CASTRO, Luan Veira de. Transporte balístico em dispositivos de grafeno nanoestruturados. 2015. 83 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2015. / Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2016-01-05T20:08:10Z No. of bitstreams: 1 2015_dis_lvcastro.pdf: 15542997 bytes, checksum: 6f4e517b4e288990d33f8f864427ecd6 (MD5) / Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2016-01-05T20:08:23Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2015_dis_lvcastro.pdf: 15542997 bytes, checksum: 6f4e517b4e288990d33f8f864427ecd6 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-01-05T20:08:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2015_dis_lvcastro.pdf: 15542997 bytes, checksum: 6f4e517b4e288990d33f8f864427ecd6 (MD5) Previous issue date: 2015 / In this dissertation, we studied the electronic properties of a graphene nanoestructure under influence of external fields. We considered the application of an uniform transversal electric field and an uniform perpendicular magnetic field. Using a nearest-neighbor Tigh-binding model, we investigated how those fields change the band structure and the local density of states (LDOS) of the system. Then, we studied the transport properties of nanostructures. We assumed ballistic transport due to the long mean free path of graphene. Through a numerical model that it consists in solving the Tight-binding Hamiltonian in real space and the combination of the boundary conditions between the central region and the reservoir, we calculated the transmission coefficients for two specifics systems: First, for a graphene ribbon under the influence of a transversal electric field in a region of finite length; Next, for a three terminal ballistic junction (JBTT) of graphene under the influence of a transversal electric field in the region immediately before the junction. / Nesta dissertação, estudamos as propriedades eletrônicas de nanoestruturas de grafeno submetidas a campos externos. Consideramos a aplicação de um campo elétrico uniforme transversal e um campo magnético uniforme perpendicular à estrutura. Utilizando um modelo Tight-binding com hopping de primeiros vizinhos, vimos como esses campos modificam a estrutura de bandas e a densidade local de estados (LDOS) do sistema. Em seguida, estudamos as propriedades de transporte das nanoestruturas. Consideramos transporte balístico devido ao longo livre caminho médio do grafeno. Através de um modelo numérico que consiste em resolver o Hamiltoniano Tight-binding no espa ̧co real e combinar condições de contorno entre a região central e os reservatórios, calculamos os coeficientes de transporte para dois sistemas específicos: Primeiro, para uma nanofita de grafeno submetida a um campo elétrico transversal em uma região de extensão finita. Em seguida, para uma junção balística de três terminais (JBTT) de grafeno submetida a um campo elétrico transversal na região imediatamente adjacente à junção.