corrente elétrica sob efeito do ruído Random Telegraph Noise, presente nos dispositivos eletrônicos semicondutores, mais precisamente em transistores de efeito de campo. Esta ferramenta possibilita a execução de simulações rápidas, de fácil visualização e usabilidade, isto porque, além de ser um software de código aberto, disponibilizado sob licença Gnu Generic Public License, é acessível através de um simples navegador de internet. Seu propósito principal é levar ao ambiente de sala de aula, uma forma de visualização do ruído no domínio do tempo e frequência, utilizando uma infraestrutura básica, presente na maioria das universidades. TrapSimulator implementa em seu algoritmo, métodos de simulação de um vetor que representa a corrente Id(t) sob efeito de ruído citado anteriormente. Este ruído é modelo conforme o conceito Trapping De-Trapping, o qual afirma que a causa da flutuação do nível de corrente é devida a captura e emissão de portadores por defeitos localizados no dielétrico dos transistores, próximo à interface entre este e o canal ativo do dispositivo. A motivação por executar este trabalho se dá pelo interesse em contribuir com o aprendizado de estudantes de graduação da área de Engenharia Elétrica e Eletrônica. Baseando-se numa metodologia empregada no ensino tecnológico, chamada de Aprendizagem Baseada em Projetos, este trabalho propõe um processo cognitivo mais atuante, priorizando a busca mais ativa pelo conhecimento. / TrapSimulator is a current simulation didactic tool under Random Telegraph Noise effect, present in electronic semiconductor devices, more precisely in field effect transistors. This tool makes it possible to perform fast, easy-to-view and usability simulations, because it is open source, made available under a Gnu Generic Public License, accessible through a simple web browser. Its main purpose is to take the classroom environment, a way of noise visualizing in the time and frequency domain, using a basic infrastructure, present in most universities. TrapSimulator implements in its algorithm, simulation methods that represents the ID(t) current vector under noise effect quoted above. Random Telegraph Noise is modeled according to the Trapping De-Trapping concept, which establishes that current level fluctuation is due to carriers capture and emission by defects located at dielectric region, next to active channel on semi-conductor devices. The work motivation is due to the desire to contribute to the undergraduate students learning in Electrical and Electronic Engineering area. Based on methodology used in technological teaching, called Project-Based Learning, this work proposes a cognitive process more directed to making hands on, the most active search for knowledge.

TrapSimulator é uma ferramenta didática de simulação de corrente elétrica sob efeito do ruído Random Telegraph Noise, presente nos dispositivos eletrônicos semicondutores, mais precisamente em transistores de efeito de campo. Esta ferramenta possibilita a execução de simulações rápidas, de fácil visualização e usabilidade, isto porque, além de ser um software de código aberto, disponibilizado sob licença Gnu Generic Public License, é acessível através de um simples navegador de internet. Seu propósito principal é levar ao ambiente de sala de aula, uma forma de visualização do ruído no domínio do tempo e frequência, utilizando uma infraestrutura básica, presente na maioria das universidades. TrapSimulator implementa em seu algoritmo, métodos de simulação de um vetor que representa a corrente Id(t) sob efeito de ruído citado anteriormente. Este ruído é modelo conforme o conceito Trapping De-Trapping, o qual afirma que a causa da flutuação do nível de corrente é devida a captura e emissão de portadores por defeitos localizados no dielétrico dos transistores, próximo à interface entre este e o canal ativo do dispositivo. A motivação por executar este trabalho se dá pelo interesse em contribuir com o aprendizado de estudantes de graduação da área de Engenharia Elétrica e Eletrônica. Baseando-se numa metodologia empregada no ensino tecnológico, chamada de Aprendizagem Baseada em Projetos, este trabalho propõe um processo cognitivo mais atuante, priorizando a busca mais ativa pelo conhecimento. / TrapSimulator is a current simulation didactic tool under Random Telegraph Noise effect, present in electronic semiconductor devices, more precisely in field effect transistors. This tool makes it possible to perform fast, easy-to-view and usability simulations, because it is open source, made available under a Gnu Generic Public License, accessible through a simple web browser. Its main purpose is to take the classroom environment, a way of noise visualizing in the time and frequency domain, using a basic infrastructure, present in most universities. TrapSimulator implements in its algorithm, simulation methods that represents the ID(t) current vector under noise effect quoted above. Random Telegraph Noise is modeled according to the Trapping De-Trapping concept, which establishes that current level fluctuation is due to carriers capture and emission by defects located at dielectric region, next to active channel on semi-conductor devices. The work motivation is due to the desire to contribute to the undergraduate students learning in Electrical and Electronic Engineering area. Based on methodology used in technological teaching, called Project-Based Learning, this work proposes a cognitive process more directed to making hands on, the most active search for knowledge.

