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Designing fault tolerant NoCs to improve reliability on SoCs / Projeto de NoCs tolerantes a falhas para o aumento da confiabilidade em SoCs

Frantz, Arthur Pereira January 2007 (has links)
Com a redução das dimensões dos dispositivos nas tecnologias sub-micrônicas foi possível um grande aumento no número de IP cores integrados em um mesmo chip e consequentemente novas arquiteturas de comunicação são usadas bucando atingir os requisitos de desempenho e potência. As redes intra-chip (Networks-on-Chip) foram propostas como uma plataforma alternativa de comunicação capaz de prover interconexões e comunicação entre os cores de um mesmo chip, tratando questões como desempenho, consumo de energia e reusabilidade para grandes sistemas integrados. Por outro lado, a mesma evolução tecnológica dos processos nanométricos reduziu drasticamente a confiabilidade de circuitos integrados, tornando dispositivos e interconexões mais sensíveis a novos tipos de falhas. Erros podem ser gerados por variações no processo de fabricação ou mesmo pela susceptibilidade do projeto, quando este opera em um ambiente hostil. Na comunicação de NoCs as duas principais fontes de erros são falhas de crosstalk e soft errors. No passado, se assumia que interconexões não poderiam ser afetadas por soft errors, por não possuirem circuitos seqüenciais. Porém, quando NoCs são usadas, buffers e circuitos seqüenciais estão presentes nos roteadores e, consequentemente, podem ocorrer soft errors entre a fonte e o destino da comunicação, provocando erros. Técnicas de tolerância a falhas, que tem sido aplicadas em circuitos em geral, podem ser usadas para proteger roteadores contra bit-flips. Neste cenário, este trabalho inicia com a avaliação dos efeitos de soft errors e falhas de crosstalk em uma arquitetura de NoC, através de simulação de injeção de falhas, analisando detalhadamente o impacto de tais falhas no roteador. Os resultados mostram que os efeitos dessas falhas na comunicação do SoC podem ser desastrosos, levando a perda de pacotes e travamento ou indisponibilidade do sistema. Então é proposta e avaliada a aplicação de um conjunto de técnicas de tolerância a falhas em roteadores, possibilitando diminuir os soft errors e falhas de crosstalk no nível de hardware. Estas técnicas propostas foram baseadas em códigos de correção de erros e redundância de hardware. Resultados experimentais mostram que estas técnicas podem obter zero erros com 50% a menos de overhead de área, quando comparadas com a duplicação simples. Entretanto, algumas dessas técnicas têm um grande consumo de potência, pois toda essas técnicas são baseadas na adição de hardware redundante. Considerando que as técnicas de proteção baseadas em software também impõe um considerável overhead na comunicação devido à retransmissão, é proposto o uso de técnicas mistas de hardware e software, que podem oferecer um nível de proteção satisfatório, baseado na análise do ambiente onde o sistema irá operar (soft error rate), fatores relativos ao projeto e fabricação (variações de atraso em interconexões, pontos susceptíveis a crosstalk), a probabilidade de uma falha gerar um erro em um roteador, a carga de comunicação e os limites de potência e energia suportados. / As the technology scales down into deep sub-micron domain, more IP cores are integrated in the same die and new communication architectures are used to meet performance and power constraints. Networks-on-Chip have been proposed as an alternative communication platform capable of providing interconnections and communication among onchip cores, handling performance, energy consumption and reusability issues for large integrated systems. However, the same advances to nanometric technologies have significantly reduced reliability in mass-produced integrated circuits, increasing the sensitivity of devices and interconnects to new types of failures. Variations at the fabrication process or even the susceptibility of a design under a hostile environment might generate errors. In NoC communications the two major sources of errors are crosstalk faults and soft errors. In the past, it was assumed that connections cannot be affected by soft errors because there was no sequential circuit involved. However, when NoCs are used, buffers and sequential circuits are present in the routers, consequently, soft errors can occur between the communication source and destination provoking errors. Fault tolerant techniques that once have been applied in integrated circuits in general can be used to protect routers against bit-flips. In this scenario, this work starts evaluating the effects of soft errors and crosstalk faults in a NoC architecture by performing fault injection simulations, where it has been accurate analyzed the impact of such faults over the switch service. The results show that the effect of those faults in the SoC communication can be disastrous, leading to loss of packets and system crash or unavailability. Then it proposes and evaluates a set of fault tolerant techniques applied at routers able to mitigate soft errors and crosstalk faults at the hardware level. Such proposed techniques were based on error correcting codes and hardware redundancy. Experimental results show that using the proposed techniques one can obtain zero errors with up to 50% of savings in the area overhead when compared to simple duplication. However some of these techniques are very power consuming because all the tolerance is based on adding redundant hardware. Considering that softwarebased mitigation techniques also impose a considerable communication overhead due to retransmission, we then propose the use of mixed hardware-software techniques, that can develop a suitable protection scheme driven by the analysis of the environment that the system will operate in (soft error rate), the design and fabrication factors (delay variations in interconnects, crosstalk enabling points), the probability of a fault generating an error in the router, the communication load and the allowed power or energy budget.
