Um estudo sistemático de caracterização de filmes de GaAs dopados com Silício e crescidos por Epitaxia de Feixes Moleculares sobre substratos de GaAs orientados na superfície (311)A, foi desenvolvido visando compreender os mecanismos de incorporação do Si no filme. Na superfície (311)A o Si tem comportamento anfótero, ou seja, pode ocupar tanto o sítio do Ga como o do As, o que resulta em filmes com portadores tipo n e p, respectivamente. A característica elétrica do filme depende, basicamente, das seguintes condições de crescimento: i) razão entre os fluxos de Ga e As; e ii) temperatura do substrato. As técnicas de caracterização utilizadas foram fundamentalmente fototoluminescência, IxV e Efeito Hall. A partir dos filmes de GaAs:Si crescidos na superfície (311)A, foram estudadas as características elétricas de junções Metal-Semicondutor(M-SC) obtidas a partir da deposição seqüencial de AuGe/Ni e Au/Zn/Au para os filmes com características n e p respectivamente. A resistividade de contato foi estudada como função da temperatura e tempo de tratamento térmico, a partir de um sistema desenvolvido para RTA(Rapid Thermall Annealing), obtendo-se as condições ideais dos contatos no regime ôhmico. A técnica de Difração de R-X foi utilizada para verificar a evolução da microestrutura formada na interface M-SC, evidenciando a formação da fase AuGa, responsável pela característica ôhmica do contato. O estudo realizado serviu como base para o desenvolvimento de junções p-n baseadas na superfície (311)A e sua aplicação em dispositivos optoeletrônicos.

Um estudo sistemático de caracterização de filmes de GaAs dopados com Silício e crescidos por Epitaxia de Feixes Moleculares sobre substratos de GaAs orientados na superfície (311)A, foi desenvolvido visando compreender os mecanismos de incorporação do Si no filme. Na superfície (311)A o Si tem comportamento anfótero, ou seja, pode ocupar tanto o sítio do Ga como o do As, o que resulta em filmes com portadores tipo n e p, respectivamente. A característica elétrica do filme depende, basicamente, das seguintes condições de crescimento: i) razão entre os fluxos de Ga e As; e ii) temperatura do substrato. As técnicas de caracterização utilizadas foram fundamentalmente fototoluminescência, IxV e Efeito Hall. A partir dos filmes de GaAs:Si crescidos na superfície (311)A, foram estudadas as características elétricas de junções Metal-Semicondutor(M-SC) obtidas a partir da deposição seqüencial de AuGe/Ni e Au/Zn/Au para os filmes com características n e p respectivamente. A resistividade de contato foi estudada como função da temperatura e tempo de tratamento térmico, a partir de um sistema desenvolvido para RTA(Rapid Thermall Annealing), obtendo-se as condições ideais dos contatos no regime ôhmico. A técnica de Difração de R-X foi utilizada para verificar a evolução da microestrutura formada na interface M-SC, evidenciando a formação da fase AuGa, responsável pela característica ôhmica do contato. O estudo realizado serviu como base para o desenvolvimento de junções p-n baseadas na superfície (311)A e sua aplicação em dispositivos optoeletrônicos.

No presente trabalho foi desenvolvida uma teoria de característica elétrica da estrutura metal-isolante-metal considerando uma camada fina de óxido entre o metal e o isolante, sendo o óxido um outro isolante de banda de energia proibida mais larga. Foi considerada uma distribuição energética uniforme de estados de impurezas à interface óxido-isolante. Estudamos a distribuição real do potencial na região de carga espacial usando a equação de Poisson. Através desta distribuição obtemos a relação entre o potencial de contato e a carga positiva na região de depleção e assim a característica capacitância-voltagem da estrutura. Este tipo de característica é útil para se calcular as características corrente em função do potencial e corrente em função do tempo para um dado potencial e deste modo é importante para o entendimento das estruturas MIM e MOIM. / In this work we have developed a theory of electric characteristic of the metal-oxide-insulator-metal structure, considering a thin film of oxide between metal and insulator; the oxide is another insulator of wider forbidden energy gap. A uniform energy distribution of impurity states at the oxide-insulator interface was considered. W e have studied the actual distribution of potential in the region of spatial charge using the Poisson equation. With this distribution we obtain the relation between the contact potential and the charge in the depletion region and then the characteristic potential - capacitance of t his structure. This type of characteristic is useful to calculate the characteristic current - potential, and current-time at a given potential . In this manner it is important to the understanding of MIM and MOIM structures.

No presente trabalho foi desenvolvida uma teoria de característica elétrica da estrutura metal-isolante-metal considerando uma camada fina de óxido entre o metal e o isolante, sendo o óxido um outro isolante de banda de energia proibida mais larga. Foi considerada uma distribuição energética uniforme de estados de impurezas à interface óxido-isolante. Estudamos a distribuição real do potencial na região de carga espacial usando a equação de Poisson. Através desta distribuição obtemos a relação entre o potencial de contato e a carga positiva na região de depleção e assim a característica capacitância-voltagem da estrutura. Este tipo de característica é útil para se calcular as características corrente em função do potencial e corrente em função do tempo para um dado potencial e deste modo é importante para o entendimento das estruturas MIM e MOIM. / In this work we have developed a theory of electric characteristic of the metal-oxide-insulator-metal structure, considering a thin film of oxide between metal and insulator; the oxide is another insulator of wider forbidden energy gap. A uniform energy distribution of impurity states at the oxide-insulator interface was considered. W e have studied the actual distribution of potential in the region of spatial charge using the Poisson equation. With this distribution we obtain the relation between the contact potential and the charge in the depletion region and then the characteristic potential - capacitance of t his structure. This type of characteristic is useful to calculate the characteristic current - potential, and current-time at a given potential . In this manner it is important to the understanding of MIM and MOIM structures.