Diferente do projeto de sistemas digitais, no qual as técnicas de projeto e ferramentas CAD vêm apresentando uma crescente evolução acompanhada da redução de seus preços, o projeto de sistemas analógicos CMOS ainda apresenta uma forte correlação com a experiência do projetista. Dentro deste contexto, importantes fatores como caracterização de tecnologia, modelamento de dispositivos e metodologia de projeto devem ser considerados. Este trabalho apresenta um estudo destes importantes fatores necessários para se realizar o projeto de um sistema analógico com menor custo, bom desempenho e reduzido tempo de projeto. Primeiramente, é necessária uma extensa caracterização da tecnologia CMOS a ser usada, onde os parâmetros que descrevem as caracteristicas elétricas dos dispositivos são obtidos. A partir desta caracterização e das especificações requeridas para o circuito, é feita uma modelagem e sintese a fim de se obter as dimensões dos transistores. Ferramentas para a análise do desempenho elétrico são utilizadas a seguir, antes de se realizar a descrição geométrica (layout) do circuito. Com o layout pronto, uma nova simulação elétrica é feita incluindo os efeitos geométricos, incluindo-se os parasitas R, C e L extraídos do layout. Se os resultados forem satisfatórios, o circuito está pronto para fabricação; havendo degradação do desempenho esperado, uma nova iteração de projeto é realizada. Mais especificamente, este trabalho ilustra o processo de análise de vários circuitos analógicos, assim como as caracteristicas de cada circuito em questão, empregando diferentes metodologias de projeto. Uma metodologia de projeto convencional, baseada em modelos onde se obtém uma equação explícita para a corrente válida na região de operação de saturação do transistor, e uma metodologia de projeto baseada na caracteristica g,/ID do transistor, que apresenta uma sintese unificada, considerando todas as regiões de operação do transistor MOS. Os circuitos a serem analisados e projetados neste trabalho são blocos considerados básicos para construção da maioria dos sistemas analógicos usados atualmente, como, por exemplo, Moduladores Sigma-Delta. Tais blocos são amplificadores, comparadores e filtros analógicos. A metodologia de projeto, baseada em parâmetros do modelo elétrico, é apresentada, enfatizando a caracteristica ~,/ID do transistor. Simulações elétricas serão realizadas (esquemático e layout extraído) para cada bloco, validando-se o projeto para as especificações requeridas. / Design techniques and CAD tools for digital systems are advancing rapidly at decreasing cost, while CMOS analog circuit design is related mostly with the individual experience and background of the designer. Therefore, the design of an analog circuit depends on several factors such as a reliable design methodology, good modeling and circuit fabrication technology characterization. This work presents a study of these factors that allow an analog system to be designed with high quality and performance at low cost, in a reasonable design time. First, an extensive characterization of the technology must be developed, where a11 the parameters that describe the electrical properties of the device are obtained. When this task is complete, an extensive analysis and modeling is made, transforming specifications into circuits with the transistor dimensions calculated. This leads to another important task - using electrical simulation to predict the performance of the circuit. Once the performance goals are satisfied, the designer is faced with the task of geometrical description (layout) of the circuit. Once the layout is finished, it is necessary to include the geometrical effects in a post-extraction simulation. If the results are satisfactory, the circuit is ready for fabrication. In case the specifications are not met, new design iteration must be undertaken. Most of this work focuses on the analysis of several analog circuits, including their functionality, using different design methodologies. A "conventional" design methodology, based on the modeling where a current equation is obtained considering that the transistor is in the saturation region, and a design methodology based on the gm/ID characteristic, that allows a unified synthesis methodology in a11 regions of operation of the transistor. The analog circuits to be analyzed and designed in this work are basic building blocks (amplifiers, comparators and analog filters) that find vast applications today, including an application of interest - Sigma-Delta Modulators. The design methodology based on the g,,lI~ characteristic, and the electrical device parameters related to them, are exercised in this work. In order to demonstrate this analysis, electrical simulations (schematic and extracted layout) of performance will be obtained for each block.

