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1	Cristallogénèse et caractérisation physico-chimiques et optiques des matériaux semiconducteurs AIn2Te4 (A = Cd, Zn et Mn). Leurs potentialités comme modulateurs dans la bande spectrale 1,06-10,6 micromètres Lambert, Jean-François 12 January 1993 (has links) (PDF) Des monocristaux des semiconducteurs ternaires AIn2Te4 (A=Cd, Zn, Mn) ont été préparés par une methode de croissance dérivant de la méthode Bridgman et applicable aux composes a fusion non congruente. Les caractérisations physico-chimiques et cristallographiques ont montre l'homogéneite, la stoéchiometrie et la bonne qualité cristalline des cristaux obtenus. L' etude structurale, réalisee sur CdIn2Te4 a permis de conclure que ce compose appartient au groupe d'espace 14 2m. La réflectivité infrarouge et la spectroscopie Raman ont confirme ce groupe d' espace. Les caractérisations électrique et optique de ces matériaux ont été réalises. L'étude des transitoires de courant photo-induit a révélé la présence d' une distribution continue d' etats dans la bande interdite Etude expérimentale Croissance cristalline Méthode phase fondue Méthode Bridgman Stoéchiométrie Cristallinite Groupe espace Bande interdite Conductivite électrique Compose mineral Monocristal Système ternaire Cadmium Indium Tellurure Mixte Indium Zinc Tellurure Mixte Indium Manganese Tellurure Mixte Semiconducteur Modulateur électrooptique Réflexion IR Spectre Raman Microscopie électronique transmission Diffraction RX Spectrométrie transitoire Courant photoinduit

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Cristallogénèse et caractérisation physico-chimiques et optiques des matériaux semiconducteurs AIn2Te4 (A = Cd, Zn et Mn). Leurs potentialités comme modulateurs dans la bande spectrale 1,06-10,6 micromètres