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Dealing with radiation induced long duration transient faults in future technologies / Lidando com falhas transitórias de longa duração provocadas por radiação em tecnologias futuras

Lisboa, Carlos Arthur Lang January 2009 (has links)
Com a evolução da tecnologia, dispositivos menores e mais rápidos ficam disponíveis para a fabricação de circuitos que, embora sejam mais eficientes, são mais sensíveis aos efeitos da radiação. A alta densidade, ao reduzir a distância entre dispositivos vizinhos, torna possível a ocorrência de múltiplas perturbações como resultado da colisão de uma única partícula. A alta velocidade, ao reduzir os ciclos de relógio dos circuitos, faz com que os pulsos transientes durem mais do que um ciclo. Todos estes fatos impedem o uso de diversas técnicas de mitigação existentes, baseadas em redundância temporal, e tornam necessário o desenvolvimento de técnicas inovadoras para fazer frente a este novo e desafiador cenário. Esta tese inicia com a análise da evolução da duração de pulsos transitórios nas diferentes tecnologias que dá suporte à previsão de que transitórios de longa duração (TLDs) irão afetar sistemas fabricados usando tecnologias futuras e mostra que diversas técnicas de mitigação baseadas em redundância temporal existentes não serão capazes de lidar com os TLDs devido à enorme sobrecarga que elas imporiam ao desempenho. Ao mesmo tempo, as técnicas baseadas em redundância temporal, embora sejam capazes de lidar com TLDs, ainda impõem penalidades muito elevadas em termos de área e energia, o que as torna inadequadas para uso em algumas áreas de aplicação, como as de sistemas portáteis e embarcados. Como uma alternativa para enfrentar estes desafios impostos aos projetistas pelas tecnologias futuras, é proposto o desenvolvimento de técnicas de mitigação com baixa sobrecarga, atuando em níveis de abstração distintos. Exemplos de novas técnicas de baixo custo atuando nos níveis de circuito, algoritmo e arquitetura são apresentados e avaliados. Atuando em nível de algoritmo, uma alternativa de baixo custo para verificação de multiplicação de matrizes é proposta e avaliada, mostrando-se que ela oferece uma boa solução para este problema específico, com uma enorme redução no custo de recomputação quando um erro em um elemento da matriz produto é detectado. Para generalizar esta idéia, o uso de invariantes de software na detecção de erros transitórios durante a execução é sugerido como outra técnica de baixo custo, e é mostrado que esta oferece alta capacidade de detecção de falhas, sendo, portanto, uma boa candidata para uso de maneira complementar com outras técnicas no desenvolvimento de software tolerante a falhas transitórias. Como exemplo de uma técnica em nível de arquitetura, é proposta e avaliada uma melhoria da clássica técnica de lockstep com checkpoint e rollback, mostrando uma redução significativa no número de operações de escrita necessárias para um checkpoint. Finalmente, como um exemplo de técnica de baixo custo baseada em redundância espacial, é proposto e avaliado o uso de código de Hamming na proteção de lógica combinacional, um problema ainda em aberto no projeto de sistemas usando tecnologias futuras. / As the technology evolves, faster and smaller devices are available for manufacturing circuits that, while more efficient, are more sensitive to the effects of radiation. The high transistor density, reducing the distance between neighbor devices, makes possible the occurrence of multiple upsets caused by a single particle hit. The achievable high speed, reducing the clock cycles of circuits, leads to transient pulses lasting longer than one cycle. All those facts preclude the use of several existing soft error mitigation techniques based on temporal redundancy, and require the development of innovative fault tolerant techniques to cope with this challenging new scenario. This thesis starts with the analysis of the transient width scaling across technologies, a fact that supports the prediction that long duration transients (LDTs) will affect systems manufactured using future technologies, and shows that several existing mitigation techniques based on temporal redundancy will not be able to cope with LDTs, due to the huge performance overhead that they would impose. At the same time, space redundancy based techniques, despite being able to deal with LDTs, still impose very high area and power penalties, making them inadequate