Orientador: Alberto Martins Jorge / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-23T13:32:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pereira_AdrianoMarques_M.pdf: 3686858 bytes, checksum: cae9fc2f169351041a1c45d64dbcc978 (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Devido a enorme gama de aplicações onde os espelhos SI são empregadas, tais como redes neurais, filtros, conversores D/A e ND, toma-se interessante a implementação de uma biblioteca de espelhos de corrente dinâmicos. Considerando-se o espelho SI como um bloco de uma biblioteca, tal como um flip-flop ou uma porta lógica, as aplicações onde ele é utilizada podem ser implementadas empregando-se uma metodologia "standard cell". Além disso, toma-se possível o projeto de circuitos analógicos mais complexos utilizando quase que somente um simulador comportamental, tipo o HDLA [16]. Para viabilizar a implementação desta biblioteca, é necessário a definição de uma metodologia de projeto para os espelhos, bem como encontrar soluções para as dificuldades na caracterização dos espelhos. Para definir a metodologia de projeto, são investigados e equacionados todos os problemas que acarretam erros na memorização da corrente e definidas alternativas para minimiza-los. Como conseqüência, obteve-se uma topologia de circuito que é facilmente ajustada em função da precisão e freqüência de operação do espelho. A precisão e a freqüência geralmente são grandezas inversamente proporcionais. As alternativas de projeto para os problemas que acarretam erros na cópia da corrente memorizada, são escolhidas de forma não implicar em grandes perdas na freqüência de operação, de tal forma que se possa obter espelhos de corrente dinâmicos de alta precisão e alta freqüência de operação. As soluções encontradas para a caracterização de espelhos SI levaram ao projeto de um sistema de medição, que permite a completa caracterização do espelho. No projeto do sistema de medição esta incluído o projeto de um circuito integrado de interface necessário para realizar as medições no espelho dinâmico. A caracterização dos protótipos dos circuitos de interface mostrou que o mesmo possui uma THD menor que 0,04%. O sistema de medição é capaz de caracterizar espelhos SI com precisão da ordem de 450 ppm operando a freqüência de 3 MHz / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-02T13:09:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Campos_MarcelodePaula_M.pdf: 1989000 bytes, checksum: 04719353d8fb82d1065509a7f925083d (MD5) Previous issue date: 2002 / Mestrado

Made available in DSpace on 2014-06-12T17:42:00Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo7376_1.pdf: 379573 bytes, checksum: 6b2fb82231ccb735f816380136df0920 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2003 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / A implementação de Sistemas de Gestão da Qualidade, de Gestão Ambiental e Gestão da Saúde e Segurança do Trabalho foram algumas das alternativas utilizadas pelas organizações na busca de um aumento de competitividade. Mais recentemente, a integração destes sistemas, ou seja, a implementação de Sistemas Integrados de Gestão, vem sendo utilizada para obtenção de outras vantagens como, por exemplo, redução dos custos envolvidos com a manutenção destes três sistemas separados. Porém, na atual conjuntura, onde as empresas estão inseridas em um ambiente que parece estar impondo uma competitividade cada vez maior entre as mesmas, o que as leva a uma necessidade de mudança e reflexão contínuas, onde é preciso inovar e adquirir sucessivamente novos conhecimentos organizacionais para poder estar sempre apresentando uma postura competitiva, as organizações que já possuem um Sistema Integrado de Gestão necessitam buscar uma nova diferenciação com relação aos seus concorrentes. Esta pesquisa evidencia que neste contexto, de busca por diferenciais e sobrevivência, a Gestão do Conhecimento é uma importante ferramenta que contribui para ampliação da capacidade competitiva de organizações com Sistema Integrado de Gestão

