Este trabalho estuda os efeitos de dose total ionizante (TID – Total Ionizing Dose) em amplificadores operacionais e em seus blocos básicos de construção. A radiação ionizante presente no espaço pode afetar o funcionamento das estruturas MOS, sendo que um dos parâmetros mais prejudicados é a tensão de limiar (Threshold Voltage). Em virtude da diferença nos mecanismos de aprisionamento de cargas nos óxidos dos transistores do tipo N e do tipo P, esses dois dispositivos exibem comportamentos distintos à medida que a dose acumulada aumenta referente à tensão de limiar. Por isso, foram investigados os comportamentos de dois tipos de amplificadores que podem ser ditos complementares entre si. Nesse contexto, através de simulações SPICE desvios na tensão de limiar foram promovidos através da injeção direta no arquivo de parâmetros da tecnologia considerada. Com isso, um conjunto de simulações foi feito para gerar a estimativa da tendência de comportamento de parâmetros que qualificam o desempenho dos amplificadores operacionais, como é o caso do produto ganho largura de banda (GB), ganho DC e THD (Total Harmonic Distortion). Nesse sentido, foi possível compreender os mecanismos associados à degradação de desempenho e concluir qual das duas arquiteturas pode apresentar melhor desempenho relacionado à TID. / This work studies the effects of Total Ionizing Dose (TID) in operational amplifiers as well as in their basics building blocks. The radiation from space may affect functionality of MOS structures. One the most affected parameters is the threshold voltage. Due to the difference between N-type and P-type transistors related to the mechanism of charge trapping into the oxides, these two devices exhibit different behaviors, related to the threshold voltage parameter according to accumulated dose. Therefore, this work investigates the behavior of two counterpart operational amplifiers. In this context, by means of SPICE simulations, threshold deviations are injected into the transistors by modifying the technology models of the devices. Thus, a set of simulations was performed in order to generate an estimative of tendency for some of performance parameters of operational amplifiers, such as: the gain-bandwidth product (GB), DC gain, THD (Total Harmonic Distortion). In this sense, it was possible to understand the mechanisms associated to performance degradation and also, to conclude which of both architectures is more robust related to TID.

Este trabalho estuda os efeitos de dose total ionizante (TID – Total Ionizing Dose) em amplificadores operacionais e em seus blocos básicos de construção. A radiação ionizante presente no espaço pode afetar o funcionamento das estruturas MOS, sendo que um dos parâmetros mais prejudicados é a tensão de limiar (Threshold Voltage). Em virtude da diferença nos mecanismos de aprisionamento de cargas nos óxidos dos transistores do tipo N e do tipo P, esses dois dispositivos exibem comportamentos distintos à medida que a dose acumulada aumenta referente à tensão de limiar. Por isso, foram investigados os comportamentos de dois tipos de amplificadores que podem ser ditos complementares entre si. Nesse contexto, através de simulações SPICE desvios na tensão de limiar foram promovidos através da injeção direta no arquivo de parâmetros da tecnologia considerada. Com isso, um conjunto de simulações foi feito para gerar a estimativa da tendência de comportamento de parâmetros que qualificam o desempenho dos amplificadores operacionais, como é o caso do produto ganho largura de banda (GB), ganho DC e THD (Total Harmonic Distortion). Nesse sentido, foi possível compreender os mecanismos associados à degradação de desempenho e concluir qual das duas arquiteturas pode apresentar melhor desempenho relacionado à TID. / This work studies the effects of Total Ionizing Dose (TID) in operational amplifiers as well as in their basics building blocks. The radiation from space may affect functionality of MOS structures. One the most affected parameters is the threshold voltage. Due to the difference between N-type and P-type transistors related to the mechanism of charge trapping into the oxides, these two devices exhibit different behaviors, related to the threshold voltage parameter according to accumulated dose. Therefore, this work investigates the behavior of two counterpart operational amplifiers. In this context, by means of SPICE simulations, threshold deviations are injected into the transistors by modifying the technology models of the devices. Thus, a set of simulations was performed in order to generate an estimative of tendency for some of performance parameters of operational amplifiers, such as: the gain-bandwidth product (GB), DC gain, THD (Total Harmonic Distortion). In this sense, it was possible to understand the mechanisms associated to performance degradation and also, to conclude which of both architectures is more robust related to TID.

