Neste trabalho foram utilizadas técnicas de difração de raios-x para estudar propriedades químicas e estruturais de ilhas de Ge:Si(001). Através de experimentos de difração por incidência rasante foi realizado um mapeamento estrutural da relaxação de strain dentro de pirâmides e domos de Ge. Alterando-se a energia dos raios-x próximo à borda K do Ge – em medidas de difração anômala – foi possível determinar a composição química dos dois tipos de ilhas. A energia elástica, obtida correlacionando-se estes dois resultados, provou ser um dos fatores responsáveis pelas transições morfológicas neste sistema. Uma extensão dos resultados, com o uso de um novo método de análise, permitiu um completo mapeamento tri-dimensional da estrutura e estequiometria dos domos de Ge. Por último, foi observada a existência de uma liga ordenada de SiGe dentro dos domos, indicando o importante papel da cinética de crescimento na incorporação de Si nas ilhas.