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Herstellung flüssigphasengesinterter Schichtkomposite aus SiC und AlNWildhack, Stefanie. Unknown Date (has links) (PDF)
Universiẗat, Diss., 2003--Stuttgart.
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Large signal modeling of GaN device for high power amplifier designJarndal, Anwar Hasan. January 1900 (has links)
Zugl.: Kassel, University, Diss., 2006. / Download lizenzpflichtig.
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Large-signal modeling of GaN device for high power amplifier designJarndal, Anwar Hasan January 2006 (has links)
Zugl.: Kassel, Univ., Diss., 2006
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Festigkeitssteigerung von Aluminiumnitrid-Keramiken / Increase of the strength in aluminium nitride-ceramicKlimera, Andreas January 2006 (has links) (PDF)
Das Ziel dieser Arbeit war die Untersuchung der Mechanismen zur Steigerung der Festigkeit von Aluminiumnitrid-Keramik. Es wurden drei Ansätze der Festigkeitssteigerung befolgt: Dispersionsverfestigung und Gefügever-feinerung, Entwicklung von Randschichtspannungen infolge der Phasenumwandlung ZrN/ZrO2 und eine Modifizierung der Sinterkurve mit dem Ziel, eine homogene Verteilung der Sekundärphase zu erreichen. Die Festigkeitssteigerung mit Hilfe der Dispersionsverfestigung und Gefügeverfeinerung führte nicht zum gewünschten Ergebnis. Die Korngröße konnte bis zu 30% verfeinert werden, was jedoch keine Erhöhung der Festigkeit mit sich brachte. Durch eine Wärmebehandlung ZrN-haltiger AlN-Keramik bei 600°C kam es zur Oxidation von ZrN. Dies führte zu der Umwandlung von ZrN in ZrO2 im oberflächennahen Bereich, die mit einer Volu-menzunahme verbunden war. Auf diese Weise wurden in der Keramik Randschichtspannungen erzeugt, die zu einer Steigerung der Festigkeit um 28% im Vergleich zur Standardprobe führten. Im AIN-Gefüge wurden Bereiche beobachtet, die einen hohen Anteil an Sekundärphase aufwiesen sowie Bereiche, die sekundärphasenfrei waren. Diese Segregation ist von der Benetzung des AlN durch Sekundärphase während der Sinterung abhängig. Die Benetzung wird durch den Dihedral-winkel beschrieben. Bei Dihedralwinkeln oberhalb 60° wird die Sinterung instabil und es kommt zu einer Segregation der Sekundärphase. Der Verlauf der AlN-Sinterung konnte erstmalig in situ beobachtet werden. Die Sinterschwindung wurde mit Hilfe der optischen Dilatometrie, die Wärmeleitfähigkeit mittels Laser-Flash-Methode ge-messen. Auf der Grundlage von In-Situ-Messungen konnte die Benetzung von AlN durch die Sekundärphase während der Sinterung verstanden werden. Der Dihedralwinkel fällt mit steigender Temperatur und steigt während einer Haltezeit. Durch die Modifikation der Sinterkurve konnte ein Gefüge mit gleichmäßig und homogen verteilter Sekundärphase hergestellt werden. Dies führte zur Steigerung der Festigkeit um 29% im Vergleich zu einer Standardprobe. / In this work the mechanisms of the increase of the strength in Aluminium nitride-ceramic were inves-tigated. Three approaches for the enhancement of the strength were made: dispersion strengthening and refinement of the microstructure, the development of compressive stresses in the surface region as a result of the phase transition of ZrN to ZrO2 and a modification of the sintering curve with the aim to achieve a homogeneous distribution of the secondary phase. The increase in strength with the aid of dispersion strengthening and microstructure refinement did not lead to the desired results. The particle size could be decreased by 30%, but no increase of the strength is observed. By thermal treatment of ZrN-containing AlN-ceramic at 600 °C the oxidation of ZrN was observed in the surface near regions. The transformation into ZrO2 led to an increase in volume. In this way, compressive stresses were generated near the surface, which lead to an increase in flexural strength by 28% in comparison to the standard AlN specimen. Within the AlN microstructure, certain regions containing a higher amount of the secondary phase, as well as regions, being free of the secondary phase could be observed. This segregation depends on the wetting of the AlN by the secondary phase during the sintering process. The wetting is de-scribed by the dihedral angle. With a dihedral angle above 60°, the sintering becomes instable and the segregation of the secondary phase occurs. For the first time the sintering process could be observed in situ. The sintering shrinkage was deter-mined by optical dilatometry, the thermal conductivity by the laser-flash-method. Based on these in-situ measurements, the wetting of AlN by the secondary phase could be explained. The dihedral angle declines with increasing temperature and rises during the hold time. By modification of the sintering curve, a microstructure with homogeneously dispersed secondary phase could be obtained. This led to an increase in strength of 29% in comparison to the standard AlN specimen.
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Efficiency enhancement of linear GaN RF power amplifiers using the Doherty techniqueMarkos, Asdesach Zena January 2008 (has links)
Zugl.: Kassel, Univ., Diss., 2008
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Large-signal modeling of GaN HEMTs for linear power amplifier design /Mengistu, Endalkachew Shewarega. January 2008 (has links)
Zugl.: Kassel, University, Diss., 2008.
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Structure and lattice dynamics of GaN and AlN: ab-initio investigations of strained polytypes and superlatticesWagner, Jan-Martin. Unknown Date (has links) (PDF)
Jena, University, Diss., 2004.
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Intermodulation distortion modelling and measurement techniques for GaN HEMT characterizationEmbar Ramanujam, Srinidhi January 2008 (has links)
Zugl.: Kassel, Univ., Diss., 2008
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Wachstum und Realstruktur von epitaktischen (Al, Ga)N-SchichtenKirste, Lutz. Unknown Date (has links) (PDF)
Universiẗat, Diss., 2003--Freiburg (Breisgau).
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GaN-based heterostructure field effect transistors and MMICs for high frequency applicationsSeo, Sanghyun January 2009 (has links)
Zugl.: Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2009
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