for use in some application areas, such as portable and embedded systems. As an alternative to face those challenges imposed to designers by future technologies, the development of low overhead mitigation techniques, working at different abstraction levels, is proposed. Examples of new low cost techniques working at the circuit, algorithm, and architecture levels are presented and evaluated. Working at the algorithm level, a low cost verification algorithm for matrix multiplication is proposed and evaluated, showing that it provides a good solution for this specific problem, with dramatic reduction in the cost of recomputation when an error in one of the product matrix elements is detected. In order to generalize this idea, the use of software invariants to detect soft errors at runtime is suggested as a low cost technique, and shown to provide high fault detection capability, being a good candidate for use in a complementary fashion in the development of software tolerant to transient faults. As an example of architecture level technique, the improvement of the classic lockstep with checkpoint and rollback technique is proposed and evaluated, showing significant reduction in the number of write operations required for checkpoints. Finally, as an example of low cost space redundancy technique at circuit level, the use of Hamming coding to protect combinational logic, an open issue in the design of systems using future technologies, is proposed and evaluated through its application to a set of arithmetic and benchmark circuits.
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Analysis of transistor sizing and folding effectiveness to mitigate soft errors / Análise da influência do dimensionamento e partição de transistores e na proteção de circuitos contra efeitos de radiação

Assis, Thiago Rocha de January 2009 (has links)
Este trabalho apresenta uma avaliação da eficiência do dimensionamento e particionamento (folding) de transistores para a eliminação ou redução de efeitos de radiação. Durante o trabalho foi construído um modelo de transistor tipo-n MOSFET para a tecnologia 90nm, utilizando modelos preditivos. O transistor 3D modelado foi comparado com o modelo de transistor elétrico PTM level 54 da Arizona State University e os resultados mostraram uma coerência entre os dispositivos. Este transistor modelado foi irradiado por uma série de partículas que caracterizam ambientes terrestres e espaciais. Foi descoberto que a técnica de redimensionamento de transistores tem sua eficiência relacionada ao tipo de partícula do ambiente e não é aplicável em ambientes com partículas com alta energia. Descobriu-se também que aplicando o particionamento de transistores é possível reduzir a amplitude e a duração de erros transientes. A combinação do dimensionamento e o particionamento de transistores pode ser utilizada para a redução de efeitos de radiação incluindo partículas leves e pesadas. Por fim um estudo de caso foi realizado com uma célula de memória estática de 6 transistores utilizando as técnicas mencionadas anteriormente. Os resultados da célula de memória indicaram que a combinação das duas técnicas pode de fato reduzir e até impedir a mudança do estado lógico armazenado na célula. / In this work the transistor sizing and folding techniques were evaluated for SET robustness in a 90nm MOSFET technology using a 3D device model. A n-type MOSFET transistor using a 90nm technology predictive profile was modeled and functional behavior compared with PTM level 54 model showing a fit of the device with the PTM. During simulations the modeled device was irradiated in a simulation environment using particles with the profile of sea and space level ions. The radiation effects simulation had indicated that the transistor sizing can be more or less efficient to reduce SET according to the collected charge. It was found that for environments with high energy particle, transistor sizing was not able to reduce soft errors intensity. The use of folding has shown significant reduction of the amplitude and duration of the transient pulse, making this technique very useful to reduce soft errors. For alpha particles and heavy ions the combination of transistor folding and sizing had shown to be an effective combination to enhance the reliability of the circuits. A 6T SRAM cell was modeled to evaluate transistor sizing and folding techniques and the results confirmed the efficiency of folding plus sizing to reduce the effects of radiation.
