Ce travail présente la mise en œuvre du test par faisceau laser TPA pour l’étude de la sensibilité au phénomène SEB dans les diodes schottky en carbure de silicium. Le contexte de l’étude est décrit par un état de l’art du SEB sur les MOSFETs et Diodes en Silicium et en carbure de silicium. Une étude technologique et structurelle des composants en SiC a permis de dégager les avantages du SiC par rapport au Si conventionnel et a permis d’analyser les dégâts causés par le faisceau TPA. L’utilisation du montage expérimental sur la plateforme ATLAS dédié spécifiquement au test de matériaux à grand gap a permis de mettre en place une méthodologie de test sur des diodes schottky en SiC. L’efficacité de cette méthodologie est prouvée par l’obtention de résultats expérimentaux très originaux. La susceptibilité au SEB induit par la technique laser TPA a été démontrée. Les mesures SOA ont permis d’évaluer la robustesse des diodes schottky SiC face aux événements singuliers. Une modélisation analytique a été menée afin de comprendre la cause du mécanisme du SEB et la localisation des défauts induits par le faisceau TPA. / This work presents the implementation of the TPA laser beam testing to study the SEB phenomenon in silicon carbide Schottky diodes. The context of the study is described by a state of the art of SEB on Si and SiC MOSFETs and Diodes. Technological and structural study of SiC components has identified the benefits of SiC compared to conventional Si and permits to analyze the damage caused by the TPA beam. Using the experimental setup of the ATLAS platform dedicated specifically to test large gap materials has set up a test methodology on SiC Schottky diodes. The effectiveness of this methodology is demonstrated by obtaining original experimental results. Susceptibility to SEB induced by TPA laser technique has been demonstrated. SOA measurements were used to assess the robustness of SiC Schottky diodes to single event effects.An analytical modeling was conducted to understand the cause of the SEB mechanism and the location of defects induced by the TPA beam.

Cette thèse est consacrée à l’étude des mécanismes d’interaction laser-matière en régime femtoseconde pour l’analyse de circuits intégrés par stimulation photoélectrique non-linéaire. Cette technique permet d’accroitre la résolution pour répondre à la miniaturisation des composants électroniques. Les milieux étudiés dans ce travail sont plus particulièrement le silicium, matériau constitutif des circuits intégrés, et la silice pour le transport des impulsions laser dans une fibre optique. En effet, l’émergence de cette technique d’analyse en milieu industriel requiert l’utilisation de systèmes compacts, fiables et sécuritaires. Les simulations réalisées montrent la génération de charges dans le silicium et la propagation des impulsions dans des fibres photoniques à cœur creux identifiées pour limiter les effets non-linéaires. Des expérimentations sur composants permettent de les confronter aux simulations et de valider l’utilisation de ce type de fibres.Enfin, ce travail a permis de déterminer les paramètres optiques et laser essentiels ainsi que les technologies compatibles avec les contraintes industrielles en analyse de circuits intégrés. / This thesis is dedicated to the study of laser-matter interaction mechanisms in femtosecond regime for the analysis of integrated circuits by nonlinear photoelectric laser stimulation. This technique improves the resolution in order to deal with the miniaturization of electronic components. The materials studied in this work are silicon, a major chemical component in semiconductor electronics, and silica used for transporting laser pulses in optical fibers. Indeed, the emergence of this analysis technique in industrial environments needs the use of compact, reliable and safe systems. The performed simulations show charge generation in silicon and propagation of pulses in photonic fibers identified for limiting nonlinear effects. Some experiments on components allow a comparison with simulations and validation of the use of this type of fibers. Finally, this work was able to identify key optical and laser parameters along with technologies compatible with industrial constraints in integrated circuit analysis.