Submitted by Claudinei Pracidelli (cpracide@ipen.br) on 2014-11-10T11:55:57Z No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-11-10T11:55:57Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Dissertação (Mestrado em Tecnologia Nuclear) / IPEN/D / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP

Submitted by Nathaly Infantini Spano (natyspano@gmail.com) on 2018-04-11T22:15:07Z No. of bitstreams: 1 Nathaly Spano.pdf: 542621 bytes, checksum: 9cce243dcd5f335d0ff41628f513a126 (MD5) / Approved for entry into archive by Hellen Sayuri Sato null (hellen@ift.unesp.br) on 2018-04-12T17:27:02Z (GMT) No. of bitstreams: 1 spano_ni_dr_ift.pdf: 542621 bytes, checksum: 9cce243dcd5f335d0ff41628f513a126 (MD5) / Made available in DSpace on 2018-04-12T17:27:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 spano_ni_dr_ift.pdf: 542621 bytes, checksum: 9cce243dcd5f335d0ff41628f513a126 (MD5) Previous issue date: 2018-02-27 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) / A integrabilidade da hierarquia de Korteweg de-Vries modificada supersimétrica com N=1 (smKdV) na presença de defeitos é investigada através da construção de sua transformação de Bäcklund supersimétrica. A construção de tal transformação é realizada usando essencialmente dois métodos: a abordagem da matriz de defeito e empregando o operador de recursão. Primeiramente, empregamos a matriz de defeitos associada à hierarquia, que é a mesma para o modelo sinh-Gordon supersimétrico (sshG). O método é geral e válido para todos os fluxos da hierarquia e como exemplo derivamos explicitamente as equações de Bäcklund para os primeiros fluxos, são eles t_1, t_3 e t_5. Em segundo lugar, o operador de recursão relacionando tempos consecutivos é derivado e mostrados que ele relaciona também as transformações de Bäcklund. Finalmente, esta transformação de Bäcklund supersimétrica é empregada para introduzir defeitos do tipo I para a hierarquia supersimétrica mKdV. Outros aspectos de integrabilidade são considerados, através da construção das quantidades conservadas modificadas, derivadas da matriz de defeito. / The integrability of the N=1 supersymmetric modified Korteweg de-Vries (smKdV) hierarchy in the presence of defects is investigated through the construction of its super Bäcklund transformation. The construction of such transformation is performed by essentially using two methods: the Bäcklund-defect matrix approach and the by employing the recursion operator. Firstly, we employ the defect matrix associated to the hierarchy which turns out to be the same for the supersymmetric sinh-Gordon (sshG) model. The method is general for all flows and as an example we derive explicitly the Bäcklund equations in components for the first few flows of the hierarchy, namely t_1, t_3 and t_5. Secondly, the recursion operator relating consecutive time flows is derived and shown to relate their Bäcklund transformations. Finally, this super Bäcklund transformation is employed to introduce type I defects for the supersymmetric mKdV hierarchy. Further integrability aspects by considering modified conserved quantities are derived from the defect matrix. / CNPq: 141204/2014-1

Neste trabalho apresentamos medidas de fotocondutividade, decaimento da fotocondutividade persistente, resistência em função da temperatura em amostras de AlxGa1-xAs de gap direto e indireto, dopadas com Si. Comparamos as teorias de Brooks-Herring e Takimoto, ambas referentes ao espalhamento por impurezas ionizadas, e sua aplicabilidade para nosso material. Interpretamos a presença de um estado de energia intermediário nos cálculos da energia de ativação baseado nos resultados de concentração de elétrons livres em função da temperatura .como devido ao defeito D-. Nos resultados de decaimento da fotocondutividade persistente no intervalo de 80 - 100K, contamos com a contribuição do espalhamento por dipolos e propomos o par d+ - VAS- como os responsáveis pela formação destes dipolos e conseqüente melhoria do ajuste da simulação numérica. / In this work, we show results of photoconductivity, decay of persistent photoconductivity, resistance x temperature in Si doped direct and indirect bandgap AlxGa1-xAs. We compare Brooks-Herring and Takimoto theories, both in reference to ionized impurity scattering applied to our material. We interpret the intermediate state in our calculation of activation energy as a D- defect. In the numerical simulation of decay of persistent photoconductivity in the range 80-100 K, we propose the dipole pair d+ - VAS- responsible for the fitting improvement, when the dipole scattering is taken into account.

Made available in DSpace on 2014-10-09T12:36:48Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T13:57:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 02300.pdf: 1632925 bytes, checksum: bc27e10df4b0bc6c8147285747f6eccf (MD5) / Dissertacao (Mestrado) / IPEN/D / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP

Made available in DSpace on 2014-10-09T12:23:10Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:03:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 01141.pdf: 5508974 bytes, checksum: df6da8f523604d9fe3253f6786a1e526 (MD5) / Tese (Doutoramento) / IPEN/T / Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo - IF/USP

Made available in DSpace on 2014-10-09T12:24:34Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:04:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 00035.pdf: 1568343 bytes, checksum: d24b78db5e62e038d8e29fb63959c300 (MD5) / Dissertacao (Mestrado) / IEA/D / Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo - IF/USP

Made available in DSpace on 2014-10-09T12:24:32Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:05:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 01250.pdf: 2110565 bytes, checksum: e270c1871a3de83f54d7dbbf6713099f (MD5) / Dissertacao (Mestrado) / IEA/D / Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo - IF/USP

Made available in DSpace on 2014-10-09T12:24:09Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:08:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 01006.pdf: 8094548 bytes, checksum: 61ae42e710d289b8eb23e8b04cbefe14 (MD5) / Dissertacao (Mestrado) / IEA/D / Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo - IF/USP

Submitted by Claudinei Pracidelli (cpracide@ipen.br) on 2014-11-10T11:55:57Z No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-11-10T11:55:57Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Os moinhos de bolas são equipamentos presentes em plantas de mineração, sendo uma máquina importante no circuito de cominuição de minérios. Em função de inúmeros fatores como, por exemplo, projeto, fabricação, sobrecarga no equipamento, falta de manutenção e procedimentos de operação inadequados, são desenvolvidas descontinuidades nos componentes estruturais desse equipamento. Os componentes estruturais dos moinhos, basicamente, corpo, tampas e munhões, além do custo elevado, possuem prazos de fabricação que podem variar de dois a três anos dependendo da demanda do mercado. Portanto é cada vez mais necessário que as descontinuidades detectadas nesses componentes sejam corretamente avaliadas. Neste trabalho analisaram-se pela mecânica da fratura a criticalidade de descontinuidades, tais como trincas constatadas em um munhão de um moinho de bolas e compararam-se os valores teóricos de taxa de propagação (crescimento) dessas descontinuidades com valores reais obtidos por meio de inspeções periódicas realizadas neste componente. A nucleação das trincas foi causada por falta de lubrificação nos mancais do moinho, gerando esforços térmicos circunferenciais no munhão, em que a temperatura estimada do contato munhão e bucha atingiu a faixa de 100 °C a 150 °C. No período analisado, os resultados obtidos por meio da norma BS7910 mostraram-se mais próximos dos valores reais do que a norma ASME Seção XI, Apêndice A. O tamanho da trinca mais crítica foi aceito pelos critérios da norma BS7910 e aprovado apenas na condição de emergência da norma ASME Seção XI, Apêndice A. / Dissertação (Mestrado em Tecnologia Nuclear) / IPEN/D / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP

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