Orientador: Francisco Carlos de Prince / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:57:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lujan_AlexandreSansigolo_M.pdf: 10867611 bytes, checksum: 79219e540ba45ae66def98998d6ce302 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho nos desenvolvemos uma nova técnica de difusão de Sem GaAs. A técnica usa um processador térmico rápido (RTP), para difusões de tempo curto (15-90s). Camadas com alta concentração (3x1018cm-3) e alta mobilidade (2000cm2/Vs), foram obtidas usando essa técnica. FET' s de arseneto de gálio foram fabricados e caracterizados. Transcondutâncias de 160mS/mm, para um comprimento de "gate" de 3 mm, e resistências serie de 1 Wmm foram obtidas. Os resultados mostram que a técnica desenvolvida é capaz de produzir dispositivos para uso prático / Abstract: In this work we develope a. new diffusion technique of S in GaAs. The technique uses a rapid thermal processor (RTP), for a very short time diffusions (15-90s). High concentration (3x1018cm-3) and high mobility (2000cm2/Vs) layers were obtained using this technique. Gallium arsenide FET"s were fabricated and characterized. Transcondutances of 160mS/mm, for gale length of 3 mm, and Series resistance¿s per gate width of 1 Wmm were obtained. The results show that the technique developed is capable of yield devices for practical use / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientadores: Furio Damiani, Curt Ego Hennies / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T01:16:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 PavaniFilho_Aristides_M.pdf: 14207916 bytes, checksum: cab5d2cb9b178fff87610b099f513fb5 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho apresentamos um conjunto de estruturas elétricas de teste para avaliação de parâmetros litográficos para serem empregadas na avaliação de um processo industrial de fabricação de circuitos integrados. Três foram os parâmetros investigados. A largura de linha, O overlay e a densidade de defeitos. Os circuitos de teste foram produzidos em um fabricante de circuitos integrados no exterior como parte do Projeto Multiusuário PMUCMOS 4. coordenado pelo Centro Tecno1ógico para a Informática. Foram fabricados 50 circuitos de teste composto por 9 estruturas de teste, distribuídos em duas colunas de 26 circuitos, dos quais foram avaliados 20 circuitos por coluna. Os resultados obtidos nos permitiram: 1) Avaliar a precisão do método de medidas de parâmetros litografia através de estruturas elétricas de teste; 2) Avaliar a efetividade das estruturas propostas em revelar através dos parâmetros básicos de litografia, as estratégias empregadas pelo fabricante e os parâmetros do processo litográfico / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Tese (livre-docencia) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T03:25:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Baranauskas_Vitor_LD.pdf: 6274981 bytes, checksum: b4d0ce4af82157a4fe73fae4c8c86af9 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed / Tese (livre-docencia) - Univer / Livre-Docente em Engenharia Eletrica

Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:30:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sinhorim_GilmarJose_M.pdf: 2684958 bytes, checksum: 5cf939519d9c8f1a2c9205cf370a8499 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho foi desenvolvida uma fonte de tensão programável, controlada por microcomputador, para utilização em sistemas automáticos de aquisição de dados usados na caracterização de circuitos integrados. A fonte desenvolvida tem capacidade para atingir tensões de 100 Volts (salda bipolar), com corrente de salda de até 30 mA. Os fundos de escala são selecionáveis por programação, sendo que, dentro de cada faixa de operação, a resolução da tensão de salda é de 12 bits / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Carlos I.Z. Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T13:50:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ReisFilho_CarlosAlbertodos_M.pdf: 2378439 bytes, checksum: 603e03dc99a6f745f5396ec2a9e348f4 (MD5) Previous issue date: 1978 / Mestrado

Orientador : Edmundo da Silva Braga / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-16T17:45:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tatsch_PeterJurgen_D.pdf: 5603453 bytes, checksum: 40261195b8c66f7bce35d36b326f4359 (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Neste trabalho é apresentado um estudo da viabilidade da oxidação do silício por plasma, em reator planar, como prcesso de baixa temperatura para a fabricação de circuitos integrados. No capítulo inicial coloca-se o contexto do trabalho assim como a sua proposiçao. No segundo capítulo apresenta-se uma descrição concisa da fenomenologia e do rnodelamento atinentes ao plasma utilizados no desenvolvimento do trabalho. No terceiro capítulo descreve-se sinteticamente a estrutura do sistema silício-dióxido de silício. O quarto capítulo versa sobre o projeto do reator planar utilizado e sobre os procedimentos experimentais aplicados na , preparação das amostras e na sua caracterização. As amostras foram oxidadas em plasmas de oxigênio e misturas de oxigênio e tetracloreto de carbono. O plasma foi analisado por espectrometria