Silver(I) complexes of type LnAgX (X = organic ligand, such as carboxylates, dicarboxylates, Schiff-base; L = Lewis-bases, e. g. PnBu3, P(OMe)3, P(OEt)3; n = 1, 2, 3) have been synthesized and characterized with respect to their suitability for the Chemical Vapour Deposition (CVD) of silver thin films. For some of these compounds single crystal could be obtained. Their solid-state structure was determined by single crystal X-ray diffraction. The volatility, thermal stability, and gas phase decomposition mechanism of selected compounds were studied using temperature-programmed and in-situ mass spectrometry. CVD experiments were performed according to the results of the gas phase analysis. Silver films could be grown by using a cold-wall CVD reactor. The morphology of the latter films was determined. / Silber(I) Komplexe LnAgX (X = organische Ligand, Z. B. Carboxylate, Dicarboxylate, Schiff Base; L = Lewis-Base, Z. B. PnBu3, P(OMe)3, P(OEt)3; n = 1, 2, 3) wurden Bezug auf ihre Eignung für die chemische Gasphasenabscheidung von Silberfilmen synthetisiert und charakterisiert. Von einigen dieser Verbindung konnten Einkristalle erhalten werden. Der Bau dieser Verbindungen wurde mittels Röntgeneinkristallographie ermittelt. Ausgewählten Verbindungen wurden mit Temperatur-programmierter und in-situ Massenspektrometrie analysiert. Gasphasenabscheidungs- mechanismen für einige Prekursoren sind vorgestellt. CVD-Abscheidungsexperimente wurden entsprechend den Ergebnissen der Gasphaseanalyse durchgeführt. Silber Schichten konnten mit einen Kaltwand CVD-Reaktor erzeugt werden, deren Oberflächenmorphologie wurde untersucht.

Silver(I) complexes of type LnAgX (X = organic ligand, such as carboxylates, dicarboxylates, Schiff-base; L = Lewis-bases, e. g. PnBu3, P(OMe)3, P(OEt)3; n = 1, 2, 3) have been synthesized and characterized with respect to their suitability for the Chemical Vapour Deposition (CVD) of silver thin films. For some of these compounds single crystal could be obtained. Their solid-state structure was determined by single crystal X-ray diffraction. The volatility, thermal stability, and gas phase decomposition mechanism of selected compounds were studied using temperature-programmed and in-situ mass spectrometry. CVD experiments were performed according to the results of the gas phase analysis. Silver films could be grown by using a cold-wall CVD reactor. The morphology of the latter films was determined. / Silber(I) Komplexe LnAgX (X = organische Ligand, Z. B. Carboxylate, Dicarboxylate, Schiff Base; L = Lewis-Base, Z. B. PnBu3, P(OMe)3, P(OEt)3; n = 1, 2, 3) wurden Bezug auf ihre Eignung für die chemische Gasphasenabscheidung von Silberfilmen synthetisiert und charakterisiert. Von einigen dieser Verbindung konnten Einkristalle erhalten werden. Der Bau dieser Verbindungen wurde mittels Röntgeneinkristallographie ermittelt. Ausgewählten Verbindungen wurden mit Temperatur-programmierter und in-situ Massenspektrometrie analysiert. Gasphasenabscheidungs- mechanismen für einige Prekursoren sind vorgestellt. CVD-Abscheidungsexperimente wurden entsprechend den Ergebnissen der Gasphaseanalyse durchgeführt. Silber Schichten konnten mit einen Kaltwand CVD-Reaktor erzeugt werden, deren Oberflächenmorphologie wurde untersucht.