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Showing 1 to 10 of 10 (0.111 seconds)Spelling suggestions: "subject:"transistors à effet dde champ"" "subject:"transistors à effet dee champ""
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Extraction des paramètres intrinsèques des transistors à effet de champ tenant compte des phénomènes de propagationBalti, Moez Pasquet, Daniel. January 2008 (has links) (PDF)
Reproduction de : Thèse doctorat : Electronique : Cergy-Pontoise : 2005. / Titre provenant de l'écran titre. Bibliogr. p.121-129.
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Elaboration d'un nouveau modèle hydrodynamique bidimensionnel de transistor à effet de champ à hétérojonctions pour l'amplification de puissance en millimétriqueDelemer, Jean-David. Jaeger, Jean-Claude de. January 2000 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : Electronique : Lille 1 : 2000. / Bibliogr. en fin de chapitres.
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Architecture de mémoire haute densité à base d'électronique moléculaire tolérante à un très grand nombre de défauts /Jalabert, Antoine. January 1900 (has links)
Thèse de doctorat--Électronique et communications--Paris--ENST, 2006. / Bibliogr. p. 157-166. En annexe articles en anglais.
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Réalisation d'un banc de mesure d'intermodulation biton en bande Ka application à l'analyse des causes technologiques de non-linéarité des HEMTs de puissance /Bué, Frédéric Crosnier, Yves. Gaquière, Christophe January 2003 (has links) (PDF)
Thèse doctorat : Électronique : Lille 1 : 2003. / N° d'ordre (Lille 1) : 3278. Bibliogr. p. 147-152.
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Contribution à la modélisation des transistors à effet de champ en arséniure de gallium pour les circuits intégrés monolithiques microondes /Lienhart, Marc-Yves. January 1988 (has links)
Th. doct.-ing.--Paris--ENST, 1988. / Notes bibliogr.
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Oscillateurs microondes à TEC GaAs.Sautereau, Jean-François. January 1900 (has links)
Th.--Sci.--Toulouse 3, 1981. N°: 1001.
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Étude et perspective des transistors à hétérostructure AlInAs/GaInAs de longueur de grille inférieure à 100 nm et conception de circuits intégrés en bande GParenty, Thierry Cappy, Alain. Bollaert, Sylvain January 2003 (has links) (PDF)
Thèse doctorat : Microondes et microtechnologies : Lille 1 : 2003. / N° d'ordre (Lille 1) : 3359. Résumé en français et en anglais. Bibliogr. à la suite de chaque chapitre.
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Études expérimentales de transistors HFET de la filière nitrure de gallium pour des applications de puissances hyperfréquencesVellas, Nicolas Jaeger, Jean-Claude de. Gaquière, Christophe January 2003 (has links) (PDF)
Thèse doctorat : Électronique : Lille 1 : 2003. / N° d'ordre (Lille 1) : 3405. Résumé en français et en anglais. Bibliogr. à la suite de chaque chapitre.
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Composants ultra rapides pour applications en ondes millimétriques et submillimétriquesBollaert, Sylvain Cappy, Alain. January 2007 (has links)
Reproduction de : Habilitation à diriger des recherches : Sciences physiques. Électronique : Lille 1 : 2005. / N° d'ordre (Lille 1) : 479. Textes en français (synthèse des travaux) et en anglais (publications en annexe). Curriculum vitae. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Bibliogr. p. 72-80. Liste des publications et communications.
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Élaboration et caractérisation de transistors MOS Schottky en régime nanométriqueLarrieu, Guilhem Stievenard, Didier Dubois, Emmanuel January 2007 (has links)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Électronique : Lille 1 : 2004. / N° d'ordre (Lille 1) : 3451. Résumé en français et en anglais. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Bibliogr. à la suite de chaque chapitre. Liste des publications.
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