Conselho Nacional de Desenvolvimento CientÃfico e TecnolÃgico / In this dissertation, we studied the electronic properties of a graphene nanoestructure under influence of external fields. We considered the application of an uniform transversal electric field and an uniform perpendicular magnetic field. Using a nearest-neighbor Tigh-binding model, we investigated how those fields change the band structure and the local density of states (LDOS) of the system. Then, we studied the transport properties of nanostructures. We assumed ballistic transport due to the long mean free path of graphene. Through a numerical model that it consists in solving the Tight-binding Hamiltonian in real space and the combination of the boundary conditions between the central region and the reservoir, we calculated the transmission coefficients for two specifics systems: First, for a graphene ribbon under the influence of a transversal electric field in a region of finite length; Next, for a three terminal ballistic junction (JBTT) of graphene under the influence of a transversal electric field in the region immediately before the junction. / Nesta dissertaÃÃo, estudamos as propriedades eletrÃnicas de nanoestruturas de grafeno submetidas a campos externos. Consideramos a aplicaÃÃo de um campo elÃtrico uniforme transversal e um campo magnÃtico uniforme perpendicular à estrutura. Utilizando um modelo Tight-binding com hopping de primeiros vizinhos, vimos como esses campos modificam a estrutura de bandas e a densidade local de estados (LDOS) do sistema. Em seguida, estudamos as propriedades de transporte das nanoestruturas. Consideramos transporte balÃstico devido ao longo livre caminho mÃdio do grafeno. AtravÃs de um modelo numÃrico que consiste em resolver o Hamiltoniano Tight-binding no espa ̧co real e combinar condiÃÃes de contorno entre a regiÃo central e os reservatÃrios, calculamos os coeficientes de transporte para dois sistemas especÃficos: Primeiro, para uma nanofita de grafeno submetida a um campo elÃtrico transversal em uma regiÃo de extensÃo finita. Em seguida, para uma junÃÃo balÃstica de trÃs terminais (JBTT) de grafeno submetida a um campo elÃtrico transversal na regiÃo imediatamente adjacente à junÃÃo.