óptica e os filmes de óxido foram estudados através de medidas C-V de alta frequência, elipsometria e taxa de corrosão em reagente P. No último capítulo apresentam-se os resultados experimentais e sua análise. Obtiveram-se densidades efetivas de carga na faixa de 10 11 cm-2 e taxas de oxidação entre 0,4 nm min-l e 1,3 nm min-l, fortemente dependentes das condições do plasma. As medidas de espectrometria óptica mostram que o oxigênio atômico é a espécie principal envolvida no mecanismo da oxidação / Abstract: Not informed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador : Jacobus W. Swart / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-18T13:53:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Verdonck_PatrickBernard_D.pdf: 18440286 bytes, checksum: 3be31f1d7e48fc0452a7a3898433e08a (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Neste trabalho apresentamos o desenvolvimento de processos de "back-etch" para a formação de "plugs" e de processos para obter estruturas em tungstênio com paredes verticais. Ao mesmo tempo apresentamos o estudo dos mecanismos da corrosão de tungstênio por plasma. Neste trabalho usávamos principalmente dois tipos de equipamentos de corrosão por plasma. O primeiro tem a potência aplicada a uma frequência de 25 kHz, ao invés da tradicional 13,56 MHz. O segundo é do tipo reator com confinamento magnético. Em ambos os sistemas é possível obter corrosão química e corrosão induzida por bombardeamento iônico. Conseguimos obter bons processos de IIback-etch" em ambos os equipamentos. É possível obter estruturas de tungstênio com paredes verticais em ambos os equipamentos. Porém a seletividade de tungstênio para fotorresiste é sempre baixa, tipicamente 1:1. Portanto precisar-se-ia de um tipo de máscara especial para a corrosão de tungstênio quando este é usado como interconexão. A maioria dos mecanismos, como descritos na literatura foi confirmada neste trabalho. Onde há contradições na literatura, conseguimos determinar qual mecanismo é valido, como no caso de corrosão química, ou em quais circunstâncias qual mecanismo é válido, como no caso da formação e influência do óxido de tungstênio. Podemos também concluir que para a grande maioria dos processos, o mecanismo que limita a taxa de corrosão do tungstênio, é a chegada das espécies reativas na superfície da lâmina. Para os outros processos, há fortes indicações que a interação plasmatungstênio- resiste causa fenômenos que limitam a taxa de corrosão. As conclusões deste trabalho não são apenas válidas para os equipamentos estudados aqui, mas também para outros sistemas / Abstract: In this work, we present the development of processes to obtain a back etch process for plug formation in via holes and of processes to obtain tungsten structures with vertical walls. At the same time, the mechanisms behind the tungsten etching were studied. These studies were mainly performed in two different types of equipment. The first one is a system with power applied at 25 kHz, instead of the traditional 13.56 MHz. The second equipment is a magnetically confined reactor. In both systems it is possible to have chemical etching and bombardment enhanced etching. We were able to develop good back etch processes in both equipment. It is possible to obtain tungsten structures with vertical walls in both equipment, but the selectivity of the tungsten towards the resist is always low, typically 1:1. Therefore, one would need special mask structures or materiaIs for this type of etching of tungsten when it is used as an interconnect material ( e.g. as metal 1 ). Most of the mechanisms of the tungsten etching as reported in the literature were confirmed in this work. Where there are contradictions, mainly about the possibility of chemical etching of tungsten and the formation and influence on the etching of the tungsten oxide, we were able to draw one conclusion, e.g. that chemical etching is possible, or indicate in which circurnstances one mechanism is valid and in which circurnstances another mechanism is valid, as in the case of the etch delaying role of tungsten oxide. We could also conclude that the arrival of the active species at the surface of the wafer is the etch rate limiting step most processes. For other processes, we have strong indications that the interaction plasma-tungsten-resist induces some phenomena which limit the etch rate. And for some other processes the removal of the etch product can be indicated as the etch rate limiting step. These conclusions are not only valid for the systems studied in this work, but also for other types of equipment / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica