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Charakterisierung und Präparation von GaN und Herstellung von In-Plane-Gate-Transistoren in AlxGa-x/N/GaN- HeterostrukturenEbbers, André. January 2003 (has links) (PDF)
Bochum, Universiẗat, Diss., 2003.
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Elektrische und optische Charakterisierung von GalliumnitridMeister, Dirk. January 2001 (has links) (PDF)
Giessen, Universiẗat, Diss., 2001.
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Surfaces and extended defects in Wurtzite GaNElsner, Joachim. January 1998 (has links) (PDF)
Paderborn, University, Diss., 1998.
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Mesoskopische Galliumnitrid-KompositmaterialienWinkler, Holger. January 2000 (has links) (PDF)
Bochum, Universiẗat, Diss., 2001.
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Elektrische Charakterisierung von GaN-basierten HalbleitersystemenKrtschil, André. January 2000 (has links) (PDF)
Magdeburg, Universiẗat, Diss., 2000.
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Reaktive Molekularstrahlepitaxie und Charakterisierung von GaN/(Al, Ga)N-Heterostrukturen auf SiC(0001)Thamm, Andreas. January 2001 (has links) (PDF)
Berlin, Humboldt-Universiẗat, Diss., 2001.
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Molekularstrahlepitaxie im Materialsystem Ga(N, Sb)Cristea, Peter. January 2002 (has links) (PDF)
Freiburg (Breisgau), Universiẗat, Diss., 2002.
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Laserinduzierte reaktive Epitaxie (LIRE) von GalliumnitridGross, Michael Helmuth. January 2002 (has links) (PDF)
Hannover, Universiẗat, Diss., 2001.
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Strukturelle Charakterisierung von Galliumnitrid-NanopartikelnStowasser, Franz. January 2004 (has links) (PDF)
Bochum, Univ., Diss., 2004. / Computerdatei im Fernzugriff.
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MOCVD und Charakterisierung von GaN-Dünnschichten und -Nanostrukturen unter Verwendung eines Single-Molecule-PrecursorsWohlfart, Andreas. January 2002 (has links) (PDF)
Bochum, Univ., Diss., 2002. / Computerdatei im Fernzugriff.
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