Diferente do projeto de sistemas digitais, no qual as técnicas de projeto e ferramentas CAD vêm apresentando uma crescente evolução acompanhada da redução de seus preços, o projeto de sistemas analógicos CMOS ainda apresenta uma forte correlação com a experiência do projetista. Dentro deste contexto, importantes fatores como caracterização de tecnologia, modelamento de dispositivos e metodologia de projeto devem ser considerados. Este trabalho apresenta um estudo destes importantes fatores necessários para se realizar o projeto de um sistema analógico com menor custo, bom desempenho e reduzido tempo de projeto. Primeiramente, é necessária uma extensa caracterização da tecnologia CMOS a ser usada, onde os parâmetros que descrevem as caracteristicas elétricas dos dispositivos são obtidos. A partir desta caracterização e das especificações requeridas para o circuito, é feita uma modelagem e sintese a fim de se obter as dimensões dos transistores. Ferramentas para a análise do desempenho elétrico são utilizadas a seguir, antes de se realizar a descrição geométrica (layout) do circuito. Com o layout pronto, uma nova simulação elétrica é feita incluindo os efeitos geométricos, incluindo-se os parasitas R, C e L extraídos do layout. Se os resultados forem satisfatórios, o circuito está pronto para fabricação; havendo degradação do desempenho esperado, uma nova iteração de projeto é realizada. Mais especificamente, este trabalho ilustra o processo de análise de vários circuitos analógicos, assim como as caracteristicas de cada circuito em questão, empregando diferentes metodologias de projeto. Uma metodologia de projeto convencional, baseada em modelos onde se obtém uma equação explícita para a corrente válida na região de operação de saturação do transistor, e uma metodologia de projeto baseada na caracteristica g,/ID do transistor, que apresenta uma sintese unificada, considerando todas as regiões de operação do transistor MOS. Os circuitos a serem analisados e projetados neste trabalho são blocos considerados básicos para construção da maioria dos sistemas analógicos usados atualmente, como, por exemplo, Moduladores Sigma-Delta. Tais blocos são amplificadores, comparadores e filtros analógicos. A metodologia de projeto, baseada em parâmetros do modelo elétrico, é apresentada, enfatizando a caracteristica ~,/ID do transistor. Simulações elétricas serão realizadas (esquemático e layout extraído) para cada bloco, validando-se o projeto para as especificações requeridas. / Design techniques and CAD tools for digital systems are advancing rapidly at decreasing cost, while CMOS analog circuit design is related mostly with the individual experience and background of the designer. Therefore, the design of an analog circuit depends on several factors such as a reliable design methodology, good modeling and circuit fabrication technology characterization. This work presents a study of these factors that allow an analog system to be designed with high quality and performance at low cost, in a reasonable design time. First, an extensive characterization of the technology must be developed, where a11 the parameters that describe the electrical properties of the device are obtained. When this task is complete, an extensive analysis and modeling is made, transforming specifications into circuits with the transistor dimensions calculated. This leads to another important task - using electrical simulation to predict the performance of the circuit. Once the performance goals are satisfied, the designer is faced with the task of geometrical description (layout) of the circuit. Once the layout is finished, it is necessary to include the geometrical effects in a post-extraction simulation. If the results are satisfactory, the circuit is ready for fabrication. In case the specifications are not met, new design iteration must be undertaken. Most of this work focuses on the analysis of several analog circuits, including their functionality, using different design methodologies. A "conventional" design methodology, based on the modeling where a current equation is obtained considering that the transistor is in the saturation region, and a design methodology based on the gm/ID characteristic, that allows a unified synthesis methodology in a11 regions of operation of the transistor. The analog circuits to be analyzed and designed in this work are basic building blocks (amplifiers, comparators and analog filters) that find vast applications today, including an application of interest - Sigma-Delta Modulators. The design methodology based on the g,,lI~ characteristic, and the electrical device parameters related to them, are exercised in this work. In order to demonstrate this analysis, electrical simulations (schematic and extracted layout) of performance will be obtained for each block.

