Made available in DSpace on 2015-04-22T22:07:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dissertacao Final EDVAM NUNES.pdf: 1326325 bytes, checksum: acb7b97b4ee56842693910dcde730c09 (MD5) Previous issue date: 2009-03-30 / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado do Amazonas / We studied the dynamic properties of electrons in semiconductors heterostructure: barrier and quantum wells submitted to DC fields using the full Rashba-Dresselhaus Hamiltonian in E.F.A aproximation of the k · p method. The method used to calculate the electronic structure in quantum wells using the full spin-orbit Hamiltonian: Rashba-Dresselhaus is based on the thecnique of finite differences and in the method of inverse power. The dependent time Schroedinger equation is solved numerically using the time evolution operator, inside of the implicite outline of Cranck-Nicholson. We calculated the medium-displacements, tunneling probabilities and the polarizations spins too. / Estudamos as propriedades dinâmicas de elétrons em heteroestruturas semicondutoras: barreira e poços quânticos submetidos a campos elétricos DC usando o Hamiltoniano de Rashba e Dresselhaus na aproximação de massa efetiva do modelo k · p. O método utilizado para calcular a estrutura eletrônica em poços quânticos é o da potência inversa baseado na técnica de diferenças finitas. A equação de Schroedinger dependente do tempo é resolvida numericamente utilizando o operador evolução temporal dentro do esquema implícito de Cranck-Nicholson. Calculamos deslocamentos médios e probabilidade de transmissão de spins polarizados, bem como suas respectivas polarizações..