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1	Application des technologies CMOS sur SOI aux fonctions d'interface des liens de communication haut débit (> 10 Gbit/s) Axelrad, David 06 October 2005 (has links) (PDF) L'objectif de ce travail est d'étudier les avantages de la technologie CMOS/SOI 0.13µm partiellement désertée, pour la conception des circuits d'interface des liens haut débit (10 et 40Gbit/s). Nous avons identifié une fonction critique: la récupération de l'horloge et des données (CDR). L'étude de cette fonction nous a conduit à une analyse approfondie de l'oscillateur commandé en tension (VCO). Neuf circuits VCO et oscillateurs 10GHz ont ainsi été conçus pour valider les choix technologiques offerts par le CMOS/SOI. Les performances mesurées démontrent l'intérêt du CMOS/SOI pour les applications à hautes fréquences. Pour les applications à 40Gbit/s, nous avons ensuite conçu, réalisé et testé un VCO multi-phases 4x10GHz. Les résultats expérimentaux montrent une amélioration significative de la figure de mérite lorsque l'on compare ce circuit en CMOS/SOI avec les résultats précédemment publiés. SOI silicium sur isolant CMOS lien haut débit 10Gbit/s et 40Gbit/s boucle à verrouillage de phase (PLL) oscillateur commandé en tension (VCO) multi-phases bruit de phase inductance varactor substrat haute résistivité