Orientador : Adalberto B. M. S. Bassi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-17T01:09:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Suto_Elisabete_M.pdf: 3523334 bytes, checksum: 7648dbb479e3c800b970bae8a54e679c (MD5) Previous issue date: 1987 / Mestrado

Orientador: Jose Claudio Galverani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T19:27:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oliveira_JoseBrasBarretode_M.pdf: 3806197 bytes, checksum: 81b61114f9bb3cddfdbf8026db8fd45b (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: Neste trabalho foram estudadas algumas propriedades de contatos ôhmicos obtidos pela deposição de filmes do tipo (AuGe), (AuGeNi+AuNi) sobre substratos n-GaAs e filmes do tipo (Au+Zn+Au) sobre substratos p-GaSb. Foi realizado um estudo comparativo entre três métodos de medida da resistência específica de contato rc (W cm2); encontrou-se que o método 4 pontas é o mais indicado ao estudo destes contatos, construídos sobre substratos com concentração de portadores entre aproximadamente 1016 cm-3 e 1019 cm-3. Medidas de rc foram usadas para caracterizar eletricamente os contatos. Para os contatos sobre p-GaSb foi verificado o comportamento de rc em função da temperatura de recozimento; um valor mínimo para rc foi encontrado para recozimento a 300 ºC/15 minutos. Interdifusões entre os elementos e uma forte presença de oxigênio foram observadas por Espectroscopia de Elétrons Auger e Espectroscopia de Retro-Espalhamento Rutherford, estes resultados são relacionados com as propriedades de rc. Espectroscopia de Elétrons Auger e Difratometria de Raio-X foram usadas para estudar o comportamento dos elementos (interdifusões e formação de compostos) na interface do contato n-GaAs / (AuGeNi+AuNi). O comportamento de rc em função da temperatura de recozimento foi testado; um recozimento a aproximadamente 470 ºC durante 3 minutos proporcionou o valor mínimo para rc. Foi verificado também o comportamento de rc em função da concentração de portadores original dos substratos e os resultados foram comparados com a teoria de Popovic[37]. Foram comparados os resultados obtidos para recozimentos rápidos e recozimentos convencionais: verificou-se que um recozimento rápido por 12 segundos proporciona resistências específicas de contato com valores próximos aos obtidos por recozimento convencional a 460 ºC / 3 minutos e com menor interdifusão entre os elementos. Foram feitas comparações entre as características dos diferentes contatos obtidos pela deposição dos três tipos de filmes sobre o substrato n-GaAs / Abstract: This work concerns to the study of ohmic contacts obtained by deposition of the (AuGe), (AuGeNi+AuNi) and (Ni+AuGe+Ni+Au) films on n-GaAs substrates and deposition of the (Au+Zn+Au) films on p-GaSb substrates. With relation to contacts on p-GaSb it was verified the specific contact resistance rc(W cm2) behavior, as a function of alloying temperature; the lowest rc value was achieved for 300 °C/15 minutes alloying. Interdiffusion of the elements and large oxygen presence was observed using Auger Electron Spectroscopy and Rutherford Backscattering Spectroscopy; this results was related with rc properties. Auger Electron Spectroscopy and X-Ray Diffraction were used to study the behavior of elements (interdiffusion and compounds formation) at interface of n-GaAs(AuGeNi+AuNi) contact. The rc behavior with alloying temperature was tested; an alloying around 470 °C during 3 minutes proportionated the lowest rc. A study of rc as a function of bulk carriers concentration was made and the results were compared with Popovic's[37] theory. Results obtained from rapid and conventional alloying were compared; the rc values for a rapid alloying of 12 seconds and conventional alloying at 470 °C during 3 minutes are compatibles and the first type showed negligible interdiffusion of the elements. Comparisons between the characteristics of different contacts obtained by deposition of the three types of films on n-GaAs were made / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Fernando de Azevedo Silva / Banca: Edson Cocchieri Botelho / Banca: Antonio Carlos Ancelotti Filho / Resumo: Neste trabalho é apresentado um estudo analítico e numérico a respeito das tensões superficiais entre dois elementos. Quando uma força externa é aplicada a dois corpos em contato, verifica-se a existência de uma pequena deformação entre os elementos, causando um achatamento no plano de contato e criando uma zona de altas tensões de formato elíptico. Com a repetição cíclica destes carregamentos, pode ocorrer a perda progressiva de material superficial dos elementos envolvidos. De forma a investigar este fenômeno, esta dissertação realizou a análise detalhada de dois casos específicos encontrados na mecânica: o contato existente entra a esfera e a pista interna de um rolamento (contato esfera/plano), e o contato entre uma roda e um trilho ferroviário (contato cilindro/plano). Este estudo é essencial para a compreensão de como a aplicação de um carregamento externo pode influenciarna superfície de dois elementos. A análise foi realizada através de duas abordagens: uma analítica, através das equações oriundas da Teoria de Hertz, e outra numérica, através de programas computacionais de elementos finitos. Com os resultados verificados, foi feito uma série de gráficos que ilustram o comportamento das tensões ao longo dos eixos, além da análise da área afetada pela ação das tensões superficiais. Por fim, verificou-se a existência de tensões normais compressivas máximas encontradas no plano de contato entre os elementos, sendo a maior tensão localizada na direção do eixo de aplicação ... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: An analytical and numerical study regarding contact stresses between two elements is presented in this work. When an external force is applied to two bodies in contact, a small deformation between the elements appears, flattening the contact plane and creating high elliptical stresses. The cyclical repetition of these stresses can cause the progressive loss of surface material from the bodies. To verify this phenomenon, this work developed a detailed analysis of two specific cases found in many mechanical applications: the contact between a sphere and an inner ring of a bearing (sphere/plane contact) and the contact between a wheel and a rail track (cylinder/plane contact). This study is essential to the understanding of the influence in the surface of these two elements caused by an external load. The analysis was performed using two different approaches: one analytical, using Hertz equations, and one numerical, using computational simulations and finite element software. After the results were validated, a number of graphics were developed using the Hertz Equations for contact stresses to illustrate how the stresses behave along the axis, as well as the analysis of the area affected by the contact stresses. It was found that the maximum compressive stresses are located at the contact plane between the bodies, and the highest stress is found along the axis where the load was applied. When the depth is increased, all normal stresses tend to decrease until they became null. At... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre