Made available in DSpace on 2014-06-12T15:57:32Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo3206_1.pdf: 2192848 bytes, checksum: a287d32550b087e7e9d0890e71b7c07b (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2011 / Faculdade de Amparo à Ciência e Tecnologia do Estado de Pernambuco / RESUMO O constante crescimento da quantidade de dados armazenados em computadores trouxe a necessidade de assegurar a integridade e a confiabilidade dessas informa¸c oes. Dessa forma, princ´ıpios como os do Write-Once Read-Many (WORM) podem ser aplicados para reduzir o risco associado _ à perda de informações involuntariamente. Este trabalho apresenta um sistema de arquivos WORM, o WFS, implementado a partir da infraestrutura FUSE. Este sistema fornece os recursos fundamentais WORM, por exemplo, não permitindo que os arquivos e diret´orios sejam renomeados ou removidos ou que haja a utilização de comandos de superusuário. O WFS possui o foco em usuários domésticos, que precisam armazenar dados como e-mails, fotos, músicas, sem um alto investimento financeiro. Como principais requisitos do sistema desenvolvido, podemos citar: ser código-livre; atender a usuários sem privilégios de administração; ser instalado e configurado facilmente; apresentar desempenho satisfatório; possibilitar uma forma alternativa de modifica ção e de remoção; permitir o gerenciamento dos dados de forma simples. Por fim, uma avaliação de desempenho foi realizada com o objetivo de reduzir a perda de desempenho em relação ao Ext3. Para tal, técnicas de experimento fatorial 2k foram utilizadas. Ficou constatado que, para a carga de teste utilizada, o WFS introduziu uma perda de desempenho inferior a 12% quando comparado ao Ext3 não-WORM

This thesis is focused on two topics: (i) synthesis and characterization of bilayer graphene and pyrolytic carbon by atmospheric pressure chemical vapor deposition, and (ii) application of graphene in the fabrication of a buckyball memory device. Monolayer and bilayer graphene are semi-metal with zero bandgap. One can induce a bandgap in bilayer graphene by applying a gate voltage in the stacking direction. Thus, bandgap and Fermi level in bilayer graphene can be controlled simultaneously with a double-gate device, making it a useful material for future semiconducting applications. Controlled synthesis of bilayer graphene would be the first step to fabricate bilayer graphene based devices. In this context, we report a uniform and low-defect synthesis of bilayer graphene on evaporated nickel films. Ultra-fast cooling is employed to control the number of layers and sample uniformity. The process is self-limiting, which leads to bilayer graphene synthesis over a wide range of growth-time and precursor flow-rate. Pryolytic carbon is another important carbon nanomaterial, due to its diverse applications in electronic and biomedicalengineering. We employ chemical vapor deposition with ultra-fast cooling technique to synthesize pyrolytic carbon. Furthermore, we elucidate a method to calculate the in-plane crystal size by using Raman spectroscopy. Finally, the use of bilayer graphene in a write-once read-many memory device has been demonstrated. The device showed irreversible switching from low-resistance to high-resistance state, with hysteresis in the transport characteristics. The control sample showed random switching and hysteresis due to electromigration of metal atoms into the active material of the device. We attribute the reliability and performance of the reported device to the ultra-smooth graphene contacts, which additionally inhibits electromigration from the underlying metallic film. Moreover, the memory device showed excellent endurance and retention characteristics.