Darbe analizuojami ZnS ploni sluoksniai, gauti vakuuminio garinimo būdu. Tyrimai atliekami skenuojančio zondo mikroskopijos metodu. Ištirta plonų sluoksnių paviršiaus struktūra ir įvertintas gamybos metodo kokybiškumas. Išmatavus srovių priklausomybes nuo įtampų, esant skirtingoms bandinio temperatūroms, sudarytos voltamperines charakteristikos (VACh), tokiu būdu nustatytas ZnS plėvelės laidumo mechanizmas. Įvertinta aktyvacijos energija (lygi 0,64 eV). Nustatyta, kad srovę tiriamoje struktūroje sąlygoja elektronų tuneliniai šuoliai iš paviršinių puslaidininkio būsenų dalyvaujant fononams. Remiantis gautais duomenimis galima teigti, kad vakuuminio garinimo metodu gauti ZnS sluoksniai pasižymi dideliais paviršiaus netolygumais. / The paper analyzes the ZnS thin films obtained by vacuum evaporation. Research carried out by scanning probe microscopy. The structure of thin layers surface is investigated and the quality of the production method is assessed. Measuring the voltage dependence of currents at different sample temperatures concluded voltage characteristics (VACh), thus the conduction mechanism of ZnS films was determined. Estimated thermal activation energy is 0.64 eV. It was found that the electrical current of the investigated structure is determined by tunneled electron jumps from the semiconductor surface states in the presence of phonons. Experiments results show that the ZnS layers produced by vacuum evaporation method are characterized by large surface irregularities.