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11	MOVPE growth and characterization of AlGxGa-1tnxN/GaN heterostructures for HEMT application Kaluza, Nicoleta Elena. Unknown Date (has links) (PDF) Techn. Hochsch., Diss., 2003--Aachen.
12	Hochleistungssysteme für die Fertigung elektronischer Baugruppen auf der Basis flexibler Schaltungsträger Boiger, Matthias January 2004 (has links) Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2004
13	Entwicklung, angepasste Herstellungsverfahren und erweiterte Qualitätssicherung von einsatzgerechten elektronischen Baugruppen Bigl, Thomas January 2007 (has links) Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2007
14	Molecular beam epitaxy growth and characterization of ZnO-based layers and heterostructures Elshaer, Abdelhamid Abdelrehim Mahmoud January 2008 (has links) Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 2008
15	Elektronenstrahlrekristallisierte Silicium-Solarzellen auf Glas-Substraten : Betrachtung von Struktur und Grenzflächen Nelles, Nicole January 2008 (has links) Zugl.: Hamburg-Harburg, Techn. Univ., Diss., 2008
16	HF-Störfestigkeit von integrierten Schaltungen Substratverkoppelungen in BCD-Technologien Jahn, Stefan January 2009 (has links) Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss., 2009
17	Fabrication and characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors Javorka, Peter. Unknown Date (has links) (PDF) Techn. Hochsch., Diss., 2004--Aachen.
18	Elektrochemische Prozesse an strukturierten Substraten für Anwendungen in neuartigen Leitungstechnologien Kaltenpoth, Gisela. Unknown Date (has links) (PDF) Universiẗat, Diss., 2003--Heidelberg. / Enth.: 3 Sonderabdr. aus verschiedenen Publikationen. Beitr. teilw. dt., teilw. engl.
19	Herstellung von GaN-Schichten mittels Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie Schneider, Tom 03 August 2022 (has links) Verbindungshalbleiter mit einer großen Bandlücke wie Galliumnitrid (GaN) sind aufgrund ihrer hervorragenden elektronischen Eigenschaften für die Halbleiterindustrie von großem Interesse. Die Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie, die auf dem physikalischen Gasphasentransport von Gallium basiert, ist eine alternative Methode der Gasphasenepitaxie von GaN. Im Mittelpunkt der vorliegenden Arbeit standen die Weiterentwicklung der Methode hinsichtlich der Verringerung der Kontamination und die Reduzierung der Versetzungsdichte in den GaN-Schichten. Dazu wurde eine neue Verdampfungszelle entwickelt und die komplexen, mehrstufigen Nukleations- und Wachstumsprozesse systematisch untersucht. Insgesamt wurden zu kommerziell verfügbaren GaN-Schichten vergleichbare Defektdichten erreicht. Zusätzlich wurde die Methode zur Abscheidung auf Saphir-Substraten mit einem Durchmesser von bis zu 2 Zoll aufskaliert. info:eu-repo/classification/ddc/620 ddc:620 Galliumnitrid Gasphasenepitaxie Verbindungshalbleiter Defekt Versetzung <Kristallographie> Substrat <Mikroelektronik>

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