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Espalhamento de luz por fonons oblíquos no KNbO3Ferreira Neto, José 21 July 1978 (has links)
Orientador: Dimitrios G. Bozinis / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T01:05:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1978 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Estudo do espalhamento Raman ressonante em GaNLemos, Vólia, 1947- 15 July 1972 (has links)
Orientador: Carlos Alfredo Arguello / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T17:31:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1972 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Transição doador-aceitador e replicas de fononsCruz Filho, Solon Pereira da 15 July 1974 (has links)
Orientador : Nicolao Jannuzzi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T23:30:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1974 / Resumo: Nossos resultados experimentais mostraram que as réplicas de fonons não são realmente réplicas, mas sim, estão alargadas na região de altas energias e que se deslocam mais efetivamente do que a banda zero fonon com a variação da intensidade de excitação. Por outro lado vimos que a razão I1/I0 = S( r ) decresce com r e é função da excitação. E ainda s( r )/dDA( r )não tem o comportamento previsto teoricamente.
Todos os nossos resultados experimentais estão qualitativamente de acordo com a hipótese original de que os pares de menor separação tem uma maior probabilidade de se recombinarem dando origem a fonons L0 e estão em frontal oposição aos resultados previstos por Malm e Haering e K. Kreher.
Notamos portanto a necessidade que existe de uma reformulação da teoria, principalmente, no que se refere ao termo de interação eletron-fonon ( S( r ) ) e na sua dependência com a separação e a intensidade de excitação.
É nossa intenção futura chegar a resultados quantitativos acerca da dependência de S com a separação ( D - A ), analisando em detalhes as linhas finas que aparecem no espectro do GaP e de outros cristais / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
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