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Sistema dosimétrico microcontrolado, baseado em detectores semicondutores, para análise de desempenho de equipamentos mamográficos

Vieira Batista, Eutrópio January 2006 (has links)
Made available in DSpace on 2014-06-12T23:15:43Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo9090_1.pdf: 1402063 bytes, checksum: a196fc79749f442b321d45f38cc0cca0 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2006 / Um dos parâmetros mais importantes para a implementação de programas de controle de qualidade em radiodiagnóstico é o desempenho do equipamento. Este trabalho apresenta as características de um instrumento projetado e construído para a avaliação do equipamento de raios-X mamográfico pelo método não invasivo. O instrumento é capaz de medir simultaneamente o tempo de irradiação, o kerma no ar incidente na pele e o valor da tensão aplicada ao tubo de raios-X. Ele consiste de um conjunto de três sensores semicondutores conectados no modo fotovoltaico à entrada de eletrômetros integradores especialmente construídos. Um desses detectores é fixado sob filtros de cobre e alumínio e os outros dois são fixados sem filtros. Um deles é usado somente para o controle do processo de medição e para ativar um temporizador eletrônico para medir o tempo de irradiação. O sinal do semicondutor sem filtro é usado para avaliar o kerma no ar incidente na pele. A razão entre as leituras desse detector e daquele coberto com os filtros fornece dados para a determinação da tensão do tubo. O instrumento denominado MAMO-KVDT-01 foi testado com um equipamento de raios-X mamográfico. Os resultados mostraram uma resposta linear do instrumento com dose de radiação no intervalo de 5,0 a 14,0 mGy, com um coeficiente de determinação de 0,9961. O teste de estabilidade da sua resposta para a medida de tensão também mostrou uma boa reprodutibilidade dentro de ±1,5%. Esses resultados qualificam o MAMO-KVDT-01 como instrumento adequado para o controle de qualidade de equipamentos mamográficos
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Caracterização de diodos com e sem estrutura de múltiplos anéis de guarda para dosimetria de elétrons

Ramos do Nascimento, Cristina 31 January 2009 (has links)
Made available in DSpace on 2014-06-12T23:14:49Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo8685_1.pdf: 2609467 bytes, checksum: df3a1f7a23ceefd241ca386948713bc5 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2009 / A dosimetria de feixes de elétrons de alta energia utilizados em radioterapia é realizada atualmente com câmaras de ionização de placas paralelas. Entretanto, devido aos crescentes avanços nas técnicas de tratamento utilizadas, detectores com maior resolução espacial do que as câmaras de ionização são necessários. Os detectores semicondutores podem ser a melhor solução. Diodos com estrutura de múltiplos anéis de guarda têm sido desenvolvidos para aplicações em campos de alta radiação. Este tipo de diodo é mais resistente aos danos da radiação, e apresenta alto grau de pureza, excelentes características de resposta e pequenas dimensões. O objetivo deste trabalho foi caracterizar dois tipos de diodos, de baixo custo, para dosimetria de feixes de elétrons utilizados em radioterapia: o diodo CERN MGR, com múltiplos anéis de guarda e o diodo XRA-24, sem múltiplos anéis de guarda. As respostas dos diodos foram avaliadas em feixes de elétrons, com energias entre 5 e 15 MeV, através das medidas de repetibilidade e linearidade de resposta com a dose e da dependência com a energia, taxa de dose média, tamanho do campo de radiação e profundidade ao longo do eixo central do campo de radiação. Os resultados mostraram excelente repetibilidade, com coeficiente de variação inferior a 0,4%. Em relação à sensibilidade, foram observados valores 60.000 vezes maiores do que os observados para as câmaras de ionização Markus Advanced e PPC05, quando normalizada pelo volume sensível dos detectores. A dependência energética do diodo CERN MGR foi inferior a 2% para energias entre 10 e 15 MeV e a 7% para energias entre 5 e 9 MeV. Para o diodo XRA-24, a dependência energética foi inferior a 8,5% para as energias entre 8 e 12 MeV. A variação da resposta do diodo CERN MGR em função da taxa de dose média foi cerca de 0,2%. Os fatores de saída de campo medidos com o diodo CERN MGR concordaram dentro de 2% em relação aos medidos com a câmara de ionização. As curvas de porcentagem de dose profunda obtidas com os dois diodos possibilitaram a determinação do índice de qualidade dos feixes dentro de 1% em relação aos valores obtidos com a câmara de ionização. A partir deste estudo, conclui-se que os dois tipos de diodos, com e sem múltiplos anéis de guarda, são alternativas confiáveis e econômicas para a realização da dosimetria de feixes de elétrons aplicados em radioterapia. Eles podem ser utilizados na dosimetria de técnicas que necessitam de pequenos campos de radiação e para dosimetria in vivo

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