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Orientador: Salomon Sylvain Mizrahi. / Doutor

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The present work is concerned with the theory of optical and magnetic properties of deeo centers in various III-V semiconductors.

A resistividade elétrica de ligas CoFe, onde a concen tração de ferro varia de 0 a 10 at%, foi medida no intervalo de temperatura entre 4°K e 300°K. Os resultados permitiram separar as ligas em diluídas e concentradas. Para as ligas diluídas interpretou-se os desvios da regra de Matthiessen em termos de um modelo de condução por duas bandas acopladas. Nas amostras concentradas, os efeitos de transições de fase estruturais tornam a resistividade elétrica em função complicada da temperatura e da concentração. / The electric resistivity measurements on CoFe alloys have been performed as a function of temperature in the interval 4 < T < 300°K, and iron concentration 0 < c < 10 at%. The deviations from Matthiessen's rule for up to 4 at% Fe was possible to interpret in terras of a coupled two band conduction model. The electric resistivity of the high iron concentration alloys (c > 4 at% Fe) has been proved to be an involved function of the temperature and concentration, due to phase transition effects.

The present work is concerned with the theory of optical and magnetic properties of deeo centers in various III-V semiconductors.

A resistividade elétrica de ligas CoFe, onde a concen tração de ferro varia de 0 a 10 at%, foi medida no intervalo de temperatura entre 4°K e 300°K. Os resultados permitiram separar as ligas em diluídas e concentradas. Para as ligas diluídas interpretou-se os desvios da regra de Matthiessen em termos de um modelo de condução por duas bandas acopladas. Nas amostras concentradas, os efeitos de transições de fase estruturais tornam a resistividade elétrica em função complicada da temperatura e da concentração. / The electric resistivity measurements on CoFe alloys have been performed as a function of temperature in the interval 4 < T < 300°K, and iron concentration 0 < c < 10 at%. The deviations from Matthiessen's rule for up to 4 at% Fe was possible to interpret in terras of a coupled two band conduction model. The electric resistivity of the high iron concentration alloys (c > 4 at% Fe) has been proved to be an involved function of the temperature and concentration, due to phase transition effects.

The present work is concerned with the theory of optical and magnetic properties of deeo centers in various III-V semiconductors.

A resistividade elétrica de ligas CoFe, onde a concen tração de ferro varia de 0 a 10 at%, foi medida no intervalo de temperatura entre 4°K e 300°K. Os resultados permitiram separar as ligas em diluídas e concentradas. Para as ligas diluídas interpretou-se os desvios da regra de Matthiessen em termos de um modelo de condução por duas bandas acopladas. Nas amostras concentradas, os efeitos de transições de fase estruturais tornam a resistividade elétrica em função complicada da temperatura e da concentração. / The electric resistivity measurements on CoFe alloys have been performed as a function of temperature in the interval 4 < T < 300°K, and iron concentration 0 < c < 10 at%. The deviations from Matthiessen's rule for up to 4 at% Fe was possible to interpret in terras of a coupled two band conduction model. The electric resistivity of the high iron concentration alloys (c > 4 at% Fe) has been proved to be an involved function of the temperature and concentration, due to phase transition effects.

Neste trabalho é estudada a produção exclusiva de partículas em processos de espalhamento elétron-próton no chamado regime de saturação. Neste regime ocorre o fenômeno de escalamento geométrico: as seções de choque são funções apenas de uma combinação adimensional das variáveis cinemáticas relevantes, tanto no caso inclusivo e difrativo como na produção de mésons vetoriais. Em particular, a variável de escalamento é dada genericamente por t = Q²=Q²s , onde Q² é a virtualidade do fóton e Qs é a escala de saturação. Através da aproximação eiconal e do modelo de dipolos é desenvolvido um modelo teórico para a seção de choque de espalhamento inelástico profundo (DIS, em inglês), de onde são obtidas expressões analíticas para a produção exclusiva de mésons vetoriais. Equações similares não foram encontradas na literatura até a data de conclusão deste trabalho. Os resultados são então comparados com os respectivos dados experimentais atuais. / In this work one studies the exclusive production of particles in scattering processes in the so called saturation region. Within this scheme the phenomenon of geometric scaling takes place: cross sections are functions only of a dimensionless combination of the relevant kinematic variables, which happens both in inclusive and di ractive cases, as in the production of vector mesons. In particular, the scaling variable is given in general by = Q²=Q²s , where Q² is the photon virtuality and Qs represents the saturation scale. Through the eikonal approximation and the dipole model picture, a theoretical model for Deep Inelastic Scattering (DIS) cross sections is developed, from which one obtains analytical expressions for the exclusive production of vector mesons. Similar expressions could not be found in the literature until the completion of this work. Results are then compared to the respective current experimental data.