Ingeniero Civil en Computación / Un Boostrapping Database es un motor de base de datos colectivo que intenta dar solución al problema que enfrentan las comunidades en línea con respecto al control de la calidad del contenido y la colaboración de sus miembros; Repositorium es una implementación de Boostrapping Database que permite a cualquier usuario iniciar una comunidad para compartir documentos de texto, actualmente es utilizado en contextos académicos y se busca abrir la plataforma a nuevas aplicaciones que aprovechen la estrategia de participación propuesta; en particular se busca facilitar el desarrollo de aplicaciones móviles en torno a Repositorium. Por consiguiente, el objetivo de esta memoria es dotar a Repositorium de una interfaz que permita a cualquier desarrollador implementar una aplicación móvil utilizando los datos y el modelo de participación disponibles. Para lograr éste objetivo se diseñó, implementó y documentó una API web que establece un canal de comunicación claro y consistente entre las aplicaciones móviles y Repositorium. Para mostrar la eficacia de la API web construida se desarrolló una aplicación móvil que, utilizando la API, logró dar respuesta a los desafíos que presentaba una comunidad en línea y de paso mostró un ejemplo de uso en un contexto no académico. Además la herramienta fue presentada a los alumnos del Taller de Proyectos de Programación Android, quienes se mostraron abiertos a trabajar con ella. Como resultado hoy Repositorium provee las herramientas para que desarrolladores de aplicaciones móviles puedan hacer uso de los datos, el modelo de participación y la estrategia de control de calidad disponibles.

Ingeniero Civil en Computación / Una pertenencia minera es un derecho sobre un terreno para la explotación o exploración de minerales. En Chile existen miles de solicitudes de pertenencias mineras, que se publican semanalmente en el Diario Oficial. El Sernageomin ofrece un servicio web que consiste en un mapa y un buscador de solicitudes de pertenencias mineras en Chile. La empresa Punto Medio, donde se realizó esta memoria, también ofrece el servicio de un buscador, el cual es actualizado más frecuentemente, y permite consultar más información que el del Sernageomin. No obstante, no provee un mapa de las solicitudes de pertenencia.\\ El objetivo de esta memoria es incorporar un sistema de visualización de las solicitudes de pertenencia mineras a los servicios ya ofrecidos por Punto Medio, satisfaciendo demandas de los diversos trabajadores del área que el servicio entregado por el Sernageomin no es capaz de cumplir. Además, se desea mejorar la eficiencia y la extensibilidad de los módulos que permiten la actualización, consulta y validación de datos del sistema actual. Durante la memoria se elaboró una aplicación web que muestra las solicitudes de pertenencias en un mapa, la cual está integrada a un buscador, donde se realizan las consultas sobre las solicitudes de las pertenencias que se quieren visualizar, e incluye criterios geométricos para realizar consultas. También se mejoró el sistema de actualización de datos, añadiendo criterios relativos a la validación de los polígonos de las solicitudes de pertenencia, lo que permite reducir la revisión manual de los datos para encontrar errores. Con estos resultados se mejoró la eficiencia de la actualización de los datos y se obtuvo un sistema de visualización de los mismos, que es extensible y eficiente. Las mejoras al sistema en general, contribuyen a facilitar la tarea en el futuro de añadir nuevos módulos, o funcionalidades a módulos ya existentes, que ocupen parte del desarrollo realizado en esta memoria. Actualmente el sistema se encuentra en uso y otorga las funcionalidades esperadas para cumplir con el objetivo de dar un servicio de consulta y visualización de datos mucho más completo que el servicio que provee Sernageomin a los usuarios de las distintas áreas de la minería.

O emprego de polímeros conjugados e blendas como camada ativa de diodos emissores de luz ou células fotovoltaicas é foco de intenso desenvolvimento científico na atualidade. O desempenho eletro-ótico de tais dispositivos é fortemente dependente das características estruturais e eletrônicas dos componentes poliméricos ou moleculares, que são difíceis de serem quantificadas, demandando a integração de resultados experimentais e modelagem teórica. A desordem intrínseca desses materiais também dificulta a modelagem e a simulação, sendo necessário o emprego de diferentes e complementares métodos e técnicas de física computacional. O presente trabalho tem como objetivo o estudo, em nível atomístico, da correlação entre propriedades morfológicas e eletrônicas de filmes poliméricos com alta desordem de: I) poli-para-fenileno-vinileno (PPV); II) poli-3-hexil-tiofeno (P3HT) e sua blenda com fulereno (C60). Empregamos modelagem por Dinâmica Molecular Clássica dos sistemas desordenados em temperatura finita; implementamos para tal adaptações específicas no Campo de Forças Universal, baseadas em cálculos quânticos de primeiros princípios. Para obtermos a estrutura eletrônica de modelos selecionados utilizamos método de Hartree-Fock semiempírico. O sistema de PPV é estudado com respeito à variação das propriedades morfológicas ao longo do processo de deformação uniaxial. Estabelecemos correspondência entre os efeitos do estiramento e o surgimento de anisotropia no espectro de fotoluminescência observado experimentalmente. Para os sistemas de P3HT simulamos diferentes tipos de empacotamento, estudamos as propriedades morfológicas e calculamos os estados eletrônicos relevantes ao transporte de buracos pelo polímero. Vemos como majoritária a ocorrência de estados com comprimento conjugado de quatro e cinco meros; além disso, com a desordem estrutural os níveis eletrônicos localizados passam a exibir grande proximidade em energia, com pouca relação ao comprimento de conjugação. Isso resulta no surgimento de uma Densidade de Estados gaussiana com largura de aproximadamente 100meV que se mostra independente das diferenças morfológicas entre os modelos simulados. / The use of organic conjugated polymers and blends as active layers of light emitting diodes and photovoltaic cells has been the focus of intense scientific development in recent years. The electro-optical performance of such devices depends strongly on the structural and electronic properties of the polymeric or molecular components, and is of difficult characterization, demanding integration of experimental results and theoretical modeling. A complicating factor to the theoretical modeling is the intrinsic disorder in these materials, which demands the use of different and complementary techniques and methods of computational physics. The goal of the present work is to study at the atomistic level the correlation between morphological and electronic properties of highly disordered films of: I) poly-para-phenylene-vinylene (PPV); II) poly-3-hexyl-thiophene (P3HT) and blends with fullerenes (C60). We applied Classical Molecular Dynamics to model the disordered systems at finite temperature employing the well-known Universal Force Field, to which we implemented specific corrections based on first-principles quantum calculations. For selected models we calculated the electronic structure through semiempirical Hartree-Fock. The PPV system was studied focusing on the effect of uniaxial stretching on morphological properties. We have established a connection between morphology effects and the anisotropy of light emission detected experimentally. For P3HT systems we simulated different packing systems and studied morphological properties, and the electronic structure of the localized states relevant to hole transport in the polymer film. We found higher occurrence of 4- and 5-mer long conjugated electronic states. Moreover, the structural disorder affects the electronic levels, reducing the energy separation of conjugated segments of different lengths. This makes possible the occurrence of a gaussian Density of States of approximately 100meV width, regardless of the different morphological signatures of the different simulated models.

O emprego de polímeros conjugados e blendas como camada ativa de diodos emissores de luz ou células fotovoltaicas é foco de intenso desenvolvimento científico na atualidade. O desempenho eletro-ótico de tais dispositivos é fortemente dependente das características estruturais e eletrônicas dos componentes poliméricos ou moleculares, que são difíceis de serem quantificadas, demandando a integração de resultados experimentais e modelagem teórica. A desordem intrínseca desses materiais também dificulta a modelagem e a simulação, sendo necessário o emprego de diferentes e complementares métodos e técnicas de física computacional. O presente trabalho tem como objetivo o estudo, em nível atomístico, da correlação entre propriedades morfológicas e eletrônicas de filmes poliméricos com alta desordem de: I) poli-para-fenileno-vinileno (PPV); II) poli-3-hexil-tiofeno (P3HT) e sua blenda com fulereno (C60). Empregamos modelagem por Dinâmica Molecular Clássica dos sistemas desordenados em temperatura finita; implementamos para tal adaptações específicas no Campo de Forças Universal, baseadas em cálculos quânticos de primeiros princípios. Para obtermos a estrutura eletrônica de modelos selecionados utilizamos método de Hartree-Fock semiempírico. O sistema de PPV é estudado com respeito à variação das propriedades morfológicas ao longo do processo de deformação uniaxial. Estabelecemos correspondência entre os efeitos do estiramento e o surgimento de anisotropia no espectro de fotoluminescência observado experimentalmente. Para os sistemas de P3HT simulamos diferentes tipos de empacotamento, estudamos as propriedades morfológicas e calculamos os estados eletrônicos relevantes ao transporte de buracos pelo polímero. Vemos como majoritária a ocorrência de estados com comprimento conjugado de quatro e cinco meros; além disso, com a desordem estrutural os níveis eletrônicos localizados passam a exibir grande proximidade em energia, com pouca relação ao comprimento de conjugação. Isso resulta no surgimento de uma Densidade de Estados gaussiana com largura de aproximadamente 100meV que se mostra independente das diferenças morfológicas entre os modelos simulados. / The use of organic conjugated polymers and blends as active layers of light emitting diodes and photovoltaic cells has been the focus of intense scientific development in recent years. The electro-optical performance of such devices depends strongly on the structural and electronic properties of the polymeric or molecular components, and is of difficult characterization, demanding integration of experimental results and theoretical modeling. A complicating factor to the theoretical modeling is the intrinsic disorder in these materials, which demands the use of different and complementary techniques and methods of computational physics. The goal of the present work is to study at the atomistic level the correlation between morphological and electronic properties of highly disordered films of: I) poly-para-phenylene-vinylene (PPV); II) poly-3-hexyl-thiophene (P3HT) and blends with fullerenes (C60). We applied Classical Molecular Dynamics to model the disordered systems at finite temperature employing the well-known Universal Force Field, to which we implemented specific corrections based on first-principles quantum calculations. For selected models we calculated the electronic structure through semiempirical Hartree-Fock. The PPV system was studied focusing on the effect of uniaxial stretching on morphological properties. We have established a connection between morphology effects and the anisotropy of light emission detected experimentally. For P3HT systems we simulated different packing systems and studied morphological properties, and the electronic structure of the localized states relevant to hole transport in the polymer film. We found higher occurrence of 4- and 5-mer long conjugated electronic states. Moreover, the structural disorder affects the electronic levels, reducing the energy separation of conjugated segments of different lengths. This makes possible the occurrence of a gaussian Density of States of approximately 100meV width, regardless of the different morphological signatures of the different simulated models.