TrapSimulator é uma ferramenta didática de simulação de corrente elétrica sob efeito do ruído Random Telegraph Noise, presente nos dispositivos eletrônicos semicondutores, mais precisamente em transistores de efeito de campo. Esta ferramenta possibilita a execução de simulações rápidas, de fácil visualização e usabilidade, isto porque, além de ser um software de código aberto, disponibilizado sob licença Gnu Generic Public License, é acessível através de um simples navegador de internet. Seu propósito principal é levar ao ambiente de sala de aula, uma forma de visualização do ruído no domínio do tempo e frequência, utilizando uma infraestrutura básica, presente na maioria das universidades. TrapSimulator implementa em seu algoritmo, métodos de simulação de um vetor que representa a corrente Id(t) sob efeito de ruído citado anteriormente. Este ruído é modelo conforme o conceito Trapping De-Trapping, o qual afirma que a causa da flutuação do nível de corrente é devida a captura e emissão de portadores por defeitos localizados no dielétrico dos transistores, próximo à interface entre este e o canal ativo do dispositivo. A motivação por executar este trabalho se dá pelo interesse em contribuir com o aprendizado de estudantes de graduação da área de Engenharia Elétrica e Eletrônica. Baseando-se numa metodologia empregada no ensino tecnológico, chamada de Aprendizagem Baseada em Projetos, este trabalho propõe um processo cognitivo mais atuante, priorizando a busca mais ativa pelo conhecimento. / TrapSimulator is a current simulation didactic tool under Random Telegraph Noise effect, present in electronic semiconductor devices, more precisely in field effect transistors. This tool makes it possible to perform fast, easy-to-view and usability simulations, because it is open source, made available under a Gnu Generic Public License, accessible through a simple web browser. Its main purpose is to take the classroom environment, a way of noise visualizing in the time and frequency domain, using a basic infrastructure, present in most universities. TrapSimulator implements in its algorithm, simulation methods that represents the ID(t) current vector under noise effect quoted above. Random Telegraph Noise is modeled according to the Trapping De-Trapping concept, which establishes that current level fluctuation is due to carriers capture and emission by defects located at dielectric region, next to active channel on semi-conductor devices. The work motivation is due to the desire to contribute to the undergraduate students learning in Electrical and Electronic Engineering area. Based on methodology used in technological teaching, called Project-Based Learning, this work proposes a cognitive process more directed to making hands on, the most active search for knowledge.

Neste trabalho apresenta-se uma proposta de uma técnica para implementação em hardware, das estruturas básicas de uma Rede Neural Competitiva, baseada em técnicas analógicas. Através desta proposta, será abordada uma das classes mais interessantes de Redes Neurais Artificiais (RNA) que são as Redes Neurais Competitivas (RNC), que possuem forte inspiração biológica. As equações fundamentais que descrevem o comportamento da RNC foram derivadas de estudos interdisciplinares, a maioria envolvendo observações neurofisiológicas. O estudo do neurônio biológico, por exemplo, nos leva a clássica equação da membrana. A técnica mostrada para a implementação das Redes Neurais Competitivas se baseia no use das técnicas analógicas. Estas conduzem a um projeto mais compacto além de permitirem um processamento em tempo real, visto que o circuito computacional analógico altera simultaneamente e continuamente todos os estados dos neurônios que se encontram interligados em paralelo. Para esta proposta de implementação, a mostrado que as equações fundamentais que governam as Redes Neurais Competitivas possuem uma relação com componentes eletrônicos básicos, podendo então, serem implementados através destes simples componentes com os quais as equações fundamentais se relacionam. Para tanto, é mostrado por meio de simulações em software, o comportamento das equações fundamentais deste tipo de Redes Neurais, e então, é comparado este comportamento, com os obtidos através de simulações elétricas dos circuitos equivalentes oriundos destas equações fundamentais. Mostra-se também, em ambas as simulações, uma das características mais importantes existentes nos modelos de RNC, conhecida como Memória de Tempo Curto (STM). Por fim, é apresentada uma aplicação típica na área de clusterização de padrões utilizando pesos sinápticos, a fim de demonstrar a implementação utilizando as técnicas descritas durante o trabalho. Esta aplicação é demonstrada através de simulações elétricas, sendo estas realizadas para tipos diferentes de tecnologia, mostrando assim, o correto desempenho da proposta deste trabalho. / In this work we present a proposal of a technique to hardware implementation of the basic structures of a Competitive Neural Network, based on analog circuits techniques. This proposal approaches one of the most interesting classes of Artificial Neural Networks (ANN) that are the Competitive Neural Networks (CNN), that possess strong biological inspiration. The fundamental equations that describe the behavior of CNN were derived from interdisciplinary studies, mostly involving neurophysiological observations. The study of the biological neuron, for example, leads to the classical membrane equation. The presented technique for implementation of Competitive Neural Networks is based on the use of analog circuits techniques. This leads to a more compact project and allows real time processing, because computation in analog circuits modifies simultaneously and continuouslly all the states of the neurons that are connected in parallel. In this proposal, it is shown that the fundamental equations that describe the behavior of Competitive Neural Networks possess a relationship with some basic electronic components. This fact allows the direct implementation of CNN with these electronic components. Initially the behavior of the fundamental equations of this type of Neural Networks is studied by means of software simulations. This behavior is then compared, with the one obtained through electric simulations of the equivalent circuits originated from these fundamental equations. It is also shown, in both simulations, one of the more important characteristic in the models of CNN, known as Short Term Memory (STM). Finally, a typical application is presented in the area of pattern clustering using synaptic weights, to demonstrate an implementation using the techniques described in this work. This application is demonstrated through electric simulations, for different IC technologies, comproving the correctness of the presented proposal.