Este trabalho estuda os efeitos de dose total ionizante (TID – Total Ionizing Dose) em amplificadores operacionais e em seus blocos básicos de construção. A radiação ionizante presente no espaço pode afetar o funcionamento das estruturas MOS, sendo que um dos parâmetros mais prejudicados é a tensão de limiar (Threshold Voltage). Em virtude da diferença nos mecanismos de aprisionamento de cargas nos óxidos dos transistores do tipo N e do tipo P, esses dois dispositivos exibem comportamentos distintos à medida que a dose acumulada aumenta referente à tensão de limiar. Por isso, foram investigados os comportamentos de dois tipos de amplificadores que podem ser ditos complementares entre si. Nesse contexto, através de simulações SPICE desvios na tensão de limiar foram promovidos através da injeção direta no arquivo de parâmetros da tecnologia considerada. Com isso, um conjunto de simulações foi feito para gerar a estimativa da tendência de comportamento de parâmetros que qualificam o desempenho dos amplificadores operacionais, como é o caso do produto ganho largura de banda (GB), ganho DC e THD (Total Harmonic Distortion). Nesse sentido, foi possível compreender os mecanismos associados à degradação de desempenho e concluir qual das duas arquiteturas pode apresentar melhor desempenho relacionado à TID. / This work studies the effects of Total Ionizing Dose (TID) in operational amplifiers as well as in their basics building blocks. The radiation from space may affect functionality of MOS structures. One the most affected parameters is the threshold voltage. Due to the difference between N-type and P-type transistors related to the mechanism of charge trapping into the oxides, these two devices exhibit different behaviors, related to the threshold voltage parameter according to accumulated dose. Therefore, this work investigates the behavior of two counterpart operational amplifiers. In this context, by means of SPICE simulations, threshold deviations are injected into the transistors by modifying the technology models of the devices. Thus, a set of simulations was performed in order to generate an estimative of tendency for some of performance parameters of operational amplifiers, such as: the gain-bandwidth product (GB), DC gain, THD (Total Harmonic Distortion). In this sense, it was possible to understand the mechanisms associated to performance degradation and also, to conclude which of both architectures is more robust related to TID.

The aim of this project was to analyze howthe voltage magnitudes of an electrical grid is affectedwhen wind power production varies in an area aroundthe river of Ångermanälven. The goal of the project wasto keep the voltage deviation within 10 % from the setbase value. A secondary goal was to make a profitabilityassessment between power losses and costs related tothe power grid.A transmission grid model was built around Ångermanälven and simulations were made in MATLAB,with the open-source tool package called MATPOWER,to simulate the properties of the grid. Thesesimulations included real hourly historical data fordemand and power generation. Voltage deviation andlosses in the transmission grid for the system was thendetermined with power flow analysis.For the base case, the voltage deviation was keptwithin the limit of a maximum deviation of 10 %. Thebase case was thereafter upgraded to improve transmissionefficiency and resiliency. Increasing the basevoltage resulted in lower losses and voltage deviationsbelow 5 %. To make the grid more resilient and fulfillthe N-1 and N-2 criteria, additional transmission lineswere added. However, these were deemed necessary fora reliable grid, even though the upgrades increased thetotal cost of the system. / Strävan med detta projekt varatt analysera hur spänningsnivån för ett elnätpåverkas av varierande vindkraftsproduktion för ettområde kring Ångermanälven. Målet med projektetvar hålla spänningen inom 10 % från den sattabasspänningen. Ett sekundärt mål var att göra enlönsamhetsbedömning mellan effektförluster och kostnaderrelaterade till elnätet.En model av transmission nätet byggdes kring Ångermanälven och simuleringar utfördes i MATLAB,med hjälp av ett open-source verktyg kallat MATPOWER,för att simulera nätets egenskaper. Simuleringarnainkluderade verklig historisk timvis data förbehov och kraftproduktion. Spänningsavvikelser ochförluster i transmissionsnätet fastställdes med belastningsfördelning.För basfallet hölls spänningsavvikelserna inom denmaximala gränsen på 10 %. Basfallet uppgraderasdärefter för att förbättra transmissionseffektivitet ochtillförlitlighet. Ökning av basspänningen resulterade ilägre andel förluster och spänningsavvikelser på under5 %. För ett mer tillförlitligt nät och för att kunnauppfylla N-1 och N-2 kriterierna, installerades extraledningar. Dessa ledningar ansågs nödvändiga för attuppnå ett tillförlitligt elnät, även om det innebar ettkrav på ökade investeringskostnader för systemet. / Kandidatexjobb i elektroteknik 2021, KTH, Stockholm