Made available in DSpace on 2015-04-22T22:07:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DISSERTACAO-JOSE DILSON.pdf: 2263133 bytes, checksum: bbf5adbba042abf3bd96506b874e8845 (MD5) Previous issue date: 2009-04-02 / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado do Amazonas / The scattering matrix technique is used to calculate the transmissivity of polarized spins through semiconductors heterostructures of asymmetrical double barrier. The movement of electrons is described in the effective mass approach of the Dresselhaus-Rashba.models.The transmissivity and polarization are calculated as a function of electron energy with kk = 0.5 × 106 cm−1, kk = 1 × 106 cm−1, kk = 1.5 × 106 cm−1 e kk = 2 × 106 cm−1 varying the angle φ InAs/GaSb/InAs/GaSb/InAs system. Fixing the parallel moment kk and varying φ = 0◦, 15◦, 30◦, 60◦, 75◦, and 90◦ we observed that the positions of the resonant picks vary faintly with the energy and the transmission curves change more strongly in the areas out of the resonance with the polarization reaching values among 10% − 82% in the resonant levels.For the directions φ = 45◦ and 135◦ the spin mixing produces an efficiency of polarization of 100% and the effects of the Dresselhaus and Rashba spin-orbit interactions are shown quite favorable to the engineered for fabricating of spin filters and spintronics devices. / A técnica da matriz de espalhamento é usada para calcular a transmissividade de spins polarizados, através de heteroestruturas semicondutoras de dupla barreira assimétrica. O movimento de elétrons de condução são descritos na aproximação da massa efetiva dos modelos de Dresselhaus-Rashba. A transmissividade e a polarização são calculadas como função da energia do elétron para kk = 0, 5×106 cm−1, kk = 1×106 cm−1, kk = 1, 5×106 cm−1 e kk = 2×106 cm−1, com vários valores de φ, para um sistema InAs/GaSb/InAs/GaSb/InAs. Fixando o momento paralelo kk e variando φ = 0◦, 15◦, 30◦, 60◦, 75◦, e 90◦ observamos que as posições dos picos ressonantes variam fracamente com a energia e as curvas de transmissão mudam mais fortemente nas regiões fora da ressonância com a polarização atingindo valores entre 10% −→ 82% nos níveis ressonantes. Para as direções φ = 45◦ e 135◦ o spin mixing produz uma eficiência de polarização de 100% e os efeitos das interações spin-órbita de Dresselhaus e Rashba mostram-se bastante favoráveis à engenharia na fabricação de filtrode spin e dispositivos spintrônicos.

Made available in DSpace on 2016-06-02T20:15:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4500.pdf: 3879542 bytes, checksum: b5f64bb4a570b611b18559c59dc97dd1 (MD5) Previous issue date: 2009-06-25 / Financiadora de Estudos e Projetos / In this work we used the technique of scattering matrix to calculate the transmissivity of polarized spins in a semiconductor symmetrical double-barrier heterostruture. The dynamics of carriers is described by effective mass approximation applied to models of Dresselhaus and Bychkov-Rashba. In the former case, the hamiltonian was studied in its full form, free of approximations. Both models describe interactions of type Spin-orbit, which is basically a coupling between the orbital angular moment of the electron with its magnetic moment of spin. This type of coupling as a consequence creates a splitting of some levels of energy, initially degenerate, resulting in a spectrum of energy more complex than that obtained without taking it into account such interactions. The transmissivity is calculated as a function of some parameters, for the type InAs=GaSb=InAs=GaSb=InAs. All results are compared with literature, and provide new information about the systems. The effects of spin-orbit interactions of Rashba and Dresselhaus show is very favorable to engineering in the manufacture of .lter spin and spintronic devices, as well as the injection of spin in quantum wells and semiconductor detectors based on non-magnetic asymmetric double barrier. / Neste trabalho usamos a técnica da matriz de espalhamento para calcular a trans- missividade de spins polarizados através de heteroestruturas semicondutoras de dupla barreira simétrica. A dinâmica dos portadores é descrita pela aproximação de massa efetiva aplicada aos modelos de Dresselhaus e Bychkov-Rashba. Sendo o primeiro hamil- toniano estudado em sua forma completa, isenta de aproximações. Ambos os modelos descrevem interações do tipo spin órbita, que é, basicamente, um acoplamento entre o momento angular orbital do elétron com seu momento magnético de spin. Esse tipo de acoplamento gera como consequência um desdobramento de alguns níveis de ener- gia, inicialmente degenerados, acarretando em um espectro de energia mais complexo do que àquele obtido sem levar-se em conta tais interações. A transmissividade é cal- culada como função de alguns parâmetros que controlam a e.ciência de polarização, para uma heteroestrutura do tipo InAs=GaSb=InAs=GaSb=InAs. Os efeitos das interações spin órbita de Dresselhaus e Rashba mostram-se bastante favoráveis à fabricação de dispositivos spintrônicos, bem como a injeção de spin em poços quânticos e detectores baseados em semicondutores não magnéticos em dupla barreira assimétrica.