No / This paper proposes a tuneable band-rejected miniaturised monopole antenna. The band-notching was achieved by printing an inner chorded crescent shape over the surface of the substrate. By placing a small varactor between the inner and outer arches, the centre frequency of each notch can be individually shifted downwards. The design of the proposed structure has a controllable rejection in the range from 2.38 to 3.87 GHz maintaining a wideband performance from 1.5 to 5 GHz based on VSWR ≤ 2. The antenna prototype was fabricated and tested. Simulated and measured results are performed and analysed. With a compact size, the proposed monopole antenna may well work as an internal antenna in a portable device.

The VSWR is an important entity when assessing the properties of an antenna. This report presents measurements of the VSWR, related to antennas, by means of a Vector Network Analyzer. The open/short/load calibration method is used as a preparation before the actual measurement in order to obtain accurate results. The way that the VSWR depends on frequency is illustrated by three measurment methods: direct measurement of the VSWR, by using 𝑆11, or by using the Smith chart. The results are compared and conclusions are drawn.

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Les travaux développés ici traitent de la mise en Suvre de techniques de protection et de linéarisation permettant aux modules d'amplification de puissance de répondre à toutes les contraintes de la téléphonie mobile que sont la robustesse, la linéarité, une très faible consommation, la miniaturisation et le coût. Dans une première partie, nous traitons de l'amélioration de la robustesse des amplificateurs de puissance RF vis-à-vis des désadaptations d'impédance induites par les variations d'environnement de l'antenne du téléphone portable. L'analyse des mécanismes de défaillance, des transistors HBT GaAs et HBT SiGe, nous mène à conclure à la nécessaire limitation du courant de l'étage final. Nous avons alors conçu un circuit de protection original, basé sur la détection précise du courant collecteur des transistors de puissance. De très faibles dimensions et monolithiquement intégrable, ce circuit n'altère ni la puissance de sortie, ni le rendement en puissance ajoutée lorsque l'amplificateur est nominalement chargé sur 50 Ohms. Un amplificateur de puissance RF intégrant ce dispositif a supporté tous les tests de robustesse jusqu'à des valeurs de VSWR supérieures à dix et pour des tensions de batterie supérieures à cinq volts. La simplicité et l'efficacité du circuit de détection de courant nous a conduit, dans un second temps, à envisager la conception d'un circuit de linéarisation monolithiquement intégrable sur un amplificateur de puissance RF, pour les standards EDGE et WCDMA. Le principe de linéarisation par injection d'enveloppe a alors été mis en Suvre grâce à une nouvelle topologie pour la détection de l'enveloppe du signal modulé. En raison de la très faible consommation en courant du dispositif innovant de linéarisation, il devient possible de s'affranchir du compromis linéarité/rendement en puissance ajoutée, intervenant généralement. Ce dispositif a été implémenté sur un amplificateur de puissance en technologie HBT SiGe. La Linéarité de l'amplificate ur a ainsi été améliorée de 12 dB à la puissance de sortie nominale, tout en maintenant constant le rendement en puissance ajoutée de l'amplificateur, même pour les faibles puissances de sortie (low power mode).