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Analysis of transistor sizing and folding effectiveness to mitigate soft errors / Análise da influência do dimensionamento e partição de transistores e na proteção de circuitos contra efeitos de radiação

Assis, Thiago Rocha de January 2009 (has links)
Este trabalho apresenta uma avaliação da eficiência do dimensionamento e particionamento (folding) de transistores para a eliminação ou redução de efeitos de radiação. Durante o trabalho foi construído um modelo de transistor tipo-n MOSFET para a tecnologia 90nm, utilizando modelos preditivos. O transistor 3D modelado foi comparado com o modelo de transistor elétrico PTM level 54 da Arizona State University e os resultados mostraram uma coerência entre os dispositivos. Este transistor modelado foi irradiado por uma série de partículas que caracterizam ambientes terrestres e espaciais. Foi descoberto que a técnica de redimensionamento de transistores tem sua eficiência relacionada ao tipo de partícula do ambiente e não é aplicável em ambientes com partículas com alta energia. Descobriu-se também que aplicando o particionamento de transistores é possível reduzir a amplitude e a duração de erros transientes. A combinação do dimensionamento e o particionamento de transistores pode ser utilizada para a redução de efeitos de radiação incluindo partículas leves e pesadas. Por fim um estudo de caso foi realizado com uma célula de memória estática de 6 transistores utilizando as técnicas mencionadas anteriormente. Os resultados da célula de memória indicaram que a combinação das duas técnicas pode de fato reduzir e até impedir a mudança do estado lógico armazenado na célula. / In this work the transistor sizing and folding techniques were evaluated for SET robustness in a 90nm MOSFET technology using a 3D device model. A n-type MOSFET transistor using a 90nm technology predictive profile was modeled and functional behavior compared with PTM level 54 model showing a fit of the device with the PTM. During simulations the modeled device was irradiated in a simulation environment using particles with the profile of sea and space level ions. The radiation effects simulation had indicated that the transistor sizing can be more or less efficient to reduce SET according to the collected charge. It was found that for environments with high energy particle, transistor sizing was not able to reduce soft errors intensity. The use of folding has shown significant reduction of the amplitude and duration of the transient pulse, making this technique very useful to reduce soft errors. For alpha particles and heavy ions the combination of transistor folding and sizing had shown to be an effective combination to enhance the reliability of the circuits. A 6T SRAM cell was modeled to evaluate transistor sizing and folding techniques and the results confirmed the efficiency of folding plus sizing to reduce the effects of radiation.
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Analysis of transistor sizing and folding effectiveness to mitigate soft errors / Análise da influência do dimensionamento e partição de transistores e na proteção de circuitos contra efeitos de radiação

Assis, Thiago Rocha de January 2009 (has links)
Este trabalho apresenta uma avaliação da eficiência do dimensionamento e particionamento (folding) de transistores para a eliminação ou redução de efeitos de radiação. Durante o trabalho foi construído um modelo de transistor tipo-n MOSFET para a tecnologia 90nm, utilizando modelos preditivos. O transistor 3D modelado foi comparado com o modelo de transistor elétrico PTM level 54 da Arizona State University e os resultados mostraram uma coerência entre os dispositivos. Este transistor modelado foi irradiado por uma série de partículas que caracterizam ambientes terrestres e espaciais. Foi descoberto que a técnica de redimensionamento de transistores tem sua eficiência relacionada ao tipo de partícula do ambiente e não é aplicável em ambientes com partículas com alta energia. Descobriu-se também que aplicando o particionamento de transistores é possível reduzir a amplitude e a duração de erros transientes. A combinação do dimensionamento e o particionamento de transistores pode ser utilizada para a redução de efeitos de radiação incluindo partículas leves e pesadas. Por fim um estudo de caso foi realizado com uma célula de memória estática de 6 transistores utilizando as técnicas mencionadas anteriormente. Os resultados da célula de memória indicaram que a combinação das duas técnicas pode de fato reduzir e até impedir a mudança do estado lógico armazenado na célula. / In this work the transistor sizing and folding techniques were evaluated for SET robustness in a 90nm MOSFET technology using a 3D device model. A n-type MOSFET transistor using a 90nm technology predictive profile was modeled and functional behavior compared with PTM level 54 model showing a fit of the device with the PTM. During simulations the modeled device was irradiated in a simulation environment using particles with the profile of sea and space level ions. The radiation effects simulation had indicated that the transistor sizing can be more or less efficient to reduce SET according to the collected charge. It was found that for environments with high energy particle, transistor sizing was not able to reduce soft errors intensity. The use of folding has shown significant reduction of the amplitude and duration of the transient pulse, making this technique very useful to reduce soft errors. For alpha particles and heavy ions the combination of transistor folding and sizing had shown to be an effective combination to enhance the reliability of the circuits. A 6T SRAM cell was modeled to evaluate transistor sizing and folding techniques and the results confirmed the efficiency of folding plus sizing to reduce the